R1LP0408CSP-7LC 전자 SRAM (512 크워드 】 8이 문 IC 칩 집적 회로 IC 성분 4M
제조 업체:
제조업자
기술:
메모리 IC
범주:
플래쉬 메모리 IC 칩
가격:
Negotiation
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
온도 범위:
+70' Ｃ에 대한 -40' Ｃ
지불조건:
전신환, 페이팔, 웨스턴 유니온
전압:
±5V
경향:
5A
패키지:
SOP-32
공장 패키지:
릴
하이라이트:
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
도입
R1LP0408CSP-7LC 전자 IC 칩 집적 회로 IC 성분
4M SRAM (512 크워드] 8비트
주식 리스트의 부품
| C.I MM74HC164MX | FSC | P0552AD/P9FAD | SOP-14 |
| DIODO BYG23M-E3/TR | 비샤이 | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | 비샤이 | 1632/12 | SMA |
| DIODO BYG23M-E3/TR | 비샤이 | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | 비샤이 | 1632/12 | SMA |
| RES 2010 330R 5% CRCW2010330RJNEF | 비샤이 | 1612 | SMD2010 |
| RES 2010 68K 5% CRCW201068K0JNEF | 비샤이 | 1612 | SMD2010 |
| C.I MCP6S26-I / SL | 마이크로칩 | 16255C4 | SOP-14 |
| ACOPLADOR. PC817A | 전문가 | 2016.08.10/H33 | DIP-4 |
| 트랜스 2SS52M | 허니웰 | 2SSM/523-LF | TO-92 |
| C.I SCC2691AC1D24 | 1149+ | SOP-24 | |
| C.I TP3057WM | TI | XM33AF | SOP-16 |
| C.I CD14538BE | TI | 33ADS8K | DIP-16 |
| C.I CL2N8-G | 마이크로칩 | CL2C | SOT-89 |
| C.I SN75179BP | TI | 57C50DM | DIP-8 |
| C.I L6219DS | 거리 | 135 | SOP-24 |
| 캡 1210년 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE | 삼성 | AC7JO2H | SMD1210 |
| INDUTOR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF | TDK | YA16H0945122/3R3 | SMD6045 |
| 캡 엘코 SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR | 팬 | Y1628F843536/2.2/50V/SYK | SMD4*5.4 |
| C.I 24LC256-I/SN | 마이크로칩 | 1636M6G | SOP-8 |
| 캡 엘코 SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS | 니치콘 | 160602/150/25V/H72 | SMD8*10.5 |
| RES RC0805JR-0727RL | 야게오 | 1538 | SMD0805 |
| C.I SN75240PW | TI | 11/A75240 | MSOP-8 |
| RES RC0805JR-0715KL | 야게오 | 1637 | SMD0805 |
| 캡 세라미드 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T | TAIYOYUDEN | 1608 | SMD0805 |
| 캡 세라미드 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE | 삼성 | AC7JO2H | SMD0805 |
| RES 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L 1% | 야게오 | 1638 | SMD0805 |
| RES 3K3 5% 경우 0805RC0805JR-073K3L | 야게오 | 1623 | SMD0805 |
| 트라이액 BTA26-600BRG | 거리 | 628 | TO-3P |
| 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB을 완성하세요 | TDK | IB16F15763SD | SMD0805 |
기술
R1LP0408C-C는 4-mbit 스태틱 랜돔 어세스 메모리가 512개 크워드 × 8 비트를 조직했다는 것 입니다. R1LP0408C-C 시리즈는 CMOS 공정 기술 (6개의 트랜지스터 메모리 셀)을 사용함으로써 소비를 더 높은 밀도, 더 높은 성능과 저 소비 전력을 실현했습니다. R1LP0408C-C 시리즈는 낮은 파워 대기에게 전력 소모를 제공합니다 ; 그러므로, 그것은 배터리 백업 시스템에 적합합니다. 그것은 32 핀 SOP, 32 핀 TSOP II에서 패키징했습니다.
특징
오우 단일 5 Ｖ 공급 : 5 Ｖ ± 10%
오우 엑세스 시간 : 55/70 나노 초 (최대)
오우 전력 소모 : 활동가 : 10 mW/MHz (typ) 대기 : 4 uW (typ)
오우 완전히 정적 메모리. 어떤 시계 또는 타이밍 섬광 촬영 장치도 요구하지 않았습니다
오우는 접근과 순환 주기를 필적합니다
오우 공통 데이터 입출력. 3상태 출력
오우 직접적으로 TTL 호환 가능. 모든 입출력
오우 배터리 백업 작업.
오우 작동 온도 : +70' Ｃ에 대한 -20
핀 배열
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