보완적 실리콘 파워 트랜지스터 Mosfet 반도체 MJ15025G
제조 업체:
제조업자
기술:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 250 V 16 A 4MHz 250 W Through Hole TO-204 (TO-3)
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiation
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
Feature:
High Safe Operating Area (100% Tested) −2 A @ 80 V
DC Current:
High DC Current Gain − hFE = 15 (Min) @ IC = 8 Adc
Condition:
• Pb−Free
Package:
TO-204
Main Line:
Ic,module,transistor,diodes,capacitor,resistor Etc
Factory Pack:
100pcs/Tray
하이라이트:
low voltage power mosfet
,hybrid inverter circuit
도입
보완적 실리콘 파워 트랜지스터 Mosfet 반도체 MJ15025G
PNP - MJ15023, MJ15025*
실리콘 파워 트랜지스터
MJ15023과 MJ15025는 파워베이스 파워 트랜지스터가 고전력 오디오, 디스크 헤드 포지셔너와 다른 선형 응용의 설계를 했다는 것 입니다.
특징
시험된 오우 높은 것 안정 동작 영역 (100%) -2 한 80 Ｖ에
오우 높은 직류 전류 이득 - IC = 8 Adc에 있는 hFE = 15 (민)
오우 Pb-프리 패키지는 Available*입니다
MJ1502x = 장치 코드
x = 3 또는 5
Ｇ = Pb-프리 패키지
= 조립체 위치
Ｙ = 년
WW = 작업 주
멕시코 = 생산국
명령 정보
| 장치 | 패키지 | 선적 |
| MJ15023 | TO-204 | 100 유닛 / 트레이 |
| MJ15023G |
TO-204 (Pb-프리) |
100 유닛 / 트레이 |
| MJ15025 | TO-204 | 100 유닛 / 트레이 |
| MJ15025G |
TO-204 (Pb-프리) |
100 유닛 / 트레이 |
트랜지스터의 파워핸들링 능력에 대한 2가지 제한이 있습니다 : 평균 접합 온도와 2차 항복. 안정 동작 영역 곡선은 IC - 믿을 수 있는 오퍼레이션동안 지속될 트랜지스터의 VCE 제한을 보여줍니다 ; 즉, 곡선이 나타내는 것보다 트랜지스터는 더 큰 산재를 받지 않아야 합니다.
수치 1의 자료는 TJ(pk) = 200C를 기반으로 합니다 ; TC는 상태에 따라 변하기 쉽습니다. 높은 케이스 온도에, 열 한계는 2차 항복에 의해 부과된 한계 보다 더 덜 가치에 취급될 수 있는 전력을 줄일 것입니다.
전형적인 특성
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MOQ:
5pcs