PIC18LF6722 I / PT IC 칩 64/80-핀 1-Mbit은 순간 마이크로컨트롤러를 강화했습니다

PIC18F6627/6722/8627/8722

64/80-핀 1-Mbit은 10-비트 자동 예금기와 나노 와트 기술로 순간 마이크로컨트롤러를 개선했습니다

전력 관리 방식 :

오우 실행 : CPU 계속, 주변 기기 계속

오우는 공전합니다 : 떨어져서 CPU, 주변 기기 계속

오우 수면 : 떨어져서 CPU, 떨어져서 주변 기기

오우는 전형적인 15 uA아래로 모드 전류를 낭비합니다

전형적인 0.2 uA의 아래의 오우 슬립 전류

오우 Timer1 진동자 : 1.8 uA, 32 킬로 헤르츠, 2V

오우 감시 타이머 : 2.1 uA

오우 투-스피드 발진기 시동

탄력적 발진기 구조 :

오우 네 결정 모드, 최고 25까지 마하즈

오우 4X 위상동기루프 (PLL) (크리스탈과 내부 발진기에 이용 가능한)

오우 두 외부 RC 방식, 최고 4까지 마하즈

오우 두 외부 클록 모드, 최고 40까지 마하즈

오우 내부 발진기 블록 :

- 31 킬로 헤르츠에서부터 8 마하즈까지, 8 사용자 선택 가능한 주파수

- PLL과 함께 사용될 때 시계의 전체 범위가 31 킬로 헤르츠에서부터 32 마하즈까지 가속시키는 프로비데스

- 주파수 드리프트를 보상하도록 조정할 수 있는 사용자

32 킬로 헤르츠에 있는 Timer1을 사용하는 오우 2 차 발진기

오우 절대 안전한 클럭 감시 장치 :

- 안전운전정지지진을 위한 알로우 주변 클락이 멈추면

외부 기억장치 인터페이스 (단지 PIC18F8627 / 8722) :

최고 2까지 마바이트스의 오우 주소 역량

오우 8비트 또는 16비트는 조화시킵니다

주변적 하이라이트 :

오우고 전류 싱크 / 관계자 25 mA/25 마

오우 네 프로그램 가능한 외부는 중단합니다

오우 네 입력 변화는 중단합니다

오우 두 캡쳐 / 비교 / PWM (CCP) 모듈

(계속되고 있는) 주변적 하이라이트 :

오우 세 강화한 캡쳐 / 비교 / PWM (ECCP) 모듈 :

- 1, 2 또는 네 PWM 출력

- 극성 선택

- 프로그램 가능한 무효 시간

- 자동-셧다운과 오토-리스타트

2/3/4 와이어 SPITM을 지원하는 오우 두 숙달한 동시성의 직렬 포트 (메시지 송출 서비스 순서) 모듈

(모든 4 방식)과 I2CTM 마스터와 종속 모드

오우 두 강화한 주소 지정 가능형 범용 동기／비동기 송수신 회로 모듈 :

- 알에스 485 방식, RS-232와 LIN 1.2를 지원합니다

- RS-232 운영이 내부 발진기 블록 (요구된 어떤 외부 수정체)을 사용하지 않습니다

- 스타트 비트에 자동차 여파 업

- 오토보는 탐색합니다

오우 10 비트, 최고 16까지 채널 아날로그-디지털 변환기 모듈 (A/D)

- 자동 포착 역량

- 수면 동안 이용 가능한 변환

입력 다중화와 오우 듀얼 아날로그 비교기

특별한 마이크로컨트롤러 특징 :

오우 C 컴파일러는 구조를 최적화했습니다 :

