PIC16F628A I / 그렇게 전자적 IC 칩 플래시 기반 8-비트 CMOS 마이크로컨트롤러

PIC16F627A/628A/648A

플래시 기반 8-비트 CMOS 마이크로컨트롤러

18 핀 플래시 기반 8-비트 CMOS 마이크로컨트롤러

고성능 RISC CPU :

오우 작동은 DC로부터 속도가 납니다 - 20 마하즈

오우 인터럽트 능력

오우 8 레벨 딥 하드웨어 스택

직접적이고 간접적인 오우와 상대 주소 지정 방식

오우 35 1 워드 명령

- 가지 를 제외한 모든 교육 단일 사이클

특별한 마이크로컨트롤러 특징 :

오우 내부의와 외부 발진기 옵션

- 정확성 내부의 4 마하즈 진동자 공장은 ±1%에 눈금을 쟀습니다

- 저 소비 전력 내부의 37 킬로 헤르츠 진동자

- 외부 OSC는 크리스탈과 공진기를 지원합니다.

오우 파워 절약 슬립 모드

PORTB 위의 오우 프로그램 가능한 약한 풀-업

오우 복합적 마스터 클리어 / 입력 핀

믿을 수 있는 오퍼레이션을 위한 독립적인 발진기와 오우 감시 타이머

오우 저전압 프로그래밍

오우 회로내 일련 프로그래밍티엠 (2개 핀을 통해)

오우 프로그램가능 코드 보호

오우 브라운-아웃 리세트

오우 파워온 리세트

오우 전원공급 타이머와 발진기 시동 타이머

오우 넓은 작동 전압 범위. (2.0 - 5.5V)

오우 인더스트리얼과 확장 온도 범위

오우 높은 내구성 플래시 / 아이피롬 셀

- 100,000 기입 플래시 내구성

- 1,000,000 기입 EEPROM 내구성

- 100년 데이터 유지

저 소비 전력 특징 :

오우 대기 전류 :

- 전형적인 2.0V에 있는 100 nA

오우 동작 전류 :

- 32 킬로 헤르츠에 있는 12 uA, 전형적인 2.0V

- 전형적인 1 마하즈에 있는 120 uA, 2.0V

오우 감시 타이머 경향

- 전형적인 2.0V에 있는 1 uA

오우 Timer1 진동자 경향 :

- 32 킬로 헤르츠에 있는 1.2 uA, 전형적인 2.0V

오우 이중 속도 내부 발진기 :

- 4 마하즈와 37 킬로 헤르츠 사이에 선택 가능한 실행시간

- 4 우리 수면, 전형적인 3.0V로부터 잠을 깨웁니다

주변 형상 :

오우 16 I/O 핀은 개별적 방향으로 제어됩니다

직접적 LED 드라이브를 위한 오우고 전류 싱크 / 관계자

다음과 오우 아날로그 컴퍼레이터 모듈 :

- 2 아날로그 비교기

- 프로그램 가능한 온칩 전압 기준 (VREF) 모듈

- 선택 가능한 내부의 또는 외부 기준

- 비교기 출력은 외부적으로 접근하기 쉽습니다

오우 Timer0 : 8비트 프로그라마브르프레스케이라와 8비트 타이머 / 반대

오우 Timer1 : 외부 crystal/ 시계 역량과 16비트 타이머 / 반대

오우 Timer2 : 8비트 기간 레지스터, 프리스케일러와 포스트스 케일러와 8비트 타이머 / 반대

오우 캡쳐, 비교, PWM 모듈

- 16비트 캡쳐 / 비교

- 10 비트 PWM

오우 주소 지정 가능형 범용 동기/비동기 송 수신기 범용 동기／비동기 송수신 회로 / SCI

절대적인 최대 Ratings†

대기 온도 언더 바이어스............................................................................. +125' Ｃ에 대한 -40

저장 온도......................................................................................... -65' +150에 대한 Ｃ' Ｃ

VSS에 대한 VDD 위의 전압........................................................................ -0.3 내지 +6.5V

VSS........................................................ -0.3 내지 +14V에 대한 MCLR와 RA4 위의 전압

VSS................................................ VDD + 0.3V에 대한 -0.3V에 대한 다른 모든 핀 위의 전압

전체 전력 산재(1)................................................................................................800 mW

VSS 핀.......................................................................................300 마에서 최대 전류

VDD 핀..........................................................................................250 마로의 최대 전류

입력 클램프 전류, IIK (VI< 0="" or="" V=""> I > VDD)...................................................................... ± 20 마

출력 클램프 전류, IOK (보 < 0="" or="" Vo=""> VDD)................................................................. ± 20 마

최대 출력 전류는 어떠한 I/O 핀.......................................................................... 2시 5분 마 정도 가라앉았습니다

어떠한 I/O 핀....................................................................25 마에 의해 근본적인 최대 출력 전류

최대 전류는 문과 PORTB 정도 가라앉았습니다 (Combined)..................................................200 마

문과 PORTB에 의해 근본적인 최대 전류 (Combined).............................................200 마

주기 1 : 전력 소모는 다음과 같이 산정됩니다 : PDIS = VDD Ｘ { 국제 다이얼 - ∑ 통합 개방형 하이퍼미디어 } + ∑ { (VDD-VOH) Ｘ 통합 개방형 하이퍼미디어 } + ∑ (VOl Ｘ IOL)

† 주의 : 절대 최대 정격 하에 목록화된 그것들 위의 스트레스는 장치에 대한 영구적인 손상을 일으킬 수 있습니다. 이것은 단지 스트레스 비율이고 그것들에 있는 장치의 기능의 운용 또는 이 상술의 작업 목록에서 나타낸 그것들 위의 다른 어떤 조건이 의미되지 않습니다. 연장된 기간 동안 최대 정격 상태에 대한 노출은 장치 신뢰도에 영향을 미칠 수 있습니다.

기록 : 80 마보다 더 큰 경향을 유도하는 MCLR 핀에 있는 VSS 아래에 있는 전압 스파이크가 래치업을 야기시킬 수 있습니다. 그러므로, 직접적으로 이 핀을 VSS로 끌어 당기는 것보다 오히려 낮은 수준을 MCLR 핀에 응용할 때 50-100 Ω의 직렬 저항기는 사용되어야 합니다.

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