NPN 에피택셜 실리콘 트랜지스터 파워 모스펫 트랜지스터 2SC5200
제조 업체:
제조업자
기술:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-264
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiate
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
Collector-Base Voltage:
230 V
Collector-Emitter Voltage:
230 V
Emitter-Base Voltage:
5 V
Collector Current(DC):
15 A
베이스 전류:
1.5 A
Junction and Storage Temperature:
- 50 ~ +150 °C
하이라이트:
npn smd transistor
,multi emitter transistor
도입
2SC5200/FJL4315
NPN 에피택셜 실리콘 트랜지스터
애플리케이션
오우 고-충실도 음향 출력 증폭기
오우 다용도읜 전력 증폭기
특징
오우고 전류 역량 : IC = 15A.
오우 고전력 산재 : 150 와트.
오우 고주파 : 30MHz.
오우 고전압 : VCEO=230V
믿을 수 있는 오퍼레이션을 위한 오우 넓은 S.O.A.
낮은 THD를 위한 오우 우수한 게인 선형성.
2SA1943/FJL4215에 대한 오우 보충물.
오우 열식과 전기적 스파이스 모델들은 이용 가능합니다.
오우 똑같은 트랜지스터는 안에 또한 이용 가능합니다 :
-- TO3P 패키지, 2SC5242/FJA4313 : 130 와트
-- TO220 패키지, FJP5200 : 80 와트
-- TO220F 패키지, FJPF5200 : 50 와트
절대적인 최대 Ratings* Ta = 25' Ｃ 달리 언급되지 않으면
| 기호 | 매개 변수 | 평가 | 유닛 |
| BVCBO | 컬렉터베이스 전압 | 230 | Ｖ |
| BVCEO | 컬렉터-이미터 전압 | 230 | Ｖ |
| BVEBO | 이미터 베이스 전압 | 5 | Ｖ |
| IC | 수집기 경향(DC) | 15 | A |
| IB | 베이스 전류 | 1.5 | A |
| PD |
전체 소자 산재 (TC=25' Ｃ) 25' Ｃ를 위쪽에 낮추세요 |
150 1.04 |
Ｗ W/' Ｃ |
| TJ, TSTG | 결합과 저장 온도 | - 50 ~ +150 | 'Ｃ |
* 이러한 등급은 어떠한 반도체 디바이스의 내구성이 악화될 수 있는 제한치입니다.
열식 Characteristics* Ta=25' Ｃ 달리 언급되지 않으면
| 기호 | 매개 변수 | 맥스 | 유닛 |
| RθJC | 열 저항, 경우에 대한 결합 | 0.83 | 'C/W |
* 장치는 최소 패드 크기에 장착했습니다
하페 분류
| 분류 | Ｒ | 오우 |
| hFE1 | 55 ~ 110 | 80 ~ 160 |
전형적인 특성
패키지 치수
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MOQ:
20pcs