SM6T36CA-E3/52 표면 부착 과도 전압 억제 소자 트렌스일은 ddr3 랩탑을 때려 박습니다
제조 업체:
제조업자
기술:
49.9V Clamp 12A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
범주:
전자적 IC 칩
가격:
negotiation
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
Peak pulse power dissipation (see note 1):
800 W
Power dissipation on infinite heatsink:
5 W
Non repetitive surge peak forward current for unidirectional types:
100 A
Drain-to-Source Breakdown Voltage:
55 V
Storage temperature range Maximum junction temperature:
- 65 to + 175 °C
하이라이트:
led diode za tablice
,led diode strip
도입
SM6T36CA-E3-52 표면 부착 과도 전압 억제 소자 트렌스일은 ddr3 랩탑을 때려 박습니다
특징
■ 피크 펄스 전력 : 600 Ｗ (10/1000us)
■ 항복 전압은 이릅니다 : 6.8V에서부터 220 Ｖ.
■ UNI와 양방향성 타입
■ 낮은 클램핑 요인
■ 빠른 응답 시간
■ UL은 서약했습니다
기술
트랜실 다이오드는 액션을 고정시킴으로써 높은 과전압 보호를 제공합니다. 과도 과전압에 대한 그들의 즉석 응답은 모스 기술과 저전압 공급된 IC과 같은 전압 민감 장치를 보호하는 것에 특히 맞춰진 그들을 만듭니다.
절대 최대 정격 (Tamb = 25' Ｃ)
| 기호 | 매개 변수 | 가치 | 유닛 |
| PPP Ｐ | eak 펄스 출력 산재 (주기 1을 보세요) 트제이 초기이 = 대기온도 | 600 | Ｗ |
| Ｐ | 무한한 열흡수원 위의 전력 소모 Tamb = 50' Ｃ | 5 | Ｗ |
| IFSM | 1방향식을 위한 비 반복성 상승 피크 순방향 전류 | 100 | A |
|
트스트그 트제이 |
보존온도범위 접합 최고온도 |
- 65 내지 + 175 150 |
'Ｃ 'Ｃ |
주식 리스트
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