SN74HC04N 전자적 IC 칩 집적된 구성 요소 헥사 인버터
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
74HC04 ; 74HCT04
헥사 인버터
특징
오우는 제덱 스탠다드 8-1A 번에 따릅니다
오우 ESD 보호 : HBM EIA / JESD22-A114-A는 2000 Ｖ MM EIA / JESD22-A115-A를 초과하고 200 Ｖ를 초과합니다.
-40에서 +85 'Ｃ와 -40에서부터 +125 'Ｃ까지 특정한 오우.
기술
74HC/HCT04는 고속 Si 게이트 CMOS 소자이고, 소출력 쇼트키 삼극 소자-삼극 소자 논리 (저전력 쇼트키 트랜지스터 트랜지스터 논리)과 핀 호환입니다. 그들은 제덱 스탠다드 7A 번에 따라 상세화됩니다. 74HC/HCT04는 6개의 인버팅 버퍼를 제공합니다.
빠른 참조 자료
GND = 0 Ｖ ; Tamb = 25 'Ｃ ; tr = 트프 ≤ 6.0 나노 초.
| 기호 | 매개 변수 | 상태 | 전형적입니다 | 유닛 | |
| HC04 | HCT04 | ||||
| tPHL/tPLH | 증식은 nY에 대한 nA를 연기합니다 | CL = 15 pF ; VCC = 5 Ｖ | 7 | 8 | 나노 초 |
| CI | 입력 커패시턴스 | 3.5 | 3.5 | pF | |
| CPD | 게이트 당 전력 소모 전기 용량 | 기록 1과 2 | 21 | 24 | pF |
기록
1. CPD는 동적 전력 소모 (uW에서 PD)를 결정하는데 사용됩니다.
PD = CPD × VCC2 × fi × 엔 + Σ (CL × VCC2 × fo) :
fi = 마하즈의 입력 주파수 ;
fo = 마하즈의 출력 주파수 ;
CL = pF에서 출력 부하 캐패시턴스 ;
볼트에 VCC = 공급 전압 ;
엔 = 전체 로드 변환 출력 ;
Σ (CL × VCC2 × fo) = 출력의 금액.
2. 74HC04를 위해 : 상태는 VCC에 VI = 국민 총수요입니다.
74HCT04를 위해 : 상태는 VCC에 VI = 국민 총수요입니다 - 1.5 Ｖ.
Fig.1 핀 형상 DIP14, SO14와 (T)SSOP14.
Fig.2 핀 형상 DHVQFN14. Fig.3 논리 기호.
Fig.4 IEC 논리 기호. Fig.5 논리도 (한 인버터).
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