FDS8858CZ 집적 회로 칩 IC 삼성전자 원형 다이오드 IC 칩
제조 업체:
제조업자
기술:
Mosfet 배열 30V 8.6A, 7.3A 900mW 표면 부착 8-soic
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiation
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
온도 범위:
+150 'Ｃ에 대한 -55' Ｃ
전형적 열 저항:
-7.3A
전압:
-30V
앞으로 과전류:
40-78 'C/w
패키지:
SOP-8
공장 패키지:
릴
하이라이트:
electronic integrated circuit
,digital integrated circuits
도입
FDS8858CZ
듀얼 엔과 P-채널 PowerTrench® MOSFET 엔-채널 : 30V, 8.6A, 17.0mΩ
P-채널 : -30V, -7.3A, 20.5mΩ
특징
Q1 : N-Channel Max rDS(on) = 17mΩ at VGS = 10V, ID = 8.6A
VGS = 4.5V, ID = 7.3A Q2에 있는 맥스 rDS(on) = 20mΩ : P-Channel
Max rDS(on) = 20.5mΩ at VGS = -10V, ID = -7.3A
Max rDS(on) = 34.5mΩ at VGS = -4.5V, ID = -5.6A
넓게 사용된 표면 실장 패키지에서 고전력과 핸딩 능력
고속 스위칭 스피드트
일반 설명
이러한 듀얼 엔과 P-채널 증가 모드 파워 모스펫은 아직 온-상태 저항을 최소화하기 위해 특히 맞춰진 페어 차일드 반도체의 진보적 파워트렌치 과정을 사용하여 생산되고 뛰어난 접속품질을 유지합니다. 이러한 기기는 낮은 인라인 전력 손실과 고속 스위칭이 요구되는 저전압과 배터리 가동 애플리케이션에 잘 적합합니다.
Application
인버터 동기식 벅
절대 최대 정격
TA = 25' Ｃ 달리 언급되지 않으면
| 기호 | 매개 변수 | Q1 | Q2 | 유닛 |
| VDS | 소스 전압에 고갈되세요 | 30 | -30 | Ｖ |
| VGS | 소스 전압에 대한 게이츠 | ±20 | ±25 | Ｖ |
| Id | 드레인전류 - 연속적인 TA = 25' Ｃ | 8.6 | -7.3 | A |
| -펄스용 | 20 | -20 | ||
| Pd | 이중화 운용을 위한 전력 소모 | 2.0 | Ｗ | |
| 단일 조작을 위한 전력 소모 TA = 25' Ｃ | 1.6 | |||
| TA = 25' Ｃ | 0.9 | |||
| TJ, TSTG | 작동과 저장 결합 온도 범위 | +150에 대한 -55 | 'Ｃ | |
주식 리스트의 부품
| MAX232EIDR | TI | 62AY3FM/1608 | SOP-16 |
| BCV29 E6327 | 1237년 / EF | SOT-89 | |
| 330R RP164PJ331CS를 REDE | 삼성 | 20160822 | smd0603*4 |
| 1K RP164PJ102CS를 REDE | 삼성 | 20160816 | smd0603*4 |
| RES 1210 4R7 5% RC1210JR-074R7L | 야게오 | 1627 | SMD1210 |
| C.I SN74LS244N | TI | 64ACSOK | DIP-20 |
| C.I P80C31SBPN | 0935+ | DIP-40 | |
| C.I AT89C51-24PI | 아트멜 | 1602 | DIP-40 |
| C.I LM2575T-5.0/NOPB | TI | 61AY9TOE3 | TO-220 |
| C.I M27C512-10F1 | 거리 | 9G003 | CDIP-28 |
| C.I 74HC245DB,118 | 1618/1619 | SSOP-20 | |
| MCP130T-315I/TT | 마이크로칩 | PLEP | SOT23-3 |
| DIODO TPD4E001DBVR | TI | NFYF | SOT23-6 |
| C.I SN74LS374N | TI | 1523+5/56C0DZK/56C0E3K | DIP-20 |
| C.I MIC2937A-3.3BU | 마이클렐 | 9834 | TO-263 |
| C.I SN74LS138N | TI | 67CGG1K | DIP-16 |
| DIODO DF10 | ９월달 | 1613 | DIP-4 |
| DIODO SS14-E3/61T | 비샤이 | 1520년 | SMA |
| RES 33K 1% RC0603FR-0733KL |
야게오 | 1545 | SMD0603 |
| 10UF 16V X5R 10%를 완성하세요 GRM21BR61C106KE15L |
무라타 | IA6817YW3 | SMD0805 |
| 0603 100NF 50V X7R 06035C104KAT2A를 완성하세요 | AVX | 1630 | SMD0603 |
| RES 2512 3R6 5% RC2512JK-073R6L | 야게오 | 1631 | SMD2512 |
| RES 1210 4R7 5% RC1210JR-074R7L | 야게오 | 1627 | SMD1210 |
| RES 1210 3R3 5% RC1210JR-073R3L | 야게오 | 1627 | SMD1210 |
| DIODO BZX84-C5V1 | 1601년 | SOT-23 | |
| DIODO BZX84-C6V2 | 1517년 | SOT-23 | |
| RES 10K 5% RC0805JR-0710KL |
야게오 | 1632 | SMD0805 |
| 센서 KTY11-6 Q62705-K246 |
T6/S76 | TO-92 | |
| C.I AD767JN | AD | 0604+ | DIP-24 |
| 트라이액 BT151-500R | 603 | TO-220 |
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