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2SC4793(F,M) 3 핀 트랜지스터칩 삼성전자 ICs 칩 인테가르테드 써킷

제조 업체:
제조업자
기술:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 1 A 100MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
범주:
플래쉬 메모리 IC 칩
가격:
Negotiation
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
Temperature Range:
-50°C to +150°C
Payment Term:
T/T, Paypal, Western Union
Voltage:
5v
Current:
1A
Package:
TO-220
Factory Package:
TUBE
하이라이트:

npn smd transistor

,

silicon power transistors

도입
2SC4793 3 핀 트랜지스터칩 삼성전자 ICs 칩 인테가르테드 써킷
토시바 트랜지스터 실리콘 NPN 에피택셜형

주식 리스트 부품

ATMEGA128A-AU 540 아트멜 1602
U209B-MY 25 TFK 914/637
BT136-600E 6000 618
BT137-800E 5000 603
BTA41-800BRG 180 STM 628
SB3100 500 비샤이 16+
BD243C 1000 페어 차일드 L08
78L12 1000 WS 612SB
1.5KE400CA 5000 비샤이 1632
HSMM-A100-S00J1 10000 AVAGO 1542
0805PC392KAT1A 4000 AVX 1632
PS2911 1 -F3 A 500 르네사스 1138
RL0805FR-070R091L 5000 야게오 1630
DS18B20+ 2000 격언 1603
BTA41-800BRG 120 STM 628
IRF740 500 IR 508D
FT231XS-R 150 FTDI 1605
K9F1G08UOD-SCBO 200 삼성 549
B39440-X6764-N201 50 엡손 2874
LM3578AM 500 NSC 중국 증권 감독 관리위원회
MAX489CPD 500 격언 1618
AT89C2051-24PU 500 아트멜 1506

절대 최대 정격 (Tc = 25' C)

컬렉터베이스 전압 VCBO 230 V

컬렉터-이미터 전압 VCEO 230 V

이미터 베이스 전압 VEBO 5 V 컬렉터전류 IC 1 A

베이스 전류 IB 0.1 Ta = 25' C

2.0 컬렉터 전력 손실 Tc = 25' C PC 20 W

접합 온도 트제이 150 'C

보존온도범위 트스트그 -55 내지 150 'C

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