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새로운 FGA25N120ANTDTU 파워 모스펫 트랜지스터 & 원래 1200V NPT가 IGBT를 팝니다

제조 업체:
제조업자
기술:
IGBT NPT and Trench 1200 V 50 A 312 W Through Hole TO-3P
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiate
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
Collector-Emitter Voltage:
1200 V
Gate-Emitter Voltage:
± 20 V
Pulsed Collector Current:
90 A
Diode Maximum Forward Current:
150 A
작동 접합 온도:
+150 'C에 대한 -55
Storage Temperature Range:
-55 to +150 °C
하이라이트:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

도입

FGA25N120ANTD/FGA25N120ANTD F109

1200V NPT 트렌치 IGBT

특징

오우 NPT 트렌치 기술, 전류 제한 소자

오우 저포화 전압 : (앉힌) VCE, IC = 25A와 TC = 25' C에 있는 typ = 2.0V

오우 저스위칭 손실 : 에오프, IC = 25A와 TC = 25' C에 있는 typ = 0.96mJ

오우 극단적으로 강화한 쇄도 역량

기술

페어 차일드의 독점적 트렌치 디자인과 진보적 NPT 기술을 사용할 때, 1200V NPT IGBT는 뛰어난 전도성과 접속품질, 높은 쇄도 거침성과 쉬운 병렬 동작을 제공합니다.

이 장치는 유도 가열, 전자 레인지, 기타 등등과 같은 낭랑하거나 부드러운 교환 응용에 잘 적합합니다.

절대 최대 정격

기호 기술 FGA25N120ANTD 유닛
VCES 컬렉터-이미터 전압 1200
VGES 게이트 방사체 전압 ± 20
IC TC = 25' C에 있는 컬렉터전류 50 A
TC = 100' C에 있는 컬렉터전류 25 A
ICM 펄스용 컬렉터전류 (주기 1) 90 A
조건 TC = 100' C에 있는 다이오드 연속적인 순방향 전류 25 A
IFM 다이오드 최대 순방향 전류 150 A
PD TC = 25' C에 있는 최대 파워 분해 312
TC = 100' C에 있는 최대 파워 분해 125
TJ 작동 접합 온도 +150에 대한 -55 'C
트스트그 보존온도범위 +150에 대한 -55 'C
TL

최대 리드 임시. 목적을 납땜질해서,

5 초 동안 경우로부터의 1/8 "

300 'C

기계적인 차원

TO-3PN

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