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FCX605TA 20V NPN 실리콘 고전압 달링턴 트랜지스터 범용 MOSFET

제조 업체:
제조업자
기술:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 120 V 1 A 150MHz 1 W Surface Mount SOT-89-3
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiation
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
Collector-Base Voltage:
140V
Emitter-Base Voltage:
10V
Peak Pulse Current:
4A
Storage Temperature Range:
-55 to +150°C
하이라이트:

npn smd transistor

,

silicon power transistors

도입

FCX605TA 20V NPN 실리콘 고전압 달링턴 트랜지스터

설명
이 새로운 NPN DarliCM GROUPon 트랜지스터는 사용자에게 낮은 VCE(sat)와 매우 높은 Hfe를 결합하여 매우 효율적인 성능을 제공하여 120V 작동에서 매우 낮은 온 상태 손실을 제공합니다.따라서 모터, 램프 릴레이 및 솔레노이드를 포함한 다양한 효율적인 구동 기능에 사용할 수 있으며 고출력 전류 스위칭이 필요한 회로에도 도움이 됩니다.

특징

• 낮은 포화 전압
• Hfe 분 2K @ 1A
• IC= 1A 연속
• 플롯 1W가 포함된 SOT89 패키지
• 사양은 Eline 및 SOT223 패키지 아웃라인으로도 제공됩니다.

애플리케이션
• 다양한 주행 기능
- 램프
- 모터
- 릴레이 및 솔레노이드
• 고출력 전류 스위치
절대 최대 등급.

매개변수 상징 제한 NPN 단위
컬렉터 베이스 전압 VCBO 140 V
컬렉터-이미터 전압 VCEO 120 V
이미터-베이스 전압 베보 10 V
피크 펄스 전류 ICM 4
연속 컬렉터 전류 IC 1
TA=25°C에서 전력 손실(a)
선형 경감 계수
피디 1
8

mW/°C

TA=25°C에서 전력 손실(b)

선형 경감 계수

피디 2.8
2.2

mW/°C
작동 및 보관 온도 범위 Tj:Tstg -55 ~ +150 °C


내열성

매개변수 상징 단위
주변에 대한 접합(a) RθJA 125 ℃/주
주변 접합부(b) RθJA 45 ℃/주


 

 

 

 

 

 

 

재고 목록

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MAX1232ESA+ 30000 격언 16세 이상 예규
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MC68000P8 3610 경구 15+ 담그다
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MRF182 6386 모토로라 14세 이상 SMD
MAX17435ETG 6850 격언 14세 이상 QFN
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AME8500AEETAF29Z 1600년 AME 13+ SOT-23
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BT137S-800G 10000 15+ TO220
MR4020 6260 신뎅게 14세 이상 TO220-7
IRFL9110TR 1500 IR 16세 이상 SOT-223
LM317립크 9368 TI 15+ SOT-89
MJE13005 38000 FSC 16세 이상 TO-220
FCX605TA 1950년 제텍스 15+ SOT-89
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BD9778F-E2 5500 로옴 16세 이상 SOP-8
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