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HEXFET 파워 모스펫 실리콘 파워 트랜지스터 IRF3205PBF

제조 업체:
제조업자
기술:
N-Channel 55 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
범주:
전자적 IC 칩
가격:
negotiation
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
연속배수 경향, 10V에 있는 VGS:
110 ?한 ;80 A
Pulsed Drain Current:
390 A
Power Dissipation:
200 W
Linear Derating Factor:
1.3 W/°C
Gate-to-Source Voltage:
± 20 V
Avalanche Current:
62 A
하이라이트:

npn smd transistor

,

silicon power transistors

도입

?

오우 발전적인 프로세스

오우 기술 ? 극저 온 저항 ?

오우 동적 드프 / dt 평가 ?

오우 175' C 작동 온도 ?

오우는 스위칭을 금식시킵니까 ?

오우는 완전히 평가되는 것으로 압도합니까 ?

오우 무연

기술

인터내셔널로부터의 진보적 HEXFET® 파워 모스펫

정류기는 달성하기 위한 처리 기법을 선불하는 것으로 이용합니다

실리콘 면적 당 극단적으로 낮은 온 저항. 이 혜택,

고속 스위칭 속도에 결합되고 울퉁불퉁합니다

HEXFET 파워 모스펫이 잘 알려지는 기기 디자인

를 위해, 디자이너를 제공합니다와 함께 한 극단적으로 효율적이고

폭 넓게 다양한 앱에 사용하기 위한 신뢰 장치.

TO-220 패키지는 모두를 위해 보편적으로 발탁됩니다

파워 손실 레벨에 있는 상업적 산업적 적용

대략 50 와트에. 저열 저항과

TO-220의 낮은 패키지 비용은 그것의 넓은 것 기여합니다

산업을 통한 수락.

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