새롭게 & 원형 실리콘 NPN 달링턴은 트랜지스터 2SD2390을 강화합니다
제조 업체:
제조업자
기술:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 55MHz 100 W Through Hole TO-3P
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiate
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
컬렉터베이스 전압:
160v
Collector-emitter voltage:
150V
이미터 베이스 전압:
5V
컬렉터전류:
10A
Base current:
1A
컬렉터 전력 손실:
100W
Junction temperature:
150 ℃
Storage temperature:
-55~150 ℃
하이라이트:
npn smd transistor
,silicon power transistors
도입
실리콘 NPN 달링톤 파워 트랜지스터 2SD2390
기술
·With TO-3PN 패키지
·Complement가 2SB1560을 타이핑합니다
·High 직류 전류 이득
애플리케이션
규제 기관과 범용인 ·Audio
피닝
| 핀 | 기술 |
| 1 | 토대 |
| 2 |
수집기 ;에게 연결됩니다 장착 기반 |
| 3 | 방출기 |
그렇지 않았다면 상세화되지 않는다면 특성 Tj=25C
| 기호 | 매개 변수 | 상태 | 민 | TYP. | 맥스 | 유닛 |
| V(BR)CEO | 컬렉터-에미터 항복전압 | IC=30mA ;IB=0 | 150 | Ｖ | ||
| 프시스트 | 콜렉터-에미터 포화전압 | IC=7A ;IB=7mA | 2.5 | Ｖ | ||
| 프베스아트 | 베이스-에미터 포화 전압 | IC=7A ;IB=7mA | 3.0 | Ｖ | ||
| ICBO | 컬렉터 차단 전류 | VCB=160V IE=0 | 100 | μA | ||
| IEBO | 이미터 차단 전류 | VEB=5V ; IC=0 | 100 | μA | ||
| 하페 | 직류 전류 이득 | IC=7A ; VCE=4V | 5000 | |||
| Cob | 출력 커패시턴스 | IE=0 ; VCB=10V ;f=1MHz | 95 | pF | ||
| fT | 전이 주파수 | IC=2A ; VCE=12V | 55 | 마하즈 | ||
| 교대 시간 | ||||||
| 톤 | 턴온 시간 |
IC=7A ;RL=10Ω IB1=- IB2=7mA VCC=70V |
0.5 | μs | ||
| ts | 저장 시간 | 10.0 | μs | |||
| 트프 | 강하 시간 | 1.1 | μs | |||
하페 분류
| 오우 | Ｐ | Ｙ |
| 5000-12000 | 6500-20000 | 15000-30000 |
패키지 아웃라인
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MOQ:
20pcs