DS1230Y-150+ 256k 비휘발성 정적 기억 소자 SS는 램 모듈 IC을 대체합니다
low voltage power mosfet
,hybrid inverter circuit
DS1230Y-150+ 256k 비휘발성 정적 기억 소자 SS는 램 모듈 IC을 대체합니다
특징
외부 전원이 없을 경우 10년 최소 데이터 보유
데이터는 자동적으로 전력 손실 동안 보호받습니다
? 32k Ｘ 8 휘발성인 스태틱 랜돔 어세스 메모리, EEPROM 또는 플래쉬 메모리를 대체합니까 ?
제한 없는 기입 사이클 ?
저전력 CMOS ?
70 나노 초 엑세스 시간을 읽고 작성하세요
? 리튬 에너지 원은 전력이 처음으로 적용될 때까지 신선미를 보유하기 위해 전기적으로 끊어집니까 ?
매우 ±10% VCC 동작 범위 (DS1230Y) ?
옵션널 ±5% VCC 동작 범위 (DS1230AB) ?
IND로 칭하는 -40' Ｃ에서 +85' Ｃ의 선택적 산업용 온드범위 ?
제덱 스탠다드 28 핀 하락 패키지
? 새로운 파워캡 모듈 (PCM) 패키지
- 직접적으로 표면 장착 가능한 모듈
- 치환성 활기
리튬 백업 배터리가 파워캡 -에 공급합니다
- 모든 비휘발성 정적 기억 소자 제품을 위한 표준화된 핀 배치
- 파워캡의 분리 특징은 정규적 스크루 드라이버를 사용하여 용이한 제거를 허락합니다
핀 설명
A0 - A14 - 어드레스 입력
DQ0 - DQ7 - 밖에 / 자료에서 자료
CE - 칩 가능
우리 - 기록 허용
OE - 출력 가능
VCC - 전원 (+5V)
국민 총수요 - 땅
NC - 아니오 연결되세요
기술
DS1230 256k 비휘발성 정적 기억 소자는 262,144개 비트, 8비트까지 32,768마리의 말로 구성된 완전히 정적, 비휘발성 정적 기억 소자입니다.
각각 NV SRAM은 끊임없이 자동 허용 범위 초과 조건에 대해 VCC를 모니터하는 자급 자족할 수 있는 리튬 에너지 원과 제어 회로를 가지고 있습니다.
조건이 발생한다는 것을 그와 같을 때, 리튬 에너지 원은 자동적으로 켜지고, 보호가 데이터 손상을 막을 수 무조건적으로 있게 한다고 씁니다.
DIP-패키지 DS1230 장치는 직접적으로 인기있는 바이트 와이드 28에 따른 32k Ｘ 8 스태틱 rams가 하락 표준을 고정한 다는 존재하는 것 대신에 사용될 수 있습니다.
성능을 강화하는 동안 직접적 치환을 허락하면서, 하락 장치는 또한 28256 EEPROM의 핀 배치와 일치합니다. 저자세 모듈 패키지에서 DS1230 장치는 특히 표면 장착된 앱을 위해 설계됩니다.
실행될 수 있는 기입 사이클의 수의 어떤 한계가 없고 어떤 추가적 지지 회로도 마이크로프로세서 인터페이싱에 필요하지 않습니다.
읽기 모드
WE (기록 허용)이 활동하지 않는 (높)과 CE (칩일 때마다 DS1230 장치는 판독 주기를 실행하고 가능하게 하 )와 OE (생산량 가능하게 하 ) 활동적입니다 (낮은).
15 어드레스 입력 (A0 - A14)에 의해 지정된 고유주소는 자료의 32,768 바이트중에 어느 것이 접근되는 것 인지 규정합니다. 유효 데이터는 지난 어드레스 입력 신호가 CE와 OE (출력 가능)이 엑세스 시간 또한 충족한다고 규정하면서, 안정적인 후에 tACC 이내에 8 데이터 출력 구동기에 이용 가능할 것입니다 (타임즈 지에 접근하세요).
OE와 CE 엑세스 시간이 충족하지 않으면 자료 접근은 (CE 또는 OE) 후발 신호로부터 측정되어야하고 접근을 다루 기보다 제한 파라메터가 또한 CE를 위한 트코 또는 OE를 위한 발가락입니다.
기록 모드
어드레스 입력이 안정적인 후에 WE와 CE 신호가 활동적이 (낮은) 때마다 DS1230 장치는 기입 사이클을 실행합니다. CE 또는 WE의 후발 하강 모서리는 기입 사이클의 시작을 결정할 것입니다.
기입 사이클은 CE 또는 WE의 일찍 상승 에지에 의해 끝납니다 . 모든 어드레스 입력은 기입 사이클 전체에 걸쳐 유효한 채로 유지하여야 합니다.
또 다른 순환이 착수될 수 있기 전에 WE는 최소 회복 시간 (tWR) 동안 하이상태로 돌아가야 합니다. OE 제어신호는 버스 충돌을 피하기 위한 기입 사이클 동안 활동하지 않은 채로 (높은) 유지하여야 합니다.
그러나, 출력 드라이버가 가능해지면 WE가 바란 (CE와 그리고 나서 활동적인) OE는 그것의 하강 모서리로부터 토드더블유의 출력을 무력하게 합니다.
| 매개 변수 | 기호 | 민 | TYP | 맥스 | 유닛 | 기록 |
| DS1230AB 전원 전압 | VCC | 4.75 | 5.0 | 5.25 | Ｖ | / |
| DS1230Y 전원 전압 | VCC | 4.5 | 5.0 | 5.5 | Ｖ | |
| 논리 1 | VIH | 2.2 | VCC | Ｖ | ||
| 논리 0 | VIL | 0.0 | 0.8 | Ｖ |
W25N01GVZEIG SLC 낸드 플래시 메모리 IC 3V 1G 비트 윈본드 TW SPI
PF48F4400P0VBQEK 새롭고 원래의 재고
새로운 DSPIC30F3011-30I/PT 플래쉬 메모리 IC과 원종축
새로운 IR2110PBF와 원종축
S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz 플래쉬 메모리 IC 칩
W25Q80DVSNIG 일련의 플래시 칩 3V 8M 비트 듀얼 쿼드 Spi 메모리 IC
MOS 관 전계 효과 단일칩은 PWM 콘트로라도 모듈 IRF520을 운전합니다
485에 대한 알에스 485 방식 모듈 TTL에 대한 MAX485, RS485 모듈 TTL
SKY65336-11 새롭고 원래의 주식
| 이미지 | 부분 # | 기술 | |
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W25N01GVZEIG SLC 낸드 플래시 메모리 IC 3V 1G 비트 윈본드 TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK 새롭고 원래의 재고 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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새로운 DSPIC30F3011-30I/PT 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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새로운 IR2110PBF와 원종축 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz 플래쉬 메모리 IC 칩 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIG 일련의 플래시 칩 3V 8M 비트 듀얼 쿼드 Spi 메모리 IC |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOS 관 전계 효과 단일칩은 PWM 콘트로라도 모듈 IRF520을 운전합니다 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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485에 대한 알에스 485 방식 모듈 TTL에 대한 MAX485, RS485 모듈 TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 새롭고 원래의 주식 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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