FDS6975 파워 모스펫 모듈 듀얼 P - 채널, 파워트렌치티엠 MOSFET
multi emitter transistor
,silicon power transistors
FDS6975 듀얼 P-채널, 논리 레벨, 파워트렌치티엠 MOSFET
일반 설명
이러한 P-채널 논리 레벨 MOSFET은 아직 온-상태 저항을 최소화하기 위해 특히 맞춰진 페어 차일드 반도체의 진보적 파워트렌치 과정을 사용하여 생산되고 뛰어난 접속품질에 대한 낮은 게이트 요금을 유지합니다.
이러한 장치는 노트북 컴퓨터 응용에 잘 적합합니다 : 부하 개폐와 전원관리와 배터리 충전회로와 DC / 직류변환기.
특징
VGS = -10 V에 있는 한 오우 -6, -30 V. RDS(ON) = 0.032 W,
VGS = -4.5 V에 있는 = 0.045 W (의) RDS.
오우 낮은 게이트 요금 (전형적인 14.5nC).
극단적으로 낮은 RDS(ON)를 위한 오우 고성능 트렌치 기술.
오우 고전력과 전류 핸들링 능력.
절대 최대 정격 TA = 25C 달리 언급되지 않으면
기호 | 매개 변수 | 평가 | 유닛 |
---|---|---|---|
VDS | 드레인-소스 전압 | -30 | V |
VGSS | 게이트-소스 전압 | ±20 | V |
ID |
드레인전류 - 연속적입니다 (1a를 주목하세요) - 펄스가 발생됩니다 |
-6 | A |
-20 | |||
PD | 이중화 운용을 위한 전력 소모 | 2 | W |
단일 조작 (기록 1a)를 위한 전력 소모 (1b를 주목하세요) (1c를 주목하세요) |
1.6 | ||
1 | |||
0.9 | |||
TJ, TSTG | 작동과 보존온도범위 | -55 내지 150 | 'C |
열특성
RθJA | 열 저항, 접속 대 주위 (기록 1a) | 78 | 'C/W |
RθJC | 열 저항, 접합부 대 케이스 (주기 1) | 40 | 'C/W |
기록 :
1. RθJA는 경우 열 참조가 드레인 핀의 땜납 장착 표면으로 규정되는 그 접합부 대 케이스 케이스와 주위 온도 간 열 저항의 금액입니다. RθCA가 사용자의 보드 디자인에 의해 결정되는 동안 RθJC는 디자인에 의해 보증됩니다.
2. 펄스 시험 : 펄스폭 ≤ 300us, 듀티 싸이클 ≤ 2.0%.
주식 호가 (뜨거운 매도)
부품 번호. | 양 | 브랜드 | D/C | 패키지 |
IRF3707PBF | 6217 | IR | 11+ | TO-220 |
IRF5210PBF | 2546 | IR | 15+ | TO-220 |
IRF5800TRPBF | 54000 | IR | 16+ | TSOP-6 |
IRF6218PBF | 8426 | IR | 06+ | TO-220AB |
IRF640NPBF | 5610 | IR | 15+ | TO-220 |
IRF640NSTRLPBF | 4905 | IR | 16+ | TO-263 |
IRF6638TRPBF | 4492 | IR | 13+ | SMD |
IRF7303TRPBF | 15463 | IR | 14+ | SOP-8 |
IRF7328TRPBF | 6288 | IR | 13+ | SOP-8 |
IRF740B | 49000 | FSC | 16+ | TO-220 |
IRF740PBF | 11487 | IR | 16+ | TO-220 |
IRF7416TRPBF | 23190 | IR | 16+ | SOP-8 |
IRF7494TRPBF | 9525 | IR | 14+ | SOP-8 |
IRF7907TRPBF | 12836 | IR | 13+ | SOP-8 |
IRF8010PBF | 17656 | IR | 16+ | TO-220 |
IRF840PBF | 14327 | 비샤이 | 16+ | TO-220 |
IRF8788TRPBF | 21214 | IR | 12+ | SOP-8 |
IRF9530NPBF | 5539 | IR | 16+ | TO-220 |
IRF9620PBF | 3435 | 비샤이 | 13+ | TO-220 |
IRF9Z24N | 9496 | IR | 16+ | TO-220 |
IRFB3004PBF | 8497 | IR | 09+ | TO-220 |
IRFB31N20D | 6973 | IR | 14+ | TO-220 |
IRFB3207ZPBF | 16234 | IR | 15+ | TO-220 |
IRFB3306PBF | 7959 | IR | 13+ | TO-220 |
IRFB4227PBF | 14319 | IR | 16+ | TO-220 |
IRFB4310PBF | 7645 | IR | 16+ | TO-220 |
IRFB4332PBF | 5199 | IR | 16+ | TO-220 |
IRFB4332PBF | 4735 | IR | 16+ | TO-220 |
IRFB52N15DPBF | 7716 | IR | 15+ | TO-220 |
IRFI4019HG-117P | 4847 | IR | 14+ | TO-220-5 |

0402 0.063W 10kOhm SMT 후막 칩 저항기 RC0402JR-0710KL

200MHz 전원 라인 TDK SMD0603을 위한 MPZ1608S300ATAH0 칩 비즈 5A

22R 5% SMD0402 필름 칩 저항기 ERJ-2GEJ220X 파나소닉

MOV-20D751K 750V 6.5kA 바리스터 푸른 SMD 칩 저항기 1 회로 관통 홀은 20 밀리미터를 디스크로 만듭니다

2SB1261-tp 10W 다용도의 정류 다이오드 실리콘 에피타키샤르프레나 PNP 트랜지스터

IXFK140N30P 극 파워 모스펫 하이퍼페트 TO264 300V 140A

DF2B29FU,H3F 텔레비전 24VWM 47V ESD 보호 다이오드

PMEG6010ER 1A 낮은 VF 엄청나게 큰 쇼트키 접합 정류기 SOD123

SK34SMA 3A SMD 쇼트키 접합 정류 다이오드는 - 214AC을 합니다

SMBJ5.0A 실리콘 애벌런치 다이오드 600W 표면 부착 전압 억제 다이오드
이미지 | 부분 # | 기술 | |
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![]() |
0402 0.063W 10kOhm SMT 후막 칩 저항기 RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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![]() |
200MHz 전원 라인 TDK SMD0603을 위한 MPZ1608S300ATAH0 칩 비즈 5A |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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![]() |
22R 5% SMD0402 필름 칩 저항기 ERJ-2GEJ220X 파나소닉 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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MOV-20D751K 750V 6.5kA 바리스터 푸른 SMD 칩 저항기 1 회로 관통 홀은 20 밀리미터를 디스크로 만듭니다 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
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![]() |
2SB1261-tp 10W 다용도의 정류 다이오드 실리콘 에피타키샤르프레나 PNP 트랜지스터 |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P 극 파워 모스펫 하이퍼페트 TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FU,H3F 텔레비전 24VWM 47V ESD 보호 다이오드 |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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PMEG6010ER 1A 낮은 VF 엄청나게 큰 쇼트키 접합 정류기 SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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SK34SMA 3A SMD 쇼트키 접합 정류 다이오드는 - 214AC을 합니다 |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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![]() |
SMBJ5.0A 실리콘 애벌런치 다이오드 600W 표면 부착 전압 억제 다이오드 |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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