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2SB1219A 파워 모스펫 트랜지스터 실리콘 PNP 에피타키샤르프레나 종류

제조 업체:
제조업자
기술:
양극성 (BJT) 트랜지스터 PNP 50 V 500 마 200MHz 150 mW 표면 부착 SMini3-G1
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiate
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
Collector to base voltage:
−60 V
Collector to emitter voltage:
−50 V
기본 전압에 대한 방출기:
-5 V
최대 컬렉터전류:
-1 A
컬렉터전류:
-500 마
컬렉터 전력 손실:
150 mW
하이라이트:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

도입

2SB1219, 2SB1219A

실리콘 PNP 에피 플레너 타입

2SD1820과 2SD1820A에 보충적인 일반적 증폭을 위해

특징

오우 큰 컬렉터전류 IC

테이프 패킹과 잡지 포장을 통하여 장비와 자삽의 감량경영을 허락한 오우 S-소형 유형 패키지.

절대 최대 정격 Ta = 25' C

매개 변수 기호 평가 유닛
기본 전압에 대한 수집기 2SB1219 VCBO -30
2SB1219A -60
에미터 전압에 대한 수집기 2SB1219 VCEO -25
2SB1219A -50
기본 전압에 대한 방출기 VEBO -5
최대 컬렉터전류 ICP -1 A
컬렉터전류 IC -500
컬렉터 전력 손실 PC 150 mW
접합 온도 트제이 150 'C
저장 온도 트스트그 +150에 대한 -55 'C

주식 호가 (뜨거운 매도)

부품 번호. 브랜드 D/C 패키지
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PIC18F67K22 I / PT 2275 마이크로칩 12+ QFP64
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PIC32MX795F512L-80I/PT 2611 마이크로칩 15+ TQFP100
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