IRLL024NTRPBF 전력 Mosfet 트랜지스터 HEXFET® 전력 MOSFET 고속 스위칭
Manufacturer:
제조
기술:
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
범주:
전원관리 ICs
가격:
Negotiate
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
Pulsed Drain Current:
12 A
Linear Derating Factor:
8.3 mW/°C
Gate-to-Source Voltage:
±16 V
Single Pulse Avalanche Energy:
120 mJ
Avalanche Current:
3.1 A
Junction and Storage Temperature:
-55 to + 150 °C
하이 라이트:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
도입
Array
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주식:
MOQ:
10pcs