PIC16F917-I / PT 전자 회로 판, 마이크로칩과 집적 회로

주식 호가 (뜨거운 매도)

PIC16F913/914/916/917/946

28/40/44/64-핀 플래시 기반,

LCD 구동부와 나노 와트 기술과 8-비트 CMOS 마이크로컨트롤러

고성능 RISC CPU :

배우기 위한 오우 단지 35 교육 :

- 가지 를 제외한 모든 단일 사이클 교육

오우 동작속도 :

- DC - 20 마하즈 진동자 / 클락 입력

- DC - 200번 나노 초 명령 주기

오우 프로그램 메모리 판독 (PMR) 능력

오우 인터럽트 능력

오우 8 레벨 딥 하드웨어 스택

직접적이고 간접적인 오우와 상대 주소 지정 방식

특별한 마이크로컨트롤러 특징 :

오우 정확성 내부 발진기 :

- 전형적인 ±1%에 눈금 보정된 공장

- 125 킬로 헤르츠에 대한 8 마하즈의 소프트웨어 선택 가능한 주파수 범위

- 조정할 수 있는 소프트웨어

- 투-스피드 시동 모드

- 외부 OSC 불량은 중요 애플리케이션을 검출합니다

- 전력 절감을 위한 운영 동안 시계 모드 스위치

오우 소프트웨어 선택 가능한 31대 킬로 헤르츠 내부 발진기

오우 파워 절약 슬립 모드

오우 넓은 작동 전압 범위 (2.0V-5.5V)

오우 인더스트리얼과 확장 온도 범위

오우 파워온 리세트 (피오알)

오우 전원공급 타이머 (PWRT)와 발진기 시동 타이머 (OST)

소프트웨어 제어 옵션과 오우 브라운-아웃 리세트 (BOR)

온칩 발진기 (가득 찬 프리스케일러와 소프트웨어 선택 가능한 명목상 268 초)과 오우 강화한 저전류 감시 타이머 (WDT)는 소프트웨어로 가능하게 합니다

급상승 / 입력 핀과 오우 복합적 마스터 클리어

오우 프로그램가능 코드 보호

오우 고내구성 플래시 / 아이피롬 셀 :

- 100,000 기입 플래시 내구성

- 1,000,000 기입 EEPROM 내구성

- 순간 / 자료 EEPROM 보유 : 0년

저전력 특징 :

오우 대기 전류 :

- <100 nA="">

오우 동작 전류 :

- 32 킬로 헤르츠, 전형적인 2.0V에 있는 11 μA

- 전형적인 4 마하즈, 2.0V에 있는 220 μA

오우 감시 타이머 경향 :

- 전형적인 2.0V에 있는 1 μA

주변 형상 :

오우 액정 표시 모듈 :

- 28/40/64 pin 장치 위의 60/96/168 화소 드라이브 능력에 위로, 각각

- 공원 4명

24/35/53 I/O 핀과 1개의 입력전용 핀에 달하는 오우 :

- 직접적 LED 드라이브를 위한 고전류 원천 / 싱크

- 일시정지 ON 상태 변화 핀

- 개별적으로 프로그램 가능한 약한 풀-업

2개 핀 를 경유하는 오우 회로내 일련 프로그래밍티엠 (ICSPTM)

다음과 오우 아날로그 컴퍼레이터 모듈 :

- 2 아날로그 비교기

- 프로그램 가능한 온칩 전압 기준 (CVREF) 모듈 (VDD의 %)

- 외부적으로 접근하기 쉬운 비교기 입출력

오우 Ａ／Ｄ 컨버터 :

- 10 비트 분해능과 최고 8까지 채널

오우 Timer0 : 8비트 프로그라마브르프레스케이라와 8비트 타이머 / 반대

오우 강화한 Timer1 :

- 프리스케일러와 16비트 타이머 / 반대

- 외부 Timer1 게이트 (총수가 가능하게 합니다)

- INTOSCIO 또는 LP모드가 선택되면 선택이 OSC1과 OSC2를 Timer1 진동자로 이용합니다

오우 Timer2 : 8비트 기간 레지스터, 프리스케일러와 포스트스 케일러와 8비트 타이머 / 반대

오우 주소 지정 가능형 범용 동기-비동기 송수신기 (AUSART)

오우 최고 2까지 캡쳐, 비교, PWM 모듈 :

- 16비트 캡쳐, 최대. 결의안 12.5 나노 초

- 16이지 비트 비교, 최대. 결의안 200 나노 초

- 10 비트 PWM, 최대. 주파수 20 킬로 헤르츠

I2CTM과 오우 동시성의 직렬 포트 (SSP)

절대적인 최대 Ratings(†)

bias.........................................................................- 40' +125에' Ｃ 하에 대기 온도

저장 온도...................................................................................... -65' +150에 대한 Ｃ' Ｃ

VSS에 대한 VDD 위의 전압................................................................. -0.3V 내지 +6.5V

대에 대한 MCLR 위의 전압............................................................. -0.3V 내지 +13.5V

VSS에 대한 다른 모든 핀 위의 전압........................................... (VDD + 0.3V)에 대한 -0.3V

전체 전력 산재(1)...........................................................................................800 mW

VSS 핀................................................................................... 95 마에서 최대 전류

VDD 핀..................................................................................... 95 마로의 최대 전류

입력 클램프 전류, IIK (VI< 0="" or="" V=""> I > VDD)................................................................... ±20 마

출력 클램프 전류, IOK (보 < 0="" or="" Vo=""> VDD).............................................................. ±20 마

최대 출력 전류는 어떠한 I/O 핀정도도 가라앉았습니다................................................................... 25 마

어떠한 I/O 핀에 의해 근본적인 최대 출력 전류.............................................................. 25 마

(결합된) 모든 공항에 의해 근본적인 최대 전류........................................................... 90 마

최대 전류는 (결합된) 모든 공항 정도 가라앉았습니다................................................................ 90 마

주기 1 : 전력 소모는 다음과 같이 산정됩니다 : PDIS = VDD Ｘ { 국제 다이얼 - ∑ 통합 개방형 하이퍼미디어 } + ∑ { (VDD - VOH) Ｘ 통합 개방형 하이퍼미디어 } + ∑ (VOL Ｘ IOL).

2 : PORTD와 포르테는 PIC16F913/916 장치에서 구현되지 않습니다.

† 주의 : 절대 최대 정격 하에 목록화된 그것들 위의 스트레스는 장치에 대한 영구적인 손상을 일으킬 수 있습니다. 이것은 단지 스트레스 비율이고 그것들에 있는 장치의 기능의 운용 또는 이 상술의 작업 목록에서 나타낸 그것들 위의 다른 어떤 조건이 의미되지 않습니다. 연장된 기간 동안 최대 정격 상태에 대한 노출은 장치 신뢰도에 영향을 미칠 수 있습니다.