IRFBC30 이중 전원 모스펫 파워 모스펫 트랜지스터 엔-채널 600V 1.8 오옴TO-220 PowerMESH] II MOSFET
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제조 업체:
제조업자
기술:
N-Channel 600 V 3.6A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiate
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
Drain-source Voltage (VGS = 0):
600 V
Gate-source Voltage:
± 20 V
Drain Current (pulsed):
14 A
Peak Diode Recovery voltage slope:
3 V/ns
Storage Temperature:
-65 to 150 ℃
Max. Operating Junction Temperature:
150 ℃
하이라이트:
npn smd transistor
,multi emitter transistor
도입
IRFBC30
엔 - 채널 600V - 1.8 Ω - 3.6A - TO-220 파워메쉬티엠 ΙΙ MOSFET
| 타입 | VDS | RDS (계속) | ID |
| IRFBC30 | 600 Ｖ | < 2=""> | 3.6 A |
TO-220
= 1.8 Ω (의) ■ 전형적 RDS
■ EXTREMELY 높은 것 드프 / dt 역량
시험된 ■ 100% 쇄도
■ 매우 낮은 고유 커패시턴스
■ 게이트전하는 최소로 했습니다
기술
파워메쉬티엠 ΙΙ은 메쉬 오버레이 TM의 일 세대의 진화입니다 . 교환 속도, 게이트전하와 거침성과 관계가 있는을 위한 선도에 장치를 두는 동안 매우 도입된 설계 정련은 Ron*area 최적의 값을 향상시킵니다.
애플리케이션
■고 전류, 고속도 스위칭
■ SWITH 모드 전원 장치 회로 (SMPS)
장비와 무정전 전원장치와 모터 구동장치를 용접하기 위한 ■ 직류-교류 변환기
절대 최대 정격
| 기호 | 매개 변수 | 가치 | 유닛 |
| VDS | 드레인-소스 전압 (VGS = 0) | 600 | Ｖ |
| VDGR | 배수 게이트 전압 (RGS = 20 kΩ) | 600 | Ｖ |
| VGS | 게이트-소스 전압 | ± 20 | Ｖ |
| ID | Tc = 25 Ｃ에 있는 (연속적인) 드레인전류 | 3.6 | A |
| ID | Tc = 100 Ｃ에 있는 (연속적인) 드레인전류 | 2.3 | A |
| IDM (o) | (펄스용인) 드레인전류 | 14 | A |
| 피티오트 | Tc = 25 Ｃ에 있는 전체 산재 | 75 | Ｗ |
| 감쇄 요소 | 0.6 | W/C | |
| dv/dt(1) | 최대 다이오드 복구 전압 기울기 | 3 | V/ns |
| 트스트그 | 저장 온도 | -65 내지 150 | Ｃ |
| 트제이 | 맥스. 작동 접합 온도 | 150 | Ｃ |
(o) 펄스폭은 안정 동작 영역에 의해 제한했습니다
한 ( 1) ISD ≤3.6, 직경 / dt ≤ 60 A/us, VDD ≤ V(BR)DSS, 트제이 ≤ TJMAX
내부 계통도
TO-220 기계적 데이터
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