STP10NK70ZFP 전기적 ic 파워 모스펫 트랜지스터 엔-채널 젠르-프로텍티드 SuperMESH⑩Power MOSFET
npn smd transistor
,multi emitter transistor
STP10NK70Z STP10NK70ZFP
엔-채널 700V - 0.75Ω - 8.6A TO-220/TO-220FP
제너 보호된 슈퍼메쉬티엠파워 MOSFET
타입 | VDS | RDS (계속) | ID | Pw |
STP10NK70Z STP10NK70ZFP | 700 V 700 V | < 0=""> < 0=""> | 8.6 A 8.6 A | 150 W 35 W |
= 0.75 Ω (의) ■ 전형적 RDS
■ EXTREMELY 높은 것 드프 / dt 역량
■는 ESD 역량을 향상시켰습니다
평가된 ■ 100% 쇄도
■ 게이트전하는 최소로 했습니다
■ 매우 낮은 고유 커패시턴스
■ 매우 좋은 제작 반복성
기술
슈퍼메쉬티엠 시리즈는 ST의 기초가 튼튼하 스트립베이스 파워메쉬티엠 설계의 극단적 최적화를 통하여 획득됩니다. 의미 심장하게 아래 박력 있는 온 저항 뿐 아니라 특별한 주의는 가장 요구가 지나친 응용을 위한 매우 좋은 드프 / dt 역량을 보증하기 위해 잡힙니다. 그와 같은 시리즈는 혁명적 마드메쉬티엠 제품을 포함하는 고전압 MOSFET의 ST 전체 범위를 보강합니다.
애플리케이션
■고 전류, 고속도 스위칭
오프라인 전원 공급기, 어댑터와 PFC에 이상적인 ■
절대 최대 정격
기호 | 매개 변수 | 가치 | 유닛 | |
STP10NK70Z | STP10NK70ZFP | |||
VDS | 드레인-소스 전압 (VGS = 0) | 700 | V | |
VDGR | 드레인 게이트 전압 (RGS = 20 kΩ) | 700 | V | |
VGS | 게이츠 소스 전압 | ± 30 | V | |
ID | TC = 25' C에 있는 (연속적인) 드레인전류 | 8.6 | 8.6 (*) 8.6 (*) | A |
ID | TC = 100' C에 있는 (연속적인) 드레인전류 | 5.4 | 5.4 (*) 5.4 (*) | A |
IDM (오우?) | (펄스용인) 드레인전류 | 34 | 34 (*) | A |
PTOT | TC = 25' C에 있는 전체 산재 | 150 | 35 | W |
감쇄 요소 | 1.20 | 0.28 | W/' C | |
VESD(g-s) | 게이트 소스 ESD(HBM-C=100pF, R=1.5KΩ) | 4000 | KV | |
드프 / dt (1) | 최대 다이오드 복구 전압 기울기 | 4.5 | V/ns | |
비소 | 단열재 내전압 (DC) | - | 2500 | V |
트제이 트스트그 | 작동 접합 온도 저장 온도 | -55 내지 150 -55 내지 150 | 'C 'C |
(오우?) 펄스폭은 안정 동작 영역에 의해 제한했습니다
(1) ISD ≤8.6A, 직경 / dt ≤200A/us, VDD ≤ V(BR)DSS, 트제이 ≤ TJMAX.
단지 최고 온도에 의해 제한된 (*)는 인정했습니다
주식 호가 (뜨거운 매도)
부품 번호. | Q'ty | 제조 | D/C | 패키지 |
MTD1361F | 7506 | SHINDENGE | 10+ | HSOP |
8050HQLT1G | 10000 | ON | 15+ | SOT23 |
L6470HTR | 1299 | 거리 | 14+ | TSSOP |
LM5576MHX | 2483 | NSC | 14+ | TSSOP-20 |
LT3971EMSE-5#PBF | 3866 | LT | 16+ | MSOP |
MOC3063SR2M | 5567 | FSC | 14+ | SOP |
OPA4141AID | 7700 | TI | 12+ | SOP |
PC2SD11NTZAK | 11300 | 전문가 | 13+ | 하락 |
MMBT2907A-7-F | 20000 | 다이오드 | 16+ | SOT-23 |
MCP1700T-3302E/TT | 10000 | 마이크로칩 | 16+ | SOT-23 |
PIC10F202T I / OT | 8950 | 마이크로칩 | 16+ | 술고래 |
LM2936MX-5.0 | 3000 | NSC | 15+ | SOP-8 |
PIC24FJ64GA004 I / PT | 4138 | 마이크로칩 | 15+ | TQFP |
PCF8591T | 13260 | 필립 | 16+ | SOP |
MD1211LG-G | 5830 | SUPERTEX | 16+ | QFN |
NDS332P | 40000 | 페어 차일드 | 16+ | SOT-23 |
NCP1117STAT3G | 10000 | ON | 16+ | SOT-223 |
SAK-XC164CM-16F40FBA | 500 | 13+ | LQFP-64 | |
ZTX1053A | 3980 | ZETEX | 13+ | TO-92S |
M29F200BB-70N6 | 3841 | 거리 | 16+ | TSSOP |
OPA347NA | 7440 | TI | 14+ | SOT23-5 |
0402 0.063W 10kOhm SMT 후막 칩 저항기 RC0402JR-0710KL
200MHz 전원 라인 TDK SMD0603을 위한 MPZ1608S300ATAH0 칩 비즈 5A
22R 5% SMD0402 필름 칩 저항기 ERJ-2GEJ220X 파나소닉
MOV-20D751K 750V 6.5kA 바리스터 푸른 SMD 칩 저항기 1 회로 관통 홀은 20 밀리미터를 디스크로 만듭니다
2SB1261-tp 10W 다용도의 정류 다이오드 실리콘 에피타키샤르프레나 PNP 트랜지스터
IXFK140N30P 극 파워 모스펫 하이퍼페트 TO264 300V 140A
DF2B29FU,H3F 텔레비전 24VWM 47V ESD 보호 다이오드
PMEG6010ER 1A 낮은 VF 엄청나게 큰 쇼트키 접합 정류기 SOD123
SK34SMA 3A SMD 쇼트키 접합 정류 다이오드는 - 214AC을 합니다
SMBJ5.0A 실리콘 애벌런치 다이오드 600W 표면 부착 전압 억제 다이오드
이미지 | 부분 # | 기술 | |
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0402 0.063W 10kOhm SMT 후막 칩 저항기 RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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200MHz 전원 라인 TDK SMD0603을 위한 MPZ1608S300ATAH0 칩 비즈 5A |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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22R 5% SMD0402 필름 칩 저항기 ERJ-2GEJ220X 파나소닉 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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MOV-20D751K 750V 6.5kA 바리스터 푸른 SMD 칩 저항기 1 회로 관통 홀은 20 밀리미터를 디스크로 만듭니다 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
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2SB1261-tp 10W 다용도의 정류 다이오드 실리콘 에피타키샤르프레나 PNP 트랜지스터 |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P 극 파워 모스펫 하이퍼페트 TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FU,H3F 텔레비전 24VWM 47V ESD 보호 다이오드 |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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PMEG6010ER 1A 낮은 VF 엄청나게 큰 쇼트키 접합 정류기 SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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SK34SMA 3A SMD 쇼트키 접합 정류 다이오드는 - 214AC을 합니다 |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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SMBJ5.0A 실리콘 애벌런치 다이오드 600W 표면 부착 전압 억제 다이오드 |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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