실리콘 PNP 파워 트랜지스터 (전력 증폭기 응용) 2SA1943
제조 업체:
제조업자
기술:
양극(BJT) 트랜지스터 PNP 230V 15A 30MHz 150W 스루홀 TO-3P(L)
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiate
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
컬렉터베이스 전압:
-230 Ｖ
Collector-emitter voltage:
-230 V
이미터 베이스 전압:
-5 Ｖ
Collector current:
-15 A
Base current:
-1.5 A
Collector power dissipation:
150 W
Junction temperature:
150℃
Storage temperature:
-55~150 ℃
하이라이트:
npn smd transistor
,silicon power transistors
도입
실리콘 PNP 파워 트랜지스터 2SA1943
기술
·With TO-3PL 패키지
·Complement가 2SC5200을 타이핑합니다
애플리케이션
·Power 증폭기 출원
100W 고충실도를 위한 ·Recommended
가청 주파 증폭기 출력 스테이지
피닝
| 핀 | 기술 |
| 1 | 방출기 |
| 2 |
수집기 ;에게 연결됩니다 장착 기반 |
| 3 | 토대 |
그렇지 않았다면 상세화되지 않는다면 특성 Tj=25C
| 기호 | 매개 변수 | 상태 | 민 | TYP. | 맥스 | 유닛 |
| V(BR)CEO | 컬렉터-에미터 항복전압 | IC=-50mA ;IB=0 | -230 | Ｖ | ||
| 프시스트 | 콜렉터-에미터 포화전압 | IC=-8A IB=-0.8A | -3.0 | Ｖ | ||
| VBE | 베이스-에미터 전압 | IC=-7A ; VCE=-5V | -1.5 | Ｖ | ||
| ICBO | 컬렉터 차단 전류 | VCB=-230V ; IE=0 | -5 | μA | ||
| IEBO | 이미터 차단 전류 | VEB=-5V ; IC=0 | -5 | μA | ||
| hFE-1 | 직류 전류 이득 | IC=-1A ; VCE=-5V | 55 | 160 | ||
| hFE-2 | 직류 전류 이득 | IC=-7A ; VCE=-5V | 35 | |||
| fT | 전이 주파수 | IC=-1A ; VCE=-5V | 30 | 마하즈 | ||
| COB | 출력된 컬렉터 전기 용량 | f=1MHz ;VCB=-10V | 360 | pF |
hFE-1 분류
| Ｒ | 오우 |
| 55-110 | 80-160 |
패키지 아웃라인
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20pcs