IRFB31N20DPBF 스드 파워 모스펫 이중 전원 모스펫 파워 모스펫 트랜지스터 ????????HEXFETA® 파워 모스펫
제조 업체:
제조업자
기술:
N채널 200V 31A(Tc) 3.1W(Ta), 200W(Tc) 스루홀 TO-220AB
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiate
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
연속배수 경향, 10V에 있는 VGS:
21 A
펄스용 드레인전류:
124 A
선 감쇄 요소:
1.3 W/' Ｃ
게이트-소오스 전압:
± 30 Ｖ
최대 다이오드 복구 드프 / dt:
2.1 V/ns
하이라이트:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
도입
HEXFET? 파워 모스펫
| VDS | 최대 (의) RDS | ID |
| 200V | 0.082Ω | 31A |
애플리케이션
- ?고주파 직류-직류 변환기 ?
- 무연
혜택
- ?스위칭 로스를 줄이기 위해 고갈되기 위한 낮은 게이트 ?
- 설계를 단순화하기 위한 효과적 코스를 포함하는 완전히 특징 전기 용량이 (1001년을 봅니다) ?
- 완전히 특징 사태 전압과 경향
절대 최대 정격
| 매개 변수 | 맥스. | 유닛 | |
| TC = 25' Ｃ에 있는 ID | 연속배수 경향, 10V에 있는 VGS | 31 | A |
| TC = 100' Ｃ에 있는 ID | 연속배수 경향, 10V에 있는 VGS | 21 | A |
| IDM | Pulsed Drain Current | 124 | A |
| PD @TA = 25' Ｃ | 전력 소모 | 3.1 | Ｗ |
| PD @TC = 25' Ｃ | 전력 소모 | 200 | Ｗ |
| 선 감쇄 요소 | 1.3 | W/' Ｃ | |
| VGS | 게이트-소오스 전압 | ± 30 | Ｖ |
| 드프 / dt | Peak Diode Recovery dv/dt | 2.1 | V/ns |
|
TJ TSTG |
작동 결합과 보존온도범위 |
-55 내지 + 175 | 'Ｃ |
| 10 초 동안, 납땜 온도 | 300 (경우로부터의 1.6mm) | 'Ｃ | |
| 설치 토크, 6-32 또는 M3 스레더블유 | 10 라이브포인 (1.1Nom) |
주식 호가 (뜨거운 매도)
| 부품 번호. | Q'ty | 제조 | D/C | 패키지 |
| MAX1636EAP-T | 6200 | 격언 | 10+ | SSOP |
| MAC8M | 9873 | ON | 10+ | TO-220 |
| MJD117-1G | 8000 | ON | 14+ | TO-263 |
| MAX1683EUK+T | 6350 | 격언 | 16+ | 술고래 |
| L3G4200D | 2729 | 거리 | 15+ | LGA16 |
| PTN78020AAH | 400 | TI | 15+ | 하락 |
| MAX4214EUK+T | 5968 | 격언 | 10+ | 술고래 |
| MX25L12873FM2I-10G | 4500 | MXIC | 15+ | SOP |
| ATTINY10-TSHR | 3000 | 아트멜 | 15+ | SOT23 |
| PTN78060WAD | 980 | TI | 15+ | 하락 |
| PIC18F2520 I / 그렇게 | 4598 | 마이크로칩 | 15+ | SOP |
| MC33269DR2-5.0 | 4554 | ON | 15+ | SOP |
| MCP3421AOT-E / CH | 5302 | 마이크로칩 | 16+ | 술고래 |
| MMBFJ108 | 10000 | 페어 차일드 | 16+ | SOT-23 |
| PIC18F8520 I / PT | 4273 | 마이크로칩 | 14+ | TQFP |
| PIC18F4550 I / PT | 4438 | 마이크로칩 | 14+ | QFP |
| MC68HC908QY4CPE | 3832 | 프리스케일 | 14+ | 하락 |
| ZTX751 | 16060 | ZETEX | 11+ | TO-92 |
| MC9S12C64MFAE | 4732 | 프리스케일 | 14+ | QFP |
| ZTX651 | 29000 | ZETEX | 11+ | TO-92 |
| LTC1650AIS | 2802 | 선형 | 11+ | SOP |
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