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30 W 고전압 전력 모스펫 이중 전원 모스펫인 한 MJF122G 보완 실리콘 전기 DARLICM GROUPONS 5.0, 100 V

제조 업체:
제조업자
기술:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 100 V 5 A 2 W Through Hole TO-220FP
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiation
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
ÎÎ:
100 V
VRRM:
75 V
VR(RMS):
53 V
IFM:
300 mA
IO:
200 mA
하이라이트:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

도입

보완력 달링턴


고립된 패키지 응용 프로그램을 위해

전기적으로 열흡수원 또는 샤시로부터 고립되기 위해 기기의 장착 표면이 요구되는 다목적 증폭기와 교환 응용의 설계를 했습니다.

특징

인기있는 TIP122와 TIP127과 전기적으로 유사한 오우

오우 100 VCEO는 (의심을 둡니다)

오우 5.0 평가된 컬렉터전류

오우 어떤 고립화 세탁기도 요구하지 않았습니다

오우 기약 시스템 비용

오우 높은 직류 전류 이득 - IC = 3 Adc에 있는 2000년 (민)

오우 UL은 서약했고 3500 VRMS 차단에, #E69369를 전송합니다

오우 Pb-프리 패키지는 Available*입니다

열 응답

트랜지스터의 능력을 취급하는 힘에 대한 2 한계가 있습니다 : 평균 접합 온도와 2차 항복. 안정 동작 영역 곡선은 IC - 믿을 수 있는 오퍼레이션동안 지속될 트랜지스터의 VCE 제한을 보여줍니다 ; 즉, 곡선이 나타내는 것보다 트랜지스터는 더 큰 산재를 받지 않아야 합니다.

수치 5의 자료는 TJ(pk) = 150C를 기반으로 합니다 ; TC는 상태에 따라 변하기 쉽습니다. 이차적 손상된 파동 제한은 10% 제공된 TJ(pk)에 대한 듀티 싸이클에 효과적입니다 < 150C="">

주식 리스트


CXA3834M 2531 소니 15+ SOP
NS8002 40000 NSIWAY 16+ SOP
MP8707EN-LF-Z 5854 MP 16+ SOP
MAP3202 3234 MAGNACHIP 16+ SOP
PS20660 -MRZ 200 MITSUBISH 05+ 모듈
PK55GB80 80 SANREX 12+ 모듈
BSM200GD60DLC 368 EUPEC 14+ 모듈
LV8401V-TLM-E 5128 ON 16+ SSOP
2DI150D-050C 991 후지 14+ 모듈
QM50HA-H 300 MITSUBISH 13+ 모듈
XC3S250E-4TQG144C 1968 자일링스 15+ QFP144
CY7C68014A-100AXC 1156 싸이프레스 15+ QFP
LP2985A-10DBVR 4710 TI 15+ SOT-23-5
PB4350 10940 16+ SOT-23
M27C512-70XF1 4087 거리 16+ 하락
QM200DY-H 250 MITSUBISH 12+ 모듈
ATTINY85-20PU 500 아트멜 14+ DIP-8
A50L-0001-0284 100 후지 10+ 모듈
PC357N1TJ00F 10000 전문가 16+ SOP
2MBI150US-120-50 388 후지 14+ 모듈
2MBI75P-140 523 후지 12+ 모듈
LNK364PN 4211 15+ DIP-7
RA30H2127M 200 MITSUBISH 12+ 모듈
CM110YE4-12F 228 MITSUBI 15+ 모듈
MRF321 642 MOT 14+ TO-55s
A3972SB 1000 알레그로 13+ DIP-24
MR4010 6253 SHINDENGE 16+ TO220-7
PMD1000 5000 알레그로 10+ QFP-48
LTC2294IUP 726 LT 15+ QFN

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