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74HC00D 전자적 IC 칩 쿼드 2 입력 낸드 게이트

제조 업체:
제조업자
기술:
IC 게이트 NAND 4CH 2-INP 14SOIC
범주:
증폭기 IC 칩
가격:
Negotiate
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
공급 전압:
+7.0 V에 대한 -0.5
입력 다이오드 경향:
±20 마
출력 다이오드 경향:
±20 마
출력원 또는 싱크 전류:
±25 마
프크크 또는 국민 총수요 경향:
±50 마
저장 온도:
+150 'C에 대한 -65
전력 소모:
500 mW
패키지:
DIP14, SO14, SSOP14와 TSSOP14, DHVQFN14
하이라이트:

electronic integrated circuit

,

linear integrated circuits

도입


74HC00 ; 74HCT00
쿼드 2 입력 낸드 게이트

특징
오우는 제덱 스탠다드 8-1A 번에 따릅니다
오우 ESD 보호 :
HBM EIA / JESD22-A114-A는 2000 V를 초과합니다
MM EIA / JESD22-A115-A는 200 V를 초과합니다
-40에서 +85 'C와 -40에서부터 +125 'C까지 특정한 오우.

기술
74HC00/74HCT00은 고속 Si 게이트 CMOS 소자이고, 소출력 쇼트키 삼극 소자-삼극 소자 논리 (저전력 쇼트키 트랜지스터 트랜지스터 논리)과 핀 호환입니다. 그들은 제덱 스탠다드 7A 번에 따라 상세화됩니다.

74HC00/74HCT00은 2개 입력 부정 논리곱 함수를 제공합니다.

빠른 참조 자료
GND = 0 V ; Tamb = 25 'C ; tr = tf = 6 나노 초.

기호 매개 변수 상태 전형적입니다 유닛
74HC00 74HCT00
tPHL/tPLH 증식은 nA, nY에 대한 nB를 연기합니다 CL = 15 pF ; VCC = 5 V 7 10 나노 초
CI 입력 커패시턴스 3.5 3.5 pF
CPD 게이트 당 전력 소모 전기 용량 기록 1과 2 22 22 pF

기록
1. CPD는 동적 전력 소모 (uW에서 PD)를 결정하는데 사용됩니다.
PD = CPD × VCC2 × fi × 엔 + Σ (CL × VCC2 × fo) :
fi = 마하즈의 입력 주파수 ;
fo = 마하즈의 출력 주파수 ;
CL = pF에서 출력 부하 캐패시턴스 ;
볼트에 VCC = 공급 전압 ;
엔 = 전체 로드 변환 출력 ;
Σ (CL × VCC2 × fo) = 출력의 금액.
2. 74HC00을 위해 상태는 VCC에 VI = 국민 총수요입니다.
74HCT00을 위해 상태는 VCC에 VI = 국민 총수요입니다 - 1.5 V.

Fig.1 핀 형상 DIP14, SO14와 (T)SSOP14.


Fig.2 핀 형상 DHVQFN14. Fig.3 논리도 (단일 게이트).














Fig.4 기능다이어그램. Fig.5 IEC 논리 기호.



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MOQ:
10pcs