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FDP085N10A 엔-채널 파워트렌치 MOSFET 고전력 MOSFET 트랜지스터

제조 업체:
제조업자
기술:
홀 TO-220-3을 통한 엔-채널 100 V 96A (Tc) 188W (Tc)
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiation
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
소스 전압에 고갈되세요:
100V
한 개의 펄스용 에벌런치 에너지:
269mJ
최대 다이오드 복구 드프 / dt:
6.0V/ns
작동과 보존온도범위:
+175' C에 대한 -55
하이라이트:

electronic integrated circuit

,

linear integrated circuits

도입

FDP085N10A 엔-채널 파워트렌치 MOSFET 고전력 MOSFET 트랜지스터

특징

= 7.35mΩ ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 96A (의) 오우 RDS

오우는 교환 속도를 금식시킵니다

오우 낮은 게이트 요금

극단적으로 낮은 RDS를 위한 오우 고성능 트렌치 기술 (계속)

오우 고전력과 전류 핸들링 능력

오우 로에스 순응합니다
일반 설명
이 엔-채널 MOSFET은 아직 온-상태 저항을 최소화하기 위해 특히 맞춰진 페어 차일드 반도체의 향상 파워트렌치 과정을 사용하여 생산되고 뛰어난 접속품질을 유지합니다.
애플리케이션
오우 직류-직류 변환기

원거리 통신 PSU를 위한 오우 동기 정류

오우 배터리 충전기

오우 AC 모터 드라이브와 무정전 전원장치

오우 오프라인 UPS

열특성

기호 매개 변수 평가 유닛
RθJC 열 저항, 경우에 대한 결합 0.8 'C/W
RθJA 열 저항, 주변에 대한 결합 62.5 'C/W


전형적 성능 특성


주식 리스트의 부품

ZM4749A 10000 비샤이 15+ DO-213AB
ZM4746A 5000 비샤이 15+ DO-213AB
MURA160T3G 25000 ON 16+ DO-214
MRA4005T3G 20000 ON 16+ DO-214AC
B240A-13-F 5000 다이오드 15+ SMA
B260A-13-F 5000 다이오드 16+ SMA
B1100-13-F 10000 다이오드 16+ SMA
MURA215T3G 40000 ON 16+ DO-214
0603ESDA-TR1 20500 쿠퍼 15+ SMD
DL4007-13-F 8100 다이오드 15+ LL41
BAT54WS 15000 PANJIN 15+ SOD323
DL4004 8160 MCC 15+ LL41
BZX85C15 5000 비샤이 14+ DO-41
MCR100-6 20000 ON 16+ SOT-23
MUR160RLG 25000 ON 16+ DO-41
BAT42 15000 비샤이 14+ DO-35
BZX55C12 10000 거리 16+ DO-35
DB3 1275 거리 13+ DO-35
1N4148 9000 거리 16+ DO-35
1N4761A-tap 9000 비샤이 15+ DO-41
DL4001-13-F 8190 다이오드 15+ LL41
PIC16F1823 I / SL 5318 마이크로칩 16+ SOP
P89LPC935FDH 3340 14+ TSSOP
MSS6132-103MLC 6904 COILCRAFT 10+ SMD
MSS1278-184KLD 6897 COILCRAFT 16+ SMD
NLFC453232T-151K 38000 TDK 16+ SMD
PCF8576CT/1 13160 16+ SSOP
LM2940CSX-5.0 10000 NSC 15+ TO-263
LQH43MN470K03L 30000 무라타 16+ SMD
LQH43CN330K03L 38000 무라타 16+ SMD
MSS1260-103MLD 6883 COILCRAFT 10+ SMD
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