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IRF9540NPBF 3 핀 트랜지스터, 플래시 Ic 집적 회로 칩 전력 MOSFET

제조 업체:
제조업자
기술:
P-Channel 100 V 23A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
범주:
플래쉬 메모리 IC 칩
가격:
Negotiation
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
Temperature Range:
-55°C to +170°C
Payment Term:
T/T, Paypal, Western Union
Voltage:
10V
Current:
43A
Package:
TO-220
Factory Package:
TUBE
하이라이트:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

도입

IRF2807 트랜지스터 플래시 Ic 집적 회로 칩 IC 삼성전자 파워 모스펫

출력 특징 :

L 발전적인 프로세스 기술

L 동적 드프 / dt 평가

L 175' C 작동 온도

L는 스위칭을 금식시킵니다

L P-채널 L는 완전히 평가되는 것으로 압도합니다

키 사양 :

국제적인 정류기로부터의 5세대 헥스페트스는 실리콘 면적마다 낮은 온 저항을 극단적으로 달성하기 위해 고도 처리 기술을 이용합니다.

HEXFET 파워 모스펫이 잘 알려지는 고속 스위칭 속도와 울퉁불퉁한 기기 디자인에 결합된 이 혜택이 폭 넓게 다양한 적용에 사용하기 위해 디자이너에게 극단적으로 효율적이고 믿을 만한 장치를 제공합니다.

TO-220 패키지는 대략 50 와트에 파워 손실 레벨에 모든 상업적 산업적 적용을 위해 보편적으로 발탁됩니다. TO-220의 저열 저항과 낮은 패키지 비용은 산업 전체에 걸쳐 그것의 광역 수용에 기여합니다

절대 최대 정격

TC = 25' C 연속배수 경향에 있는 ID, 10V에 있는 VGS

TC = 100' C 연속배수 경향에 있는 82 ID, 10V 58 A에 있는 VGS

IDM 펄스용 드레인전류 280 중양자를 포함하는 계의 pH에 상당하는술어 @TC = 25' C

파워 산재 230 W 선 감쇄 요소 1.5 W/' C

VGS 게이트-소오스 전압 ± 20 V

IAR 애벌랜치 전류 43 A

귀 반복성 에벌런치 에너지 23 마제이 드프 / dt

최대 다이오드 복구 드프 / dt 5.9 V/ns TJ

결합과 -55 내지 + 175를 운영하기

10 seconds 300 (경우로부터의 1.6mm) 'C 설치 토크, 6-32 또는 M3 스레더블유 10 라이브포인 (1.1Nom)를 위한, TSTG 보존온도범위 납땜 온도

주식 리스트 부품

0603 56PF 16V 0603N560K160CT를 완성하세요 WALSIN 16/04/27 SMD0603
C.I SP3203ECY-L / TR 시펙스 0616 TSSOP-20
C.I AT89S52-24PU 아트멜 1602 DIP-40
DIODO M7 마이크 1625 SMA
DIODO BZX84C15LT1G ON 1630년 SOT-23
MMBD4148-7-F 다이오드 1617년 SOT-23
트랜스 MMBTA42LT1G ON 1635/1D SOT-23
DIODO. BYG20J-E3/TR 비샤이 1632 SMA
트랜스 NDD04N60ZT4G ON 1143년 TO-252
C.I UBA3070T 1333 SOP-8
0402 1UF 6.3V X7R GRM155R70J105KA12D를 완성하세요 무라타 IA6026DP4 SMD0402
0402 47NF 25V X7R GRM155R71E473JA88D를 완성하세요 무라타 IA6026DP4 SMD0402
0402 100NF 16V X7R 55 GRM155R71C104JA88D를 완성하세요 무라타 IA6009DI8 SMD0402
캡 ELETR 470UF 16V RF1C471MTBF35008012 난통    
0805 10UF 6,3V X5R JMK212BJ106KD-T를 완성하세요 TAIYOYUDEN 1609 SMD0805
광학 4N25M FSC 637Q DIP-6
트라이액 BT151-500R 603 TO-220

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