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RF 트랜스 ADT1-1WT+ 집적 회로 칩 삼성전자 IC 칩

제조 업체:
제조업자
기술:
RF Balun 400kHz ~ 800MHz 75 / 75Ohm 6-SMD, Flat Leads
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiate
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
Operating Temperature:
-20°C to 85°C
Storage Temperature:
-55°C to 100°C
RF Power:
0.5W
DC Current:
30mA
하이라이트:

electronic integrated circuit

,

digital integrated circuits

도입


RF 트랜스 ADT1-1WT+

최대 정격
작동 온도 85' C에 대한 -20' C
저장 온도 100' C에 대한 -55' C
RF 전력 0.5W
DC 경향 30mA

핀 연결
1차 도트 3
일차 1
이차적 도트 6
2차 4
SECONARY CT 2
사용되지 않습니다 5

외형도



특징
오우 우수한 크기 착란, 0.1 dB typ. 그리고 위상 불균형, 1 deg. typ. 1dB 대역폭에
세척할 수 있는 수성인 오우
오우는 미국 특허 6,133,525 하에 보호했습니다

애플리케이션
오우 임피던스 정합
오우 평형형 증폭기

트랜스 전기 규격서


비율






주파수
(MHz)




삽입 LOSS*



3dB 2dB 1dB
마하즈 마하즈 마하즈

단계
착란
(Deg.)
Typ.
1 dB 2 dB 대역폭 대역폭

크기
착란
(dB)
Typ.
1 dB 2 dB 대역폭 대역폭

1 0.4-800 0.4-800 0.5-700 1-400 1 4 0.1 0.5

* 삽입 손실은 미드밴드 손실, 0.3 dB typ에 대한 언급입니다.

전형적 성능 데이터

주파수 INERTION 입력 크기 단계
(MHz) 손실 아르 손실 착란 착란
(dB) (dB) (dB) (Deg.)

0.30 0.68 12.11 0.15 0.25
1.00 0.57 14.38 0.07 0.36
5.00 0.42 15.29 0.03 0.41
10.00 0.38 15.54 0.00 0.40
25.00 0.38 15.73 0.02 0.37
50.00 0.38 15.91 0.03 0.49
200.00 0.48 17.38 0.03 1.48
400.00 0.64 19.64 0.26 2.02
600.00 1.18 15.20 0.79 1.45
800.00 2.44 9.75 1.72 0.40


ADT1-1WT 삽입 손실




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