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44 바이트 비휘발성-램과 리셋과 M41T94MQ6F IC 칩 일련 실시간 클록

제조 업체:
제조업자
기술:
IC RTC 사무원 / 달력 SPI 16SO
범주:
증폭기 IC 칩
가격:
Negotiate
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
저장 온도:
-55 내지 125 'C
공급 전압:
-0.3 내지 7 V
10 초 동안 땜납 온도를 이끄세요:
260 'C
입력 또는 출력 전압:
VCC+0.3 V에 대한 -0.3
출력 전류:
20 마
전력 소모:
1 W
하이라이트:

electronic integrated circuit

,

linear integrated circuits

도입

M41T94

44 바이트 비휘발성-램과 리셋과 일련 실시간 클록

특징

두번째, 두번째의 열번째 / 100번째를 위한 ■ 반대,

분과 시간, 일, 날짜, 달, 년과 세기

부하 커패시턴스 (12.5pF)를 통합하는 ■ 32KHz 크리스탈 발진기

예외적 진동자 안정성과 높은 크리스탈 시리즈를 제공하기

저항 작동

■ 에스피아이 (2MHz SPI)

500nA (최대)의 ■ 극히 낮은 배터리 공급전류

■ 2.7 내지 5.5V 동작 전압

■ 2.5 내지 5.5V 진동자 동작 전압

■ 배터리 로우는 약해집니다

■ 자동 전환과 회로를 선택해제합니다

범용 RAM의 ■ 44 바이트

■ 프로그램 가능한 알람과 인터럽트 기능

(심지어 배터리 백업 모드 동안 유효합니다)

■ 정확한 프로그램 가능한 감시 타이머 (62.5 부인 투 128s로부터)

■ 마이크로프로세서 파워온 리세트

■ 전원 장애 중에서 선택은 전압 (5.5V에 대한 VCC = 2.7)를 선택해제합니다 :

- THS = 버젼 ; 2.55V ≤ VPFD ≤ 2.70V

- THS = VCC ; 4.20V ≤ VPFD ≤ 4.50V

■ 패키징은 28 리드 SOIC과 SNAPHAT® 상부를 포함합니다

(있기 위해 개별적으로 질서있는 ) 또는 16은 SOIC을 이끕니다

■ 28 리드 SOIC 패키지는 직접적 연관을 제공합니다

배터리와 크리스탈을 포함하는 SNAPHAT 상부

순응한 ■ 로에스

- 무연 두 번째 수준 내부연락

기술

M41T94는 비휘발성-램과 출력된 리셋의 44 바이트와 일련 실시간 클록입니다. 짜맞춘 32,768Hz 진동자 (제어된 외부 수정체)과 SRAM의 8 바이트는 시계 / 캘린더 기능을 위해 사용되고, 이진화 십진 (BCD) 포맷에서 구성됩니다.

RAM의 추가적 12 바이트는 알람의 상태 / 제어를 제공합니다, 감시기와 네모파가 작용합니다. 주소와 자료는 일련 SPI 인터페이스를 통해 연속적으로 이동됩니다. 짜맞춘 어드레스 레지스터는 각각 뒤에 자동적으로 증가시킵니다 기입 또는 읽은 데이터 바이트. 정전이 발생할 때 M41T94는 정전을 발견하는 짜맞춘 전력 감지 회로를 가지고 있고 자동적으로 축전지 전원으로 전환합니다. SRAM과 클럭 작동을 유지하는데 필요한 에너지는 정전이 발생할 때 작은 리튬 버튼 전지 공급에 의해 공급될 수 있습니다.

사용자에게 이용 가능한 기능은 비휘발성 시각 표시 클록 / 달력을 포함합니다, 알람이 중단합니다, 감시 타이머와 프로그램 가능한 네모파가 출력했습니다. 다른 특징은 또한 출력 리셋 (RST)를 발생시킬 수 있는 두개의 추가적 튀어오르지 않는 입력 (RSTIN1과 RSTIN2)뿐만 아니라 파워온 리세트도 포함합니다. 8곳 시계 어드레스 위치는 24 시간 BCD 포맷에 두번째의 세기, 년, 달, 날짜, 일, 시간, 분, 두번째와 열번째 / 100번째를 포함합니다. (윤년 28, 29를 위한 수정 - 년 2100년까지) 유효하게, 30과 31 일 달은 자동적으로 만들어집니다. 아홉번째 시계 어드레스 위치는 클럭 정보에 대한 사용자 액세스를 제어하고, 또한 시계 소프트웨어 교정 설정을 저장합니다.