- 선택적 확장된 지령모임은 재진입 코드를 최적화하기를 계획했습니다

오우 100,000은 전형적인 / 기입 사이클 강화한 순간의 프로그램 메모리를 지웁니다

오우 1,000,000은 전형적인 / 기입 사이클 자료 EEPROM 메모리를 지웁니다

오우 플래시 / 자료 EEPROM 보유 : 전형적인 100년

오우 자체 프로그램 가능 소프트웨어 제어 조건

오우 우선 사항은 평평해지고 중단합니다

오우 8 Ｘ 8 단일 사이클 하드웨어 곱셈 장치

오우 확대된 감시 타이머 (WDT) :

- 4 부인 투 131s로부터의 프로그램 가능한 기간

2개 핀 를 경유하는 오우 단일 공급 회로내 일련 프로그래밍티엠 (ICSPTM)

2개 핀 를 경유하는 오우 회로내 디버그 (ICD)

오우 넓은 작동 전압 범위 : 2.0V 내지 5.5V

핀 다이어그램

64-핀 TQFP

주기 1 : CCP2/P2A 핀 배치는 CCP2MX 구성 비트와 처리 형태 설정에 의해 결정됩니다.

80-핀 TQFP

주기 1 : CCP2/P2A 핀 배치는 CCP2MX 구성 비트와 처리 형태 설정에 의해 결정됩니다.

2 : P1B, P1C, P3B와 P3C 핀 배치는 ECCPMX 구성 비트에 의해 결정됩니다.

절대적인 최대 Ratings(†)

bias.........................................................................- 40' +125에 대한 Ｃ' Ｃ 하에 대기 온도

저장 온도......................................................................................... -65' +150에 대한 Ｃ' Ｃ

(VDD와 MCLR를 제외하고) VSS에 대한 어떠한 핀 위의 전압.............. (VDD + 0.3V)에 대한 -0.3V

VSS에 대한 VDD 위의 전압..................................................................... -0.3V 내지 +7.5V

VSS (기록 2)에 대한 MCLR 위의 전압..................................................... 0V 내지 +13.25V

전력 총손실 (주기 1)............................................................................................1.0W

VSS 핀........................................................................................300 마에서 최대 전류

VDD 핀...........................................................................................250 마로의 최대 전류

입력 클램프 전류, IIK (VI< 0="" or="" V=""> I > VDD)....................................................................... ±20 마

출력 클램프 전류, IOK (보< 0="" or="" V=""> O > VDD)............................................................. ±20 마

최대 출력 전류는 어떠한 I/O 핀......................................................................... 25 마 정도 가라앉았습니다

어떠한 I/O 핀...................................................................25 마에 의해 근본적인 최대 출력 전류

최대 전류는 모든 공항......................................................................................200 마 정도 가라앉았습니다

모든 공항.................................................................................200 마에 의해 근본적인 최대 전류

기록

1 : 전력 소모는 다음과 같이 산정됩니다 :

피디스 = VDD Ｘ { 국제 다이얼 - ∑ 통합 개방형 하이퍼미디어 } + ∑ { (VDD - VOH) Ｘ 통합 개방형 하이퍼미디어 } + ∑ (VOL Ｘ IOL)

2 : 80 마보다 더 큰 경향을 유도하는 MCLR/VPP/RG5 핀에 있는 VSS 아래에 있는 전압 스파이크가 래치-업을 야기시킬 수 있습니다. 그러므로, 직접적으로 이 핀을 VSS로 끌어 당기는 것보다 오히려, 낮은 수준을 MCLR/VPP/ RG5 핀에 응용할 때 50-100Ω의 직렬 저항기는 사용되어야 합니다.

† 주의 : 절대 최대 정격 하에 목록화된 그것들 위의 스트레스는 장치에 대한 영구적인 손상을 일으킬 수 있습니다. 이것은 단지 스트레스 비율이고 그것들에 있는 장치의 기능의 운용 또는 이 상술의 작업 목록에서 나타낸 그것들 위의 다른 어떤 조건이 의미되지 않습니다. 연장된 기간 동안 최대 정격 상태에 대한 노출은 장치 신뢰도에 영향을 미칠 수 있습니다.

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