표면 부착 시-에피텍시얼 플랜아르트랜지스터스 BCP53
제조 업체:
제조업자
기술:
양극(BJT) 트랜지스터 PNP 80V 1.2A 1.5W 표면 실장 SOT-223-4
범주:
플래쉬 메모리 IC 칩
가격:
negotiation
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
Power dissipation – Verlustleistung:
1.3 W
컬렉터전류 - 콜렉터스트롬 (DC):
1 A
최대 컬렉터전류 - 콜.-스피츠엔스트롬:
1.5 A
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom:
200 mA
접합 온도 - 스페스키히트템페라투르:
150?Ｃ
Storage temperature – Lagerungstemperatur:
- 65…+ 150℃
하이라이트:
npn smd transistor
,multi emitter transistor
도입
전력 소모 - 버루스틀레이스퉁 1.3 Ｗ
플라스틱 케이스 SOT-223
쿤스트스트오프지하우스
대략적인 중량. - 게위치트 ca. 0.04 Ｇ
플라스틱 물질은 UL 분류 94V-0을 가지고 있습니다
게하우세머티리얼 UL94V-0 클라스시피스에트
녹음되고 끌어당긴 표준 패키징
표준 리페르폼 게구르테 auf 롤
최대 정격 (TA = 25?C) 그렌츠베르트 (TA = 25?C)
| BCP 51 | BCP 52 | BCP 53 | ||
| 컬렉터 이미터 전압 비는 열립니다 | - VCE0 | 45 Ｖ | 60 Ｖ | 80 Ｖ |
| 컬렉터 베이스 전압 Ｅ는 열립니다 | - VCB0 | 45 Ｖ | 60 Ｖ | 100 Ｖ |
| 방출기 베이스 전압 Ｃ는 열립니다 | - VEB0 | 5 Ｖ | ||
| 전력 소모 - 버루스틀레이스퉁 | 피티오트 | 1.3 Ｗ1 ) | ||
| 컬렉터전류 - 콜렉터스트롬 (DC) | - IC | 1 A | ||
| 최대 컬렉터전류 - 콜.-스피츠엔스트롬 | - ICM | 1.5 A | ||
| 최저점 경향 - 바시스-스피츠엔스트롬 | - IBM | 200 마 | ||
| 접합 온도 - 스페스키히트템페라투르 | 트제이 | 150?Ｃ | ||
| 저장 온도 - 라게루스템페라투르 | TS | - 65...+ 150?Ｃ | ||
1 )는 각각 터미널에 3개 mm2 구리 패드로 퍼스컴 이사회에 장착했습니다
몽타주 auf 레이터플라트 mit 3 mm2 쿠프페르벨아그 (로트패드) 제뎀 Anschluß
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