M41T94는 (요구 사용자가 크리스탈과 배터리를 공급했습니다) 또한 16 납 플라스틱 SOIC에서 공급되거나 28이 SOIC SNAPHAT® 법안을 이끕니다 (그것이 한 개의 SNAPHAT 상부에서 양쪽 크리스탈과 배터리를 통합한). 28개 핀, SOIC이 배터리와 크리스탈을 포함하는 분리된 SNAPHAT 주택으로의 직접적 연관을 위해 양쪽 끝에 소켓에 금 도금 접점을 제공하는 330 밀리리터. 고유한 디지안은 SNAPHAT 배터리 / 결정 패키지가 표면 마운트 공정의 완료 뒤에 SOIC 법안의 위에 탑재될 수 있게 허락합니다.

리플로우 뒤에 있는 SNAPHAT 주택의 삽입은 장치 표면 실장에 요구된 고온으로 인해 잠재적 배터리와 결정 파손을 방지합니다. SNAPHAT 주택은 역 삽입을 방지하기 위해 또한 키입력됩니다.

SOIC과 배터리 / 결정 패키지는 플라스틱 안티-스테틱 튜브에서 또는 테이프 & 릴 형식으로 개별적으로 수송됩니다. 배터리인 28 납 SOIC을 위해 / 결정 패키지 (예를 들면, SNAPHAT) 부품번호는 M4TXX-BR12SH입니다


주의 : 이것이 리튬 버튼 전지 배터리를 소모할 것처럼, SNAPHAT 전지 / 크리스탈 상부를 전도성 발포제에 위치시키지 마세요.

절대 최대 정격

기호 매개 변수 가치 유닛
TSTG 저장 온도 (떨어져서 VCC, 떨어져서 진동자) SNAPHAT -40 내지 85 'C
SOIC -55 내지 125 'C
VCC 공급 전압 -0.3 내지 7
TSLD(1) 10 초 동안 땜납 온도를 이끄세요 260 'C
가상 입출력 입력 또는 출력 전압 VCC+0.3에게 -0.3
IO 출력 전류 20
PD 전력 소모 1

1. SO 패키지를 위해, 무연 (Pb-프리가) 마무리에게 다음을 보내게 합니다 260' C (30/2보다 더 큰 것을 위해 245' C를 초과하지 않기 위한 전체 열 다발)의 피크 온도에 있는 리플로우.

주의 : -0.3V 이하 부정적 언더슈트는 배터리 백-업 방식에 있는 동안 어떠한 핀에 따라도 허용되지 않습니다.

주의 : 피해를 입힐 수 있는 SNAPHAT 소켓을 피하기 위한 NOT 파동 땜납 SOIC을 하세요.

주식 호가 (뜨거운 매도)

부품 번호. 브랜드 D/C 패키지
TSML1020 7000 비샤이 16+ NA
UC3843 7000 거리 16+ SOP8
PS2701-1 7002 르네사스 13+ SOP-4
TCA3727G 7002 15+ SOP-28
TLP521-4 7002 토시바 16+ 하락
TPC6104 7008 토시바 16+ SOT-163
FDC697 7100 페어 차일드 14+ SOT-6
HD74LS138P 7100 르네사스 14+ 하락
ICL7660ESA 7100 격언 14+ SOP8
MBRS340T3 7100 ON 16+ SMC
STPS20H100CG 7100 거리 16+ SOT-263
UC2844 7100 ON 13+ SOP14
UT62256CSC-70LL 7100 NA 15+ SOP-28
LM2595 7112 NS 16+ TO-263
HT1621B 7115 홀텍 16+ TSSOP
BZX84-C20 7120 14+ SOT-23
HCPL-7800A 7120 AVAGO 14+ SOP-8
MCP3202-CI/P 7120 마이크로칩 14+ 하락
SN74LS06N 7120 TI 16+ SO14
GP2Y0A02YK0F 7122 전문가 16+ 하락
TOP221 7123 13+ TO220
LOC111P 7188 클레어 15+ SOP8
2SC2412K T146Q 7200 ROHM 16+ SOT23
APM4800 7200 ANPEE 16+ SOP8
APR9600- 7200 APLUS 14+ DIP-28
FDS9958 7200 페어 차일드 14+ SOP-8
ICL7107CPLZ 7200 인터실 14+ DIP-40
IRF2807 7200 IR 16+ TO-220
L7815 7200 거리 16+ TO-220
PS2705-1 7200 르네사스 13+ SOP4

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MOQ:
20pcs