HEXFET 파워 모스펫 실리콘 파워 트랜지스터 IRF3205PBF
상술
연속배수 경향, 10V에 있는 VGS:
110 ?한 ;80 A
Pulsed Drain Current:
390 A
Power Dissipation:
200 W
Linear Derating Factor:
1.3 W/°C
Gate-to-Source Voltage:
± 20 V
Avalanche Current:
62 A
하이라이트:
npn smd transistor
,silicon power transistors
도입
?
오우 발전적인 프로세스
오우 기술 ? 극저 온 저항 ?
오우 동적 드프 / dt 평가 ?
오우 175' C 작동 온도 ?
오우는 스위칭을 금식시킵니까 ?
오우는 완전히 평가되는 것으로 압도합니까 ?
오우 무연
기술
인터내셔널로부터의 진보적 HEXFET® 파워 모스펫
정류기는 달성하기 위한 처리 기법을 선불하는 것으로 이용합니다
실리콘 면적 당 극단적으로 낮은 온 저항. 이 혜택,
고속 스위칭 속도에 결합되고 울퉁불퉁합니다
HEXFET 파워 모스펫이 잘 알려지는 기기 디자인
를 위해, 디자이너를 제공합니다와 함께 한 극단적으로 효율적이고
폭 넓게 다양한 앱에 사용하기 위한 신뢰 장치.
TO-220 패키지는 모두를 위해 보편적으로 발탁됩니다
파워 손실 레벨에 있는 상업적 산업적 적용
대략 50 와트에. 저열 저항과
TO-220의 낮은 패키지 비용은 그것의 넓은 것 기여합니다
산업을 통한 수락.
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이미지 | 부분 # | 기술 | |
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