포토트랜지스터 출력과 CNY 66B 전자적 IC 칩 옵토커플러
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
CNY 64/ CNY 65/ CNY 66
옵토커플러, 포토트랜지스터 출력, 매우 높은 분리 전압
특징
오우 평가된 분리 전압 (RMS가 DC를 포함합니다) VIOWM = 1000 VRMS (1450 V 성수기)
오우 평가된 순환하는 최대전압 (반복성) VIORM = 1000 VRMS
단열재 ≥ 3 밀리미터를 통한 오우 두께
비교 트래킹 지수 VDE 0303/IEC 60112에따르면 오우 크리이피지 전류 저항 : CTI ≥ 200
오우 무연 성분
로에스 2002/95/EC과 WEEE 2002/96/EC에 대한 인가의 오우 성분
기관 승인
오우 UL1577, 아니오 정리되십시요. E76222 시스템 코드 H,J &K, 두배 보호
오우 DIN EN 60747-5-2 (VDE0884) DIN EN 60747-5-5 미결정
오우 VDE 관련된 특징 :
오우 정격 임펄스 전압 (과도 과전압) VIOTM = 8 kV 성수기
오우 격리 검사 전압 (부분 방전 시험 전압) Vpd = 2.8 kV 성수기
애플리케이션
안전 등급 II (강화된 차단)에 따른 전기적 쇼크에 대한 안전한 방호 격리를 위한 회로 :
를 위해 응용의. 등급 I - 주요 부분 전압 ≤ 300 V에 있는 IV
를 위해 응용의. 등급 I - 주요 부분 전압 ≤ 600 V에 있는 IV
를 위해 응용의. 등급 I - 3세가 주요 부분 전압 ≤ 1000 V에 다음에 적합한 DIN EN 60747-5-2(VDE0884)/ DIN EN 60747- 5-5 미결정, 표 2에 따릅니다
스위치모드 전력 공급, 라인 리시버, 컴퓨터 주변 인터페이스, 마이크로 프로세서 시스템 인터페이스.
기술
CNY 64/ CNY 65/ CNY 66은 광학적으로 4개 핀 플라스틱 패키지에서 갈륨 비소 인프라레데미팅 다이오드에 결합된 포토트랜지스터로 구성됩니다.
> 3 밀리미터를 위한 가장 높은 안전 요구 사항을 위한 입출력 사이에 거리를 제공하면서, 단일의 부품은 서로 반대편에 탑재됩니다.
절대 최대 정격
Tamb = 25 'C, 그렇지 않았다면 상세화되고지 않는다면
절대 최대 정격을 초과한 스트레스는 장치에 대한 영구적인 손상을 일으킬 수 있습니다. 장치의 기능의 운용은 이 문서 중에 작동 섹션에서 주어진 그것들을 초과하여 이러한 또는 다른 어떤 조건에 의미되지 않습니다. 시간의 확대된 기간 동안 절대 최대 정격에 대한 노출은 반대로 신뢰성에 영향을 미칠 수 있습니다.
매개 변수 | 시험 조건 | 기호 | 가치 | 유닛 |
---|---|---|---|---|
입력 | ||||
역 전압 | VR | 5 | V | |
순방향 전류 | 조건 | 75 | 마 | |
앞으로 과전류 | tp ≤ 10 우리 | IFSM | 1.5 | A |
전력 소모 | 피디스스 | 120 | mW | |
접합 온도 | 트제이 | 100 | 'C | |
출력 | ||||
컬렉터 이미터 전압 | VCEO | 32 | V | |
이미터·콜렉터 전압 | 베코 | 7 | V | |
컬렉터전류 | IC | 50 | 마 | |
수집기 피이크 전류 | tp/T = 0.5, tp ≤ 10 부인 | ICM | 100 | 마 |
전력 소모 | 피디스스 | 130 | mW | |
접합 온도 | 트제이 | 100 | 'C | |
연결기 | ||||
AC 고립 시험 전압 (RMS) | t = 1 분 | 비소 | 8.2 | kV |
전력 총손실 | 피티오트 | 250 | mW | |
대기 온도 범위 | 대기온도 | - 55 내지 + 85 | 'C | |
보존온도범위 | 트스트그 | - 55 내지 + 100 | 'C | |
납땜 온도 | 경우로부터 2 밀리미터, T ≤ 10 S | 츠드 | 260 | 'C |
주식 호가 (뜨거운 매도)
부품 번호. | 양 | 브랜드 | D/C | 패키지 |
IRFU220NPBF | 1820 | IR | 13+ | TO-251 |
MCP73871-2CCI/ML | 1820 | 마이크로칩 | 15+ | QFN |
PC410L | 1821 | 전문가 | 16+ | SOP5 |
AT24C01은 하강합니다 | 1822 | 아트멜 | 16+ | 하락 |
IRF530NPBF | 1822 | IR | 14+ | TO-220 |
TNY280PN | 1822 | 힘 | 14+ | DIP-7 |
74HC595 | 1841 | 14+ | SOP | |
3296W-1-503LF | 1850 | 목적지 | 16+ | 하락 |
LT1172CT | 1850 | LT | 16+ | TO220-5 |
A4506 | 1875 | ANAGO | 13+ | SOP-8 |
APM4546 | 1877 | ANPEC | 15+ | SOP-8 |
HCS360/SN | 1879 | MICROC | 16+ | SOP8 |
HEF4069UBT | 1887 | 16+ | SOP14 | |
IRF1010EPBF | 1887 | IR | 14+ | TO-220 |
2N2907A | 1888 | 거리 | 14+ | CAN3 |
MCP609-I / SL | 1888 | 마이크로칩 | 14+ | SOP-14 |
ST72F321BJ9T6 | 1888 | 거리 | 16+ | QFP |
W25X40BVSSIG | 1888 | WINBOND | 16+ | SOP8 |
CD4017BE | 1889 | TI | 13+ | 하락 |
ADA4899-1YRDZ | 1895 | AD | 15+ | SOP8 |
PIC18F26K20 I / 그렇게 | 1900 | 마이크로칩 | 16+ | SOP28 |
MC34064P-5G | 1941 | ON | 16+ | TO92 |
BQ27510DRZR | 1955 | TI | 14+ | SON-12 |
AK4420ET | 1975 | AKM | 14+ | TSSOP16 |
AD7541AJN | 1990 | AD | 14+ | DIP-18 |
PIC18F97J60 I / PT | 1990 | 마이크로칩 | 16+ | QFP |
XC3S400-4TQG144C | 1990 | 자일링스 | 16+ | TQFP-144 |
FA5571N | 1991 | 후지 | 13+ | SOP8 |
MBR1045G | 1991 | ON | 15+ | TO-220 |
A2231 | 1997 | AVAGO | 16+ | DIP-8 |

