실리콘 PNP 에피타키샤르프레나 오디오 전력 모스펫 2SB1560, 안테르웰
제조 업체:
제조업자
기술:
Bipolar (BJT) Transistor PNP - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 50MHz 100 W Through Hole TO-3P
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiation
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
Package:
TO-3PN
Applications:
Audio ,regulator and general purpose
하이라이트:
npn smd transistor
,multi emitter transistor
도입
실리콘 PNP 에피타키샤르프레나 오디오 전력 모스펫 2SB1560, 안테르웰
달링턴 2SB1560
실리콘 PNP 표면 성장 평면형 삼극 소자는 (2SD2390을 타이핑하기 위해 보충합니다)
| 핀 | 기술 |
| 1 | 토대 |
| 2 | Collector;connected to mounting base |
| 3 | 방출기 |
| 기호 | 매개 변수 | 상태 | 가치 | 유닛 |
| VCBO | 컬렉터베이스 전압 | 개방 방사체 | -160 | Ｖ |
| VCEO | 컬렉터-이미터 전압 | 개방형 베이스 | -150 | Ｖ |
| VEBO | 이미터 베이스 전압 | 개방 컬렉터 | -5 | Ｖ |
| IC | 컬렉터전류 | -10 | A | |
| IB | 베이스 전류 | 1 | A | |
| PC | 컬렉터 전력 손실 | TC=25C | 100 | Ｗ |
| 트제이 | 접합 온도 | 150 | Ｃ | |
| 트스트그 | 저장 온도 | -55~150 | Ｃ |
| 기호 | 매개 변수 | 상태 | 민 | TYP. | 맥스 | 유닛 |
| V(BR)CEO | 컬렉터-에미터 항복전압 | IC=-30mA ;IB=0 | -150 | Ｖ | ||
| 프시스트 | 콜렉터-에미터 포화전압 | IC=-7A ;IB=-7mA | -2.5 | Ｖ | ||
| 프베스아트 | 베이스-에미터 포화 전압 | IC=-7A ;IB=-7mA | -3.0 | Ｖ | ||
| ICBO | 컬렉터 차단 전류 | VCB=-160V ; IE=0 | -100 | μA | ||
| IEBO | 이미터 차단 전류 | VEB=-5V ; IC=0 | -100 | μA | ||
| 하페 | 직류 전류 이득 | IC=-7A ; VCE=-4V | 5000 | |||
| Cob | 출력 커패시턴스 | IE=0 ; VCB=10V ;f=1MHz | 230 | pF | ||
| fT | 전이 주파수 | IC=-2A ; VCE=-12V | 50 | 마하즈 | ||
| 교대 시간 | ||||||
| 톤 | 턴온 시간 |
IC=-7A ;RL=10Ω |
0.8 | μs | ||
| ts | 저장 시간 | 3.0 | μs | |||
| 트프 | 강하 시간 | 1.2 | μs | |||
| 오우 | Ｐ | Ｙ |
| 5000-12000 | 6500-20000 | 15000-30000 |
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