2N5486 파워 모스펫 트랜지스터 엔-채널 rf 증폭기 엔-채널 접합형 전기 분해 효과 트랜지스터
상술
Drain-Gate Voltage:
25 V
Gate-Source Voltage:
- 25 V
순방향 게이트 전류:
10 마
Operating and Storage Junction Temperature:
-55 to +150 °C
Total Device Dissipation:
350 mW
Thermal Resistance, Junction to Ambient:
357 °C/W
하이라이트:
power mosfet ic
,silicon power transistors
도입
2N5484 MMBF5484
2N5485 MMBF5485
2N5486 MMBF5486
엔-채널 rf 증폭기
이 장치는 저항 아날로그 전환에 낮은 것과 같이 전자적 교환 응용을 위해 주로 설계됩니다. 절차 50으로부터 근본적입니다.
절대적인 최대 Ratings* TA = 25' C 달리 언급되지 않으면
기호 | 매개 변수 | 가치 | 유닛 |
---|---|---|---|
성병 임질 | 드레인 게이트 전압 | 25 | V |
VGS | 게이트-소스 전압 | -25 | V |
IGF | 순방향 게이트 전류 | 10 | 마 |
TJ, 트스트그 | 작동과 저장 결합 온도 범위 | +150에 대한 -55 | 'C |
*These 등급은 어떠한 반도체 디바이스의 내구성이 악화될 수 있는 가치를 제한하고 있습니다.
기록 :
1) 이러한 평가는 150 도 C의 접합 최고온도를 기반으로 합니다.
2) 이것들은 지속 상태 제한입니다. 공장은 펄스용이거나 낮은 듀티 사이클 동작과 연관된 애플리케이션에 협의되어야 합니다.
주식 호가 (뜨거운 매도)
부품 번호. | 양 | 브랜드 | D/C | 패키지 |
TS462CN | 4060 | 거리 | 09+ | DIP-8 |
TS912AIN | 30120 | 거리 | 12+ | DIP-8 |
TS912IN | 25248 | 거리 | 16+ | DIP-8 |
TSM101CN | 10808 | 거리 | 09+ | DIP-8 |
UC3843AL -D08 T | 10760 | 거리 | 16+ | DIP-8 |
UC3845BD013TR | 10778 | 거리 | 14+ | DIP-8 |
TNY178PN | 14900 | 힘 | 13+ | DIP-7 |
TNY266PN | 18692 | 힘 | 15+ | DIP-7 |
TNY268PN | 7412 | 힘 | 15+ | DIP-7 |
TNY274PN | 11156 | 힘 | 16+ | DIP-7 |
TNY275PN | 15406 | 힘 | 16+ | DIP-7 |
TNY276PN | 6632 | 힘 | 14+ | DIP-7 |
TNY277PG | 16374 | 힘 | 13+ | DIP-7 |
TNY278PG | 16352 | 힘 | 16+ | DIP-7 |
TNY280PG | 20000 | 힘 | 14+ | DIP-7 |
TNY284P | 3436 | 힘 | 16+ | DIP-7 |
TNY285P | 3720 | 힘 | 14+ | DIP-7 |
TNY286P | 4288 | 힘 | 16+ | DIP-7 |
TNY286PG | 6916 | 힘 | 13+ | DIP-7 |
TOP221PN | 7484 | 힘 | 16+ | DIP-7 |
TOP223PN | 8120 | 힘 | 13+ | DIP-7 |
TOP242PN | 7768 | 힘 | 16+ | DIP-7 |
TOP243PN | 20284 | 힘 | 13+ | DIP-7 |
TOP254PN | 17920 | 힘 | 13+ | DIP-7 |
STR-A6252M | 17692 | SANKEN | 08+ | DIP-7 |
R36MF2 | 17352 | 전문가 | 16+ | DIP-7 |
S26MD02 | 5708 | 전문가 | 16+ | DIP-7 |
TDA12165PS/N3/3 | 710 | 14+ | DIP-64 | |
TDA9386PS/N2/3I0956 | 1007 | 필립 | 03+ | DIP-64 |
TIL111 | 13136 | 페어 차일드 | 15+ | DIP-6 |
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