MMBTA42LT1G 파워 모스펫 트랜지스터 NPN 실리콘 고전압 트랜지스터
multi emitter transistor
,silicon power transistors
MMBTA42LT1G, MMBTA43LT1G
고전압 트랜지스터
NPN 실리콘
특징
오우 이러한 장치가 Pb-프리, 무독성 / BFR 자유롭고, 로에스 순응합니다
최대 정격
특성 | 기호 | 가치 | 유닛 |
컬렉터-이미터 전압 MMBTA42 MMBTA43 |
VCEO |
300 200 |
프디시 |
컬렉터베이스 전압 MMBTA42 MMBTA43 |
VCBO |
300 200 |
프디시 |
이미터 베이스 전압 MMBTA42 MMBTA43 |
VEBO |
6.0 6.0 |
프디시 |
컬렉터전류 - 연속적입니다 | IC | 500 | 마드크 |
열특성
특성 | 기호 | 가치 | 유닛 |
전체 소자 산재 FR-5 이사회 (주기 1) TA = 25' C 25' C를 위쪽에 낮추세요 |
PD |
225 1.8 |
mW mW/' C |
열 저항, 접속 대 주위 |
RθJA |
556 |
'C/W |
전체 소자 산재 알루미나 기판 (기록 2) TA = 25' C 25' C를 위쪽에 낮추세요 |
PD |
300 2.4 |
mW mW/' C |
열 저항, 접속 대 주위 | RθJA | 417 | 'C/W |
결합과 저장 온도 | TJ, 트스트그 | +150에 대한 -55 | 'C |
최대 정격을 초과하는 스트레스는 장치를 손상시킬 수 있습니다. 최대 정격은 단지 스트레스 비율입니다. 권고된 운영조건 위의 기능의 운용은 의미되지 않습니다. 권고된 운영조건 위의 스트레스에 대한 확장된 노출은 장치 신뢰도에 영향을 미칠 수 있습니다.
1. FR-5 = 1.0 X 0.75 X 0.062에.
2. Alumina = 0.4 X 0.3 X 0.024에. 99.5% 알루미나.
패키지 치수
SOT-23 (TO-236)
경우 318-08
쟁점 AP통신
주식 호가 (뜨거운 매도)
부품 번호. | 양 | 브랜드 | D/C | 패키지 |
LPC4078FBD208 | 2821 | 16+ | QFP208 | |
LPS331APTR | 6770 | 거리 | 16+ | LGA16 |
LPS4012-152MLC | 4955 | COILCRAFT | 08+ | SMD |
LPS6225-103MLC | 9148 | COILCRAFT | 16+ | SMD |
LQG18HNR10J00D | 24000 | 무라타 | 16+ | SMD |
LQH32CNR47M33L | 113000 | 무라타 | 15+ | SMD |
LQH43MN1R0M03L | 13000 | 무라타 | 16+ | SMD |
LQW15AN13NG00D | 3000 | 무라타 | 15+ | SMD |
LQW18AN3N9C10D | 16000 | 무라타 | 13+ | SMD |
LQW18ANR22G00D | 12000 | 무라타 | 15+ | SMD |
LQW2BASR15J00L | 61000 | 무라타 | 15+ | SMD |
LQW2BHNR47K03L | 55000 | 무라타 | 16+ | SMD |
LS4448-GS08 | 20000 | 비샤이 | 16+ | LL34 |
LSM303DLHTR | 10067 | 거리 | 16+ | LGA |
LT1004CDR-2-5 | 3519 | TI | 12+ | SOP-8 |
LT1009IS8#PBF | 7519 | 선형 | 14+ | SOP-8 |
LT1013DIDR | 7843 | TI | 16+ | SOP-8 |
LT1072CN8 | 8677 | LT | 13+ | DIP-8 |
LT1085CT-12 | 4387 | LT | 16+ | TO-220 |
LT1117CST | 1387 | 선형 | 15+ | SOT223 |
LT1373CS8 | 4358 | LT | 13+ | SOP-8 |
LT1460GIZ-5 | 3179 | LT | 16+ | TO-92 |
LT1611CS5 | 15029 | LT | 15+ | SOT23-5 |
LT1764AEQ-1.5#PBF | 4513 | 선형 | 14+ | TO-263 |
LT1764AEQ-1.8#TRPBF | 2400 | LT | 09+ | TO263-5 |
LT1764AEQ-3.3 | 3962 | LT | 15+ | TO-263 |
LT1783CS5 | 3598 | LT | 14+ | SOT-153 |
LT1806CS8 | 3157 | LT | 14+ | SOP |
LT1931AES5#TRPBF | 4880 | 선형 | 06+ | SOT23-5 |
LT1931ES5#TRPBF | 4368 | 선형 | 16+ | SOT23-5 |
0402 0.063W 10kOhm SMT 후막 칩 저항기 RC0402JR-0710KL
200MHz 전원 라인 TDK SMD0603을 위한 MPZ1608S300ATAH0 칩 비즈 5A
22R 5% SMD0402 필름 칩 저항기 ERJ-2GEJ220X 파나소닉
MOV-20D751K 750V 6.5kA 바리스터 푸른 SMD 칩 저항기 1 회로 관통 홀은 20 밀리미터를 디스크로 만듭니다
2SB1261-tp 10W 다용도의 정류 다이오드 실리콘 에피타키샤르프레나 PNP 트랜지스터
IXFK140N30P 극 파워 모스펫 하이퍼페트 TO264 300V 140A
DF2B29FU,H3F 텔레비전 24VWM 47V ESD 보호 다이오드
PMEG6010ER 1A 낮은 VF 엄청나게 큰 쇼트키 접합 정류기 SOD123
SK34SMA 3A SMD 쇼트키 접합 정류 다이오드는 - 214AC을 합니다
SMBJ5.0A 실리콘 애벌런치 다이오드 600W 표면 부착 전압 억제 다이오드
이미지 | 부분 # | 기술 | |
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0402 0.063W 10kOhm SMT 후막 칩 저항기 RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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200MHz 전원 라인 TDK SMD0603을 위한 MPZ1608S300ATAH0 칩 비즈 5A |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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22R 5% SMD0402 필름 칩 저항기 ERJ-2GEJ220X 파나소닉 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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MOV-20D751K 750V 6.5kA 바리스터 푸른 SMD 칩 저항기 1 회로 관통 홀은 20 밀리미터를 디스크로 만듭니다 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
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2SB1261-tp 10W 다용도의 정류 다이오드 실리콘 에피타키샤르프레나 PNP 트랜지스터 |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P 극 파워 모스펫 하이퍼페트 TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FU,H3F 텔레비전 24VWM 47V ESD 보호 다이오드 |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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PMEG6010ER 1A 낮은 VF 엄청나게 큰 쇼트키 접합 정류기 SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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SK34SMA 3A SMD 쇼트키 접합 정류 다이오드는 - 214AC을 합니다 |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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SMBJ5.0A 실리콘 애벌런치 다이오드 600W 표면 부착 전압 억제 다이오드 |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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