FM25V02 Ｇ 전자적 IC 칩 256Kb 일련 3V F-RAM 메모리
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
FM25V02
256Kb 일련 3V F-RAM 메모리
특징
256K 비트 강유전성 비휘발성 램
- 32,768 Ｘ 8 비트로서 조직됩니다
- 높은 내구성 100조 (1014년) 읽기 /는 씁니다
- 10년 데이터 유지
- 노딜레이티엠은 씁니다
- 진보적 높은 신뢰도 강유전성 절차
매우 빨리 일련 주변 인터페이스 - SPI
- 최고 40까지 MHz 주파수
- 일련의 플래시 동안 하드웨어 교체를 지시하세요
- SPI 방식 0과 3 (CPOL, CPHA=0,0과 1,1)
보호 스킴을 작성하세요
- 하드웨어 보호
- 소프트웨어 보호
디바이스 ID와 일연번호
- 디바이스 ID는 업체 ID와 ID 부품을 읽어냅니다
- 유일한 고유 코드 번호 (FM25VN02)
저전압, 저 소비 전력
- 저전압 작동 2.0V - 3.6V
- 90 μA 대기 전류 (typ.)
- 5 μA 슬립 모드 경향 (typ.)
산업 기준 구성
- 산업적 온도 -40C 내지 +85C
- 8개 핀은 /RoHS SOIC 패키지를 녹색으로 만듭니다
- 8개 핀은 /RoHS TDFN 패키지를 녹색으로 만듭니다
기술
FM25V02는 진보적 강유전성 절차를 사용하는 256 킬로비트 비휘발성 메모리입니다. 임의 엑세스 메모리 또는 F-RAM이 불휘발성입니다 그리고 수행하세요 강유전성은 RAM처럼 읽고 씁니다. 복잡성, 오버헤드를 제거하는 동안 그것은 10년간 안정적 데이터 보유를 제공하고 시스템 레벨 신뢰성 문제가 일련의 플래시와 다른 비휘발성 메모리에 의해 발생되었습니다.
일련의 플래시와는 달리, FM25V02는 기록 작업을 버스 속도에서 수행합니다. 어떤 쓰기 지연도 초래되지 않습니다. 데이터는 그것이 기기로 옮겨진 후에 바로 메모리 어레이에 작성됩니다. 다음 버스 주기는 데이터 폴링이 필요없이 시작될 수 있습니다. 제품은 매우 높은 기입 내구성, 일련의 플래시 보다 자릿수 더 많은 내구성을 제공합니다. 또한, F-RAM은 일련의 플래시 보다 더 낮은 소비 전력을 나타냅니다.
이러한 능력은 FM25V02 빈번하거나 빠르 쓸 것을 요구하는 비휘발성 기억 장치 응용에 이상적이 또는 저전압 동작으로 만듭니다. 예는 일련의 플래시의 긴 쓰기 시간이 데이터 손실을 일으킬 수 있는 산업 제어를 요구하는 것에게, 기입 사이클의 번호가 비판적일 수 있는 데이터 수집에 이릅니다.
FM25V02는 상당한 이익을 하드웨어 drop-in 치환계로서의 일련의 플래시을 사용자들에게 제공합니다. 장치는 F-RAM 기술의 고속 기록 능력을 강화하는 고속 SPI 버스를 사용합니다. FM25VN02는 판독 전용인 유일한 고유 코드 번호로 제공되고, 위원회 또는 시스템을 확인하는데 사용될 수 있습니다. 양쪽 기기는 호스트가 제조와 산물 농도와 제품 개정을 결정할 수 있게 허락하는 판독 전용 디바이스 ID를 통합시킵니다. 기기는 -40' Ｃ에서 +85' Ｃ의 산업용 온드범위 위에서 보증됩니다.
절대 최대 정격
| 기호 | 기술 | 평가 |
| VDD | VSS에 대한 전원 전압 | -1.0V 내지 +4.5V |
| VIN | VSS에 대한 어떠한 핀 위의 전압 | -1.0V 내지 +4.5V와 VIN< V=""> DD+1.0V |
| TSTG | 저장 온도 | + 125' Ｃ에 대한 -55' Ｃ |
| TLEAD | 리드온도 (납땜, 10/2) | 260' Ｃ |
| VESD |
정전기 방지 전압 - 휴먼 바디 모델 (AEC-Q100-002 수입 Ｅ) - 대전 소자의 방전 모델 (AEC-Q100-011 수입 비) - 기계모델 (AEC-Q100-003 수입 Ｅ) |
1kV 1.25kV 200V |
| 패키지 습도 감지 수준 | MSL-1 |
절대 최대 정격 하에 목록화된 그것들 위의 스트레스는 장치에 대한 영구적인 손상을 일으킬 수 있습니다. 이것은 단지 스트레스 비율이고 이것들에 있는 장치의 기능의 운용 또는 이 상술 중에 작동 섹션에 수록된 그것들 위의 다른 어떤 조건이 의미되지 않습니다. 연장된 기간 동안 절대 최대 정격 상태에 대한 노출은 장치 신뢰도에 영향을 미칠 수 있습니다.
