새롭 & 원래 실리콘 PNP 파워 트랜지스터, TO-220C 패키지 2SB861
제조 업체:
제조업자
기술:
Bipolar (BJT) Transistor
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiate
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
Collector-base voltage:
-200 V
Collector-emitter voltage:
-150 V
Emitter-base voltage:
-6 V
Collector current:
-2 A
Collector current-Peak:
-5 A
Junction temperature:
150 ℃
Storage temperature:
-45~150 ℃
패키지:
TO-220C 패키지
하이라이트:
npn smd transistor
,multi emitter transistor
도입
실리콘 PNP 파워 트랜지스터 2SB861
기술
·With TO-220C 패키지
·Complement가 2SD1138을 타이핑합니다
애플리케이션
·Low 주파수 파워 증폭기 컬러 TV 수직 편향 생산
피닝
| 핀 | 기술 |
| 1 | 방출기 |
| 2 |
수집기 ;에게 연결됩니다 장착 기반 |
| 3 | 토대 |
절대 최대 정격 (Ta=25?C)
| 기호 | 매개 변수 | 상태 | 가치 | 유닛 |
| VCBO | 컬렉터베이스 전압 | 개방 방사체 | -200 | Ｖ |
| VCEO | 컬렉터-이미터 전압 | 개방형 베이스 | -150 | Ｖ |
| VEBO | 이미터 베이스 전압 | 개방 컬렉터 | -6 | Ｖ |
| IC | 컬렉터전류 | -2 | A | |
| ICP | 수집기 전류피크 | -5 | A | |
| PC | 컬렉터 전력 손실 | Ta=25?Ｃ | 1.8 | Ｗ |
| TC=25?Ｃ | 30 | |||
| 트제이 | 접합 온도 | 150 | ?Ｃ | |
| 트스트그 | 저장 온도 | -45~150 | ?Ｃ |
패키지 아웃라인
Fig.2 외형치수 (비지시된 허용한도 :±0.10 밀리미터)
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20pcs