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IRF3205 파워 모스펫 트랜지스터 범용 모스펫은 다이오드 스드를 이끌었습니다

제조 업체:
제조업자
기술:
N-Channel 55 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
범주:
전자적 IC 칩
가격:
negotiation
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
Junction-to-Case –––:
0.75 °C/W
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface:
0.50 °C/W
Junction-to-Ambient:
62 °C/W
Drain-to-Source Breakdown Voltage:
55 V
Breakdown Voltage Temp. Coefficient:
0.057 V/°C
하이라이트:

led diode za tablice

,

led diode strip

도입

IRF3205 파워 모스펫 트랜지스터 범용 모스펫

발전적인 프로세스

기술 극저 온 저항

동적 드프 / dt 평가 175' C

작동 온도

고속 스위칭

완전히 쇄도 평가된 데스크

기술

국제적인 정류기로부터의 진보적 HEXFET® 파워 모스펫은 실리콘 면적마다 낮은 온 저항을 극단적으로 달성하기 위해 고도 처리 기술을 이용합니다. HEXFET 파워 모스펫이 잘 알려지는 고속 스위칭 속도와 울퉁불퉁한 기기 디자인에 결합된 이 혜택이 폭 넓게 다양한 적용에 사용하기 위해 디자이너에게 극단적으로 효율적이고 믿을 만한 장치를 제공합니다.

TO-220 패키지는 대략 50 와트에 파워 손실 레벨에 모든 상업적 산업적 적용을 위해 보편적으로 발탁됩니다. TO-220의 저열 저항과 낮은 패키지 비용은 산업 전체에 걸쳐 그것의 광역 수용에 기여합니다

주식 리스트

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AT45DB041E-SSHN-T 3000 아트멜 새롭습니다 SOP8
AT45DB161B-TU 3000 아트멜 새롭습니다 TSOP
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