0459003.ER 압력 센서 IC 삼성전자 ICs 칩 인테가르테드 써킷
제조 업체:
제조업자
기술:
3 125 Ｖ AC 125 Ｖ DC 퓨즈 보드 마운트 (캇트리지식은 표면 부착 2-smd, 제이리드를 배제했습니다)
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiation
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
온도 범위:
+125' Ｃ에 대한 55' Ｃ
지불조건:
전신환, 페이팔, 웨스턴 유니온
전압:
125V
경향:
2A
패키지:
SMD
공장 패키지:
릴
하이라이트:
electronic pressure sensors
,hall effect sensor ic
도입
0459003 압력 센서 IC 삼성전자 ICs 칩 인테가르테드 써킷
주식 리스트의 부품
| 0603 150PF 50V CL10C151JB8NNNC를 완성하세요 | 800000 | 삼성 | AC7502D |
| 0603 180PF 50V CL10B181KB8NNNC를 완성하세요 | 800000 | 삼성 | AA20SEE |
| RES 0805 5K9 1% RC0805FR-075K9L | 500000 | 야게오 | 1606 |
| RES 0805 20K5 1% RC0805FR-0720K5 | 500000 | 야게오 | 1606 |
| C.I LNK623PG | 10000 | 힘 | 1407 |
| C.I STM32F030K6T6 | 10000 | 거리 | 1549 |
| DIODO ES1J-E3/61T | 180000 | 비샤이 | 1642년 / EJ |
| 0603 10PF 50V NPO 5% CL10C100JB8NNNC를 완성하세요 | 400000 | 삼성 | CCBET1P |
| DIODO 1N5822 탄약 | 1000000 | 마이크 | 307260623445 |
| 트랜스 BF422 | 2000 | TOS | 5F |
| DIODO 1.5KE7.5CA-E3/4 | 5000 | 비샤이 | 16+ |
| 코넥타 s3b-ph-sm4-tb(lf)(sn) | 3200 | JST | 15+ |
| CONEC. BM06B-SRSS-TB(lf)(sn) |
3000 | JST | 15+ |
| 코넥타 s4b-ph-sm4-tb(lf)(sn) | 9200 | JST | 2015.11 |
| C.I A2982SLWTR-T | 3100 | 알레그로 | 1642 |
| OPTOACOPLADOR CNY 74-4H | 1000 | 비샤이 | V413H68 |
| DIODO S1G-E3/61T | 18000 | 비샤이 | 1632년 / SG |
| CI ADS7866IDBVR | 2500 | TI | A66Y |
| CI MSP430F417IPMR | 2500 | TI | 69A2P1W |
| C.I MC14584BDR2G | 3000 | ON | PAC928 |
| C.I PIC12F508 I / SN | 1000 | 마이크로칩 | 1624KC6 |
| C.I LM1117IMPX-3.3/NOPB | 2000 | TI | 4ARD/N05B |
특징
환경 규격 :
작동 온도 : 125' Ｃ에 대한 -55' Ｃ.
충격 : MIL-STD-202, 방법 213, 시험 조건 I
(6 밀리초를 위한 100 Ｇ의 성수기). 진동 : MIL-STD-202, 방법 201
(10-55 Hz,.06에. 전행정). 염수분무 : MIL-STD-202, 방법 101,
시험 조건 비 (48 hrs.). (개시 뒤에) 절연 저항 :
MIL-STD-202, 방법 302, (100 볼트에 최소인 10,000 오옴).
열 충격 : MIL-STD-202, 방법 107, 시험 조건 비 (-65 내지 125' Ｃ).
내습성 : MIL-STD-202, 방법 106, 고습도 (90-98 RH), 열 (65').
물리 사양 : 재료 : 신체 :
몰딩 열가소성 물질 종결 : 100%
주석 도금 구리 (459 시리즈) 100%
주석 도금 구리 (460 시리즈)
납땜성 : MIL-STD-202, 방법 208.
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