BTA08-600BW3G 파워 모스펫 트랜지스터 8A 트라이액 완충기가 없는 트라이액
multi emitter transistor
,silicon power transistors
BTA/BTB08과 T8 시리즈
SNUBBERLESSTM, 논리 레벨 & 기준
8A 트라이액
주요 특징 :
기호 | 가치 | 유닛 |
---|---|---|
그것 (RMS) | 8 | A |
VDRM / VRRM | 600과 800 | V |
IGT (Q1) | 5 내지 50 | 마 |
기술
또한 통공 또는 서피스-마운트 패키지에 이용할 수 있게, BTA/BTB08과 T8 트라이액 시리즈는 다용도의 AC 스위칭에 적합합니다. 그들은 정지 계전기, 가열 규제, 유도 전동기 기동 회로와 같은 적용에서... 또는 조광기, 전동기 속도 제어 장치들에서 위상 제어 작동을 위한 ON / Off 기능으로서 사용될 수 있습니다,...
완충기가 없는 버전 (BTA / BTB... W와 T8 시리즈)은 특별히 그들의 높은 교환 성능의 덕택으로, 유도성 부하에서 사용하기 위해 권고됩니다. 내부 세라믹 패드를 이용하여, BTA 시리즈는 유엘 표준 (파일 레프에 따라 (2500V RMS로 평가된) 전압 격리된 탭을 제공합니다. 다음 E81734)
절대 최대 정격
기호 | 매개 변수 | 가치 | 유닛 | ||
---|---|---|---|---|---|
그것 (RMS) | RMS 온 상태 전류 (가득 찬 정현파) |
DPAK / D2 PAK IPAK / TO-220AB |
Tc = 110' C | 8 | A |
TO-220AB Ins. | Tc = 100' C | ||||
ITSM | 비 반복성 상승 절정 온전류 (전주기, 트제이 초기 = 25' C) | F = 50 Hz | t = 20 부인 | 80 | A |
F = 60 Hz | t = 16.7 부인 | 84 | |||
나 2 T | 퓨징의 I2 T 가치 | tp = 10 부인 | 36 | A2 S | |
dI/dt |
동작전류 상승률 IG = 2 X IGT, tr ≤ 100 나노 초 |
F = 120 Hz | Tj = 125' C | 50 | A/us |
IGM | 최대 게이트 전류 | tp = 20 우리 | Tj = 125' C | 4 | A |
pg(AV) | 평균 게이트 전원 산재 | Tj = 125' C | 1 | W | |
트스트그 트제이 |
저장 결합 온도 범위 작동 접합부 온도 범위 |
- 40 내지 + 150 - 40 내지 + 125 |
'C |
주식 호가 (뜨거운 매도)
부품 번호. | 양 | 브랜드 | D/C | 패키지 |
LTC4357CMS8 | 1042 | LT | 16+ | MSOP8 |
MSP430F149IPMR | 848 | TI | 14+ | QFP |
PE-65351 | 654 | 펄스 | 14+ | DIP6 |
SIM900 | 760 | SIM | 14+ | NA |
TEA1523P | 866 | 필립 | 16+ | DIP8 |
AT24C512C-SSHD | 972 | 에서 | 16+ | SOP8 |
ADG5433BRUZ | 1078 | ADI | 13+ | TSSOP |
740L6001 | 1184 | 페어 차일드 | 15+ | DIPSOP6 |
EM2860 | 1290 | EMPIA | 16+ | QFP |
TDA7386 | 1396 | 거리 | 16+ | 지퍼 |
M48Z35-70PC1 | 1502 | 거리 | 14+ | 하락 |
C8051F320 -GQR | 1608 | 실리콘 | 14+ | QFP |
PIC16C622A-04I/P | 1714 | 마이크로칩 | 14+ | 하락 |
MX29GL128ELT2I-90G | 1820 | MXIC | 16+ | TSOP-56 |
BTS621L1 | 1926 | 16+ | TO-263 | |
HCNW2611 | 2032 | AVAGO | 13+ | SOP-8 |
STM32F103C8T6 | 2138 | 거리 | 15+ | LQPF48 |
LT3756EMSE-2#PBF | 2244 | LT | 16+ | MSOP-16 |
BD82QM67/SLJ4M | 2350 | 인텔 | 16+ | BGA |
A3977SEDTR | 2456 | 알레그로 | 14+ | PLCC44 |
RHRG30120 | 2562 | FSC | 14+ | TO-3P |
FT232RL | 2668 | FTDI | 14+ | SSOP28 |
L6228D | 2774 | 거리 | 16+ | SOP24 |
LPC2136 | 2880 | 16+ | LQFP64 | |
1N4937 | 2986 | ON | 13+ | DO-41 |
5KP24A | 3092 | 비샤이 | 15+ | R-6 |
74C922N | 3198 | FSC | 16+ | 하락 |
IRF1404PBF | 3304 | IR | 16+ | TO-220 |
M41T94MQ6 | 3410 | 거리 | 14+ | SOP-16 |
OP275G | 3516 | AD | 14+ | DIP-8 |
0402 0.063W 10kOhm SMT 후막 칩 저항기 RC0402JR-0710KL
200MHz 전원 라인 TDK SMD0603을 위한 MPZ1608S300ATAH0 칩 비즈 5A
22R 5% SMD0402 필름 칩 저항기 ERJ-2GEJ220X 파나소닉
MOV-20D751K 750V 6.5kA 바리스터 푸른 SMD 칩 저항기 1 회로 관통 홀은 20 밀리미터를 디스크로 만듭니다
2SB1261-tp 10W 다용도의 정류 다이오드 실리콘 에피타키샤르프레나 PNP 트랜지스터
IXFK140N30P 극 파워 모스펫 하이퍼페트 TO264 300V 140A
DF2B29FU,H3F 텔레비전 24VWM 47V ESD 보호 다이오드
PMEG6010ER 1A 낮은 VF 엄청나게 큰 쇼트키 접합 정류기 SOD123
SK34SMA 3A SMD 쇼트키 접합 정류 다이오드는 - 214AC을 합니다
SMBJ5.0A 실리콘 애벌런치 다이오드 600W 표면 부착 전압 억제 다이오드
이미지 | 부분 # | 기술 | |
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0402 0.063W 10kOhm SMT 후막 칩 저항기 RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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200MHz 전원 라인 TDK SMD0603을 위한 MPZ1608S300ATAH0 칩 비즈 5A |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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22R 5% SMD0402 필름 칩 저항기 ERJ-2GEJ220X 파나소닉 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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MOV-20D751K 750V 6.5kA 바리스터 푸른 SMD 칩 저항기 1 회로 관통 홀은 20 밀리미터를 디스크로 만듭니다 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
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2SB1261-tp 10W 다용도의 정류 다이오드 실리콘 에피타키샤르프레나 PNP 트랜지스터 |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P 극 파워 모스펫 하이퍼페트 TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FU,H3F 텔레비전 24VWM 47V ESD 보호 다이오드 |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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PMEG6010ER 1A 낮은 VF 엄청나게 큰 쇼트키 접합 정류기 SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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SK34SMA 3A SMD 쇼트키 접합 정류 다이오드는 - 214AC을 합니다 |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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SMBJ5.0A 실리콘 애벌런치 다이오드 600W 표면 부착 전압 억제 다이오드 |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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