0402 0.063W 10kOhm SMT 후막 칩 저항기 RC0402JR-0710KL

200MHz 전원 라인 TDK SMD0603을 위한 MPZ1608S300ATAH0 칩 비즈 5A

22R 5% SMD0402 필름 칩 저항기 ERJ-2GEJ220X 파나소닉

MOV-20D751K 750V 6.5kA 바리스터 푸른 SMD 칩 저항기 1 회로 관통 홀은 20 밀리미터를 디스크로 만듭니다

2SB1261-tp 10W 다용도의 정류 다이오드 실리콘 에피타키샤르프레나 PNP 트랜지스터

IXFK140N30P 극 파워 모스펫 하이퍼페트 TO264 300V 140A

DF2B29FU,H3F 텔레비전 24VWM 47V ESD 보호 다이오드

PMEG6010ER 1A 낮은 VF 엄청나게 큰 쇼트키 접합 정류기 SOD123

SK34SMA 3A SMD 쇼트키 접합 정류 다이오드는 - 214AC을 합니다

SMBJ5.0A 실리콘 애벌런치 다이오드 600W 표면 부착 전압 억제 다이오드
이미지 | 부분 # | 기술 | |
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0402 0.063W 10kOhm SMT 후막 칩 저항기 RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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200MHz 전원 라인 TDK SMD0603을 위한 MPZ1608S300ATAH0 칩 비즈 5A |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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22R 5% SMD0402 필름 칩 저항기 ERJ-2GEJ220X 파나소닉 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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MOV-20D751K 750V 6.5kA 바리스터 푸른 SMD 칩 저항기 1 회로 관통 홀은 20 밀리미터를 디스크로 만듭니다 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
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2SB1261-tp 10W 다용도의 정류 다이오드 실리콘 에피타키샤르프레나 PNP 트랜지스터 |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P 극 파워 모스펫 하이퍼페트 TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FU,H3F 텔레비전 24VWM 47V ESD 보호 다이오드 |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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PMEG6010ER 1A 낮은 VF 엄청나게 큰 쇼트키 접합 정류기 SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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SK34SMA 3A SMD 쇼트키 접합 정류 다이오드는 - 214AC을 합니다 |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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SMBJ5.0A 실리콘 애벌런치 다이오드 600W 표면 부착 전압 억제 다이오드 |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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