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ILD205T 옵토커플러, 포토트랜지스터 출력, 듀얼 채널, SOIC-8 패키지

제조 업체:
제조업자
기술:
Optoisolator Transistor Output 4000Vrms 2 Channel 8-SOIC
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiate
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
MAX Operating Temperature:
+ 100 C
Min Operating Temperature:
- 55 C
packing:
reel
factory packing quantity:
2000
도입

ILD205T 옵토커플러, 포토트랜지스터 출력, 듀얼 채널, SOIC-8 패키지

특징

2개의 채널 결합기

SOIC-8A 표면 탑재 가능 패키지

".05의 표준 리드 간격

단지 테이프와 릴 옵션에 에바일러블 (미국 전자 산업 협의회 규격 481-2에 대한 콘폼스)

고립 시험 전압, 3000 VRMS

이중 파장, 기체상과 IR 리플로우 납땜으로 적합합니다

무연 성분

로에스 2002/95/EC과 WEEE 2002/96/EC에 대한 인가의 성분

기관 승인

오우 UL1577, 아니오 정리되십시요. E52744 시스템 코드 Y

기술

ILD205T/ 206T/ 207T/ 211T/ 213T/ 217T는 광학적으로 갈륨 비소 적외선 엘이디와 결합쌍이고 실리콘 NPN 포토트랜지스터입니다. 입출력 사이에 고도의 전기적분리를 유지하는 동안 직류레벨을 포함하는, 신호 정보는 장치로 전해질 수 있습니다. ILD205T/ 206T/ 207T/ 211T/ 213T/ 217T는 그것을 이상적으로 제한된 공간과 높은 밀도 응용에 적합하게 만드는 표면 장착을 위한 표준 SOIC-8A 스몰 아웃라인 패키지에 들어옵니다. 제거하는 통공 요구 뿐 아니라 이 패키지는 표면 실장 부품에 대한 표준에 따릅니다.

규정된 최소와 최대 CTR는 인접한 회로의 전기설계에서 좁은 허용 오차를 허락합니다. 70 V의 높은 BVCEO는 30 V의 산업 기준과 비교하여 더 높은 안전판을 줍니다

순서 정보

부분 발언
ILD205T CTR 40 - 80 %, SOIC-8
ILD206T CTR 63 - 125 %, SOIC-8
ILD207T CTR 100 - 200 %, SOIC-8
ILD211T CTR > 20 %, SOIC-8
ILD213T CTR > 100 %, SOIC-8
ILD217T CTR > 100 %, SOIC-8

절대 최대 정격

Tamb = 25 'C, 그렇지 않았다면 상세화되지 않는다면 절대 최대 정격을 초과한 스트레스는 장치에 대한 영구적인 손상을 일으킬 수 있습니다. 장치의 기능의 운용은 이 문서 중에 작동 섹션에서 주어진 그것들을 초과하여 이러한 또는 다른 어떤 조건에 의미되지 않습니다. 시간의 확대된 기간 동안 절대 최대 정격에 대한 노출은 반대로 신뢰성에 영향을 미칠 수 있습니다.

입력

매개 변수 시험 조건 기호 가치 유닛
피크 역전압 VR 6.0
최대 펄스성 전류 1.0 우리, 300 펄스/초 1.0 A
채널 당 연속적인 순방향 전류 30
전력 소모 피디스스 50 mW
25 'C로부터 선형으로 낮추세요 0.66 mW/' C

출력

매개 변수 시험 조건 기호 가치 유닛
컬렉터-에미터 항복전압 BVCEO 70
방출기-수집기 항복 전압 BVECO 7.0
채널 당 전력 소모 피디스스 125 mW
25 'C로부터 선형으로 낮추세요 1.67 mW/' C

연결기

매개 변수 시험 조건 기호 가치 유닛
전체 패키지 산재 주변 (2 LED + 2 검출기, 2개 채널) 피티오트 300 mW
25 'C로부터 선형으로 낮추세요 4.0 mW/' C
저장 온도 트스트그 - 55 내지 + 150 'C
작동 온도 대기온도 - 55 내지 + 100 'C
260 'C로부터의 납땜 시간 츠드 10 초.

전기 특성 Tamb = 25 'C, 그렇지 않았다면 상세화되지 않는다면 최저치와 최대값은 시험 요구 사항입니다. 표준치는 기기의 특성이고, 엔지니어링 평가의 결과입니다. 표준치는 단지 정보를 위한 것이고, 시험 요구 사항의 부분이 아닙니다.


뜨거운 판매오퍼!!!

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