BD140 3 핀 트랜지스터 에피타키샤르프레나 PNP 트랜지스터
상술
VCBO:
-100 V
VCEO:
VCEO -80 V
VEBO:
-5 V
IC:
-1.5 A
IB:
-0.5 A
하이라이트:
npn smd transistor
,multi emitter transistor
도입
범용 애플리케이션.
특징
·High 경향. (맥스. : -1.5A)
·DC 전류 이득 : hFE=40Min. @IC=-0.15A
BD139에 대한 ·Complementary.
최대 정격 (Ta=25C)
특성 | 기호 | 평가 | 유닛 |
컬렉터베이스 전압 | VCBO | -100 | V |
컬렉터-이미터 전압 | VCEO | -80 | V |
이미터 베이스 전압 | VEBO | -5 | V |
컬렉터전류 | IC | -1.5 | A |
베이스 전류 | IB | -0.5 | A |
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