STP20NM60FP npn 범용 트랜지스터 파워 모스펫 트랜지스터 엔-채널 마드메쉬?파워 모스펫
npn smd transistor
,multi emitter transistor
STP20NM60-STP20NM60FP-STW20NM60
STB20NM60 - STB20NM60-1
엔-채널 600V - 0.25Ω - 20A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 마드메쉬티엠 MOSFET
일반적 특징
타입 | VDS | RDS (계속) | ID |
STP20NM60 STP20NM60FP STB20NM60 STB20NM60-1 STW20NM60 |
600 V 600 V 600 V 600 V 600 V |
< 0=""> < 0=""> < 0=""> < 0=""> < 0=""> |
20 A 20 A 20 A 20 A 20 A |
= 0.25 Ω (의) ■ 전형적 RDS
■ 높은 것 드프 / dt 앤드 쇄도 CAPABILITIES
시험된 ■ 100% 쇄도
■ 저입력 캐패시턴스와 게이트전하
■ 낮은 게이트 입력 저항
기술
마드메쉬티엠은 다수 유출 공정을 회사의 파워메쉬티엠 수평선상 설계와 연관시키는 새로운 혁명적 MOSFET 기술입니다. 결과물은 우수한 낮은 온 저항, 인상적으로 높은 드프 / dt와 우수한 쇄도 특성을 가지고 있습니다. 회사의 독점적 스트립 기술의 입양은 의미 심장하게 유사한 경쟁의 제품의 그것 보다 더 낫는 전체적 동적 성능을 만듭니다.
애플리케이션
마드메쉬티엠 가족은 매우 시스템 소형화와 더 높은 효율을 허락하여 높은 전압 변환기의 전력 밀도를 증가시키는데 적합합니다.
절대 최대 정격
기호 | 매개 변수 | 가치 | 유닛 | |
TO-220/D2PAK/ I2PAK/TO-247 |
TO-220FP | |||
VDS | 드레인-소스 전압 (VGS = 0) | 600 | V | |
VDGR | 드레인 게이트 전압 (RGS = 20 kΩ) | 600 | V | |
VGS | 게이츠 소스 전압 | ±30 | V | |
ID | TC = 25' C에 있는 (연속적인) 드레인전류 | 20 | 20 (*) | A |
ID | TC = 100' C에 있는 (연속적인) 드레인전류 | 12.6 | 12.6 (*) 12.6 (*) | A |
IDM (오우?) | (펄스용인) 드레인전류 | 80 | 80 (*) | A |
PTOT | TC = 25' C에 있는 전체 산재 | 192 | 45 | W |
감쇄 요소 | 1.2 | 0.36 | W/' C | |
드프 / dt (1) | 최대 다이오드 복구 전압 기울기 | 15 | V/ns | |
비소 | 단열재 윈스스탠드 전압 (DC) | - | 2500 | V |
트스트그 | 저장 온도 | -65 내지 150 | 'C | |
트제이 | 맥스. 작동 접합 온도 | 150 | 'C |
(오우??) 펄스폭은 안정 동작 영역에 의해 제한했습니다
(1) ISD ≤ 20 A, 직경 / dt ≤ 400 A/us, VDD ≤ V(BR)/DSS, 트제이 ≤ TJMAX
단지 최고 온도에 의해 제한된 (*)는 인정했습니다
패키지
내부 계통도
주식 호가 (뜨거운 매도)
부품 번호. | Q'ty | 제조 | D/C | 패키지 |
SAP16NY | 200 | SANKEN | 06+ | TO-3P |
LM393DR2G | 25000 | ON | 15+ | SOP-8 |
LM2931AD2T-5.0R4G | 3000 | ON | 15+ | SOT-263 |
MXL683-AF-R | 3680 | MAXLINEAR | 16+ | QFN |
MPU-9150 | 6050 | INVENSEN | 14+ | QFN |
PIC16F648A-I/P | 5108 | 마이크로칩 | 14+ | 하락 |
LM2936DTX-3.3 | 3608 | NSC | 14+ | SOT-252 |
MSP430G2553IPW28R | 6862 | TI | 16+ | TSSOP |
PIC18F65K90 I / PT | 4323 | 마이크로칩 | 14+ | TQFP |
MCP809T-315I/TT | 5656 | 마이크로칩 | 11+ | SOT-23 |
L6385ED013TR | 3895 | 거리 | 14+ | SOP8 |
LA6358N | 3950 | 산요 | 09+ | SOP-8 |
LM317HVT | 500 | NSC | 14+ | TO-220 |
CY7B933-400JXC | 1046 | 싸이프레스 | 15+ | PLCC |
LNBH24PPR | 1633 | 거리 | 14+ | SSOP-36 |
PCA9538PW | 12240 | 14+ | TSSOP | |
MCP73831T-2DCI/OT | 5584 | 마이크로칩 | 16+ | SOT23-5 |
PTH08T230WAD | 800 | TI | 14+ | 하락 |
LMH0344SQ | 2972 | NSC | 13+ | WQFN-16 |
LMH0002SQ | 1632 | TI | 14+ | QFN |
LM2598SX-ADJ | 3000 | NSC | 15+ | TO-263 |

0402 0.063W 10kOhm SMT 후막 칩 저항기 RC0402JR-0710KL

200MHz 전원 라인 TDK SMD0603을 위한 MPZ1608S300ATAH0 칩 비즈 5A

22R 5% SMD0402 필름 칩 저항기 ERJ-2GEJ220X 파나소닉

MOV-20D751K 750V 6.5kA 바리스터 푸른 SMD 칩 저항기 1 회로 관통 홀은 20 밀리미터를 디스크로 만듭니다

2SB1261-tp 10W 다용도의 정류 다이오드 실리콘 에피타키샤르프레나 PNP 트랜지스터

IXFK140N30P 극 파워 모스펫 하이퍼페트 TO264 300V 140A

DF2B29FU,H3F 텔레비전 24VWM 47V ESD 보호 다이오드

PMEG6010ER 1A 낮은 VF 엄청나게 큰 쇼트키 접합 정류기 SOD123

SK34SMA 3A SMD 쇼트키 접합 정류 다이오드는 - 214AC을 합니다

SMBJ5.0A 실리콘 애벌런치 다이오드 600W 표면 부착 전압 억제 다이오드
이미지 | 부분 # | 기술 | |
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0402 0.063W 10kOhm SMT 후막 칩 저항기 RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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200MHz 전원 라인 TDK SMD0603을 위한 MPZ1608S300ATAH0 칩 비즈 5A |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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22R 5% SMD0402 필름 칩 저항기 ERJ-2GEJ220X 파나소닉 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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MOV-20D751K 750V 6.5kA 바리스터 푸른 SMD 칩 저항기 1 회로 관통 홀은 20 밀리미터를 디스크로 만듭니다 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
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2SB1261-tp 10W 다용도의 정류 다이오드 실리콘 에피타키샤르프레나 PNP 트랜지스터 |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P 극 파워 모스펫 하이퍼페트 TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FU,H3F 텔레비전 24VWM 47V ESD 보호 다이오드 |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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PMEG6010ER 1A 낮은 VF 엄청나게 큰 쇼트키 접합 정류기 SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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SK34SMA 3A SMD 쇼트키 접합 정류 다이오드는 - 214AC을 합니다 |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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SMBJ5.0A 실리콘 애벌런치 다이오드 600W 표면 부착 전압 억제 다이오드 |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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