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2N5486 파워 모스펫 트랜지스터 엔-채널 rf 증폭기 엔-채널 접합형 전기 분해 효과 트랜지스터

제조 업체:
제조업자
기술:
RF Mosfet 15 V 4 마 400MHz TO-92-3
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiate
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
Drain-Gate Voltage:
25 V
Gate-Source Voltage:
- 25 V
순방향 게이트 전류:
10 마
Operating and Storage Junction Temperature:
-55 to +150 °C
Total Device Dissipation:
350 mW
Thermal Resistance, Junction to Ambient:
357 °C/W
하이라이트:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

도입

2N5484 MMBF5484

2N5485 MMBF5485

2N5486 MMBF5486

엔-채널 rf 증폭기

이 장치는 저항 아날로그 전환에 낮은 것과 같이 전자적 교환 응용을 위해 주로 설계됩니다. 절차 50으로부터 근본적입니다.

절대적인 최대 Ratings* TA = 25' C 달리 언급되지 않으면

기호 매개 변수 가치 유닛
성병 임질 드레인 게이트 전압 25
VGS 게이트-소스 전압 -25
IGF 순방향 게이트 전류 10
TJ, 트스트그 작동과 저장 결합 온도 범위 +150에 대한 -55 'C

*These 등급은 어떠한 반도체 디바이스의 내구성이 악화될 수 있는 가치를 제한하고 있습니다.

기록 :

1) 이러한 평가는 150 도 C의 접합 최고온도를 기반으로 합니다.

2) 이것들은 지속 상태 제한입니다. 공장은 펄스용이거나 낮은 듀티 사이클 동작과 연관된 애플리케이션에 협의되어야 합니다.

주식 호가 (뜨거운 매도)

부품 번호. 브랜드 D/C 패키지
TS462CN 4060 거리 09+ DIP-8
TS912AIN 30120 거리 12+ DIP-8
TS912IN 25248 거리 16+ DIP-8
TSM101CN 10808 거리 09+ DIP-8
UC3843AL -D08 T 10760 거리 16+ DIP-8
UC3845BD013TR 10778 거리 14+ DIP-8
TNY178PN 14900 13+ DIP-7
TNY266PN 18692 15+ DIP-7
TNY268PN 7412 15+ DIP-7
TNY274PN 11156 16+ DIP-7
TNY275PN 15406 16+ DIP-7
TNY276PN 6632 14+ DIP-7
TNY277PG 16374 13+ DIP-7
TNY278PG 16352 16+ DIP-7
TNY280PG 20000 14+ DIP-7
TNY284P 3436 16+ DIP-7
TNY285P 3720 14+ DIP-7
TNY286P 4288 16+ DIP-7
TNY286PG 6916 13+ DIP-7
TOP221PN 7484 16+ DIP-7
TOP223PN 8120 13+ DIP-7
TOP242PN 7768 16+ DIP-7
TOP243PN 20284 13+ DIP-7
TOP254PN 17920 13+ DIP-7
STR-A6252M 17692 SANKEN 08+ DIP-7
R36MF2 17352 전문가 16+ DIP-7
S26MD02 5708 전문가 16+ DIP-7
TDA12165PS/N3/3 710 14+ DIP-64
TDA9386PS/N2/3I0956 1007 필립 03+ DIP-64
TIL111 13136 페어 차일드 15+ DIP-6

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