핀 형상
주식 호가 (뜨거운 매도)
| 부품 번호. | 양 | 브랜드 | D/C | 패키지 |
| FDN358P | 58000 | 페어 차일드 | 16+ | SOT-23 |
| FDN5630-NL | 83000 | 페어 차일드 | 16+ | SOT-23 |
| FDPF14N30 | 5507 | 페어 차일드 | 09+ | TO-220F |
| FDS3672 | 5282 | 페어 차일드 | 14+ | SOP-8 |
| FDS4435BZ | 16331 | 페어 차일드 | 15+ | SOP-8 |
| FDS4935BZ | 9357 | 페어 차일드 | 14+ | SOP-8 |
| FDS6576 | 20788 | 페어 차일드 | 13+ | SOP-8 |
| FDS6681Z | 6161 | 페어 차일드 | 13+ | SOP-8 |
| FDS6699S | 20859 | 페어 차일드 | 13+ | SOP-8 |
| FDS8978 | 18516 | 페어 차일드 | 09+ | SOP-8 |
| FDS9431A | 9728 | 페어 차일드 | 13+ | SOP-8 |
| FDS9945-NL | 9799 | 페어 차일드 | 12+ | SOP-8 |
| FDV301N | 12000 | FSC | 16+ | SOT23-5 |
| FDV304P | 86000 | 페어 차일드 | 15+ | SOT-23 |
| FEP16DT | 8008 | 비샤이 | 11+ | TO-220 |
| FEP16GT | 12410 | FSC | 16+ | TO-220 |
| FERD30M45CT | 6132 | 거리 | 15+ | TO-220AB |
| FES16JT | 12481 | 비샤이 | 13+ | TO-220 |
| FGA25N120ANTD | 5228 | FSC | 15+ | TO-3P |
| FGH40N60SMDF | 5808 | 페어 차일드 | 16+ | TO-247 |
| FGH40N60UFD | 8213 | 페어 차일드 | 15+ | TO-247 |
| FGH60N60SFD | 4835 | 페어 차일드 | 13+ | SOP-8 |
| FGH60N60UFD | 4764 | FSC | 16+ | TO-247 |
| FGL40N120AND | 7142 | 페어 차일드 | 16+ | TO-264 |
| FJE3303H2TU | 14485 | 페어 차일드 | 07+ | TO-126 |
| FLZ2V2A | 20000 | FSC | 15+ | LL34 |
| FLZ3V6A | 7000 | FSC | 12+ | LL34 |
| FM18W08-SGTR | 4627 | 싸이프레스 | 11+ | SOP-28 |
| FM24CL64B-GTR | 1578 | 싸이프레스 | 16+ | SOP-8 |
| FM24W256 -GTR | 7533 | 싸이프레스 | 14+ | SOP-8 |
W25N01GVZEIG SLC 낸드 플래시 메모리 IC 3V 1G 비트 윈본드 TW SPI
PF48F4400P0VBQEK 새롭고 원래의 재고
새로운 DSPIC30F3011-30I/PT 플래쉬 메모리 IC과 원종축
새로운 IR2110PBF와 원종축
S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz 플래쉬 메모리 IC 칩
W25Q80DVSNIG 일련의 플래시 칩 3V 8M 비트 듀얼 쿼드 Spi 메모리 IC
MOS 관 전계 효과 단일칩은 PWM 콘트로라도 모듈 IRF520을 운전합니다
485에 대한 알에스 485 방식 모듈 TTL에 대한 MAX485, RS485 모듈 TTL
SKY65336-11 새롭고 원래의 주식
| 이미지 | 부분 # | 기술 | |
|---|---|---|---|
|
|
W25N01GVZEIG SLC 낸드 플래시 메모리 IC 3V 1G 비트 윈본드 TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
|
|
|
|
PF48F4400P0VBQEK 새롭고 원래의 재고 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
|
|
|
|
새로운 DSPIC30F3011-30I/PT 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
|
|
|
|
새로운 IR2110PBF와 원종축 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
|
|
|
|
S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz 플래쉬 메모리 IC 칩 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
W25Q80DVSNIG 일련의 플래시 칩 3V 8M 비트 듀얼 쿼드 Spi 메모리 IC |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
MOS 관 전계 효과 단일칩은 PWM 콘트로라도 모듈 IRF520을 운전합니다 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
|
|
|
|
485에 대한 알에스 485 방식 모듈 TTL에 대한 MAX485, RS485 모듈 TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
|
|
|
|
SKY65336-11 새롭고 원래의 주식 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
|