MGA-31589-BLKG 0.5 W 전자적 IC 칩 고이득 드라이버 앰프 IC 칩
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
MGA-31589-BLKG 0.5 W 고이득 드라이버 앰프
특징
순응한 오우 ROHS
오우 무독성
낮은 DC 편의 전력 [1]에 있는 오우 고선형성
오우 고이득
오우 저잡음 형태
오우 높은 OIP3
오우 진보적 증가 모드 PHEMT 기술
제품 사양에서 오우 우수한 균일성
오우 SOT-89 표준 패키지
상술
25' C에 있는 (전형적인) 0.9 기가헤르츠, Vdd = 5 V, Idd = 146 마에
오우 OIP3 = 45.3 데이터 베이스 관리 프로그램
오우 소음 Figure = 1.9 dB
오우 Gain = 20.4 dB
오우 P1dB = 27.2 데이터 베이스 관리 프로그램
오우 IRL = 14.0 dB, ORL = 11.6 dB
기술
에바고 기술의 MGA-31589는 표준 SOT-89 플라스틱 패키지에 격납되는 0.5 W, 고이득, 고성능 드라이버 앰프 물건 마이크로파 집적 회로입니다. 장치는 단순한 정합 요소가 특별한 100 내지 200 MHz 대역 폭 이내에 최적의 성능을 달성하도록 요구했습니다. MGA-31589는 특히 1.5가지 기가헤르츠 주파수 범위에 450 마하즈 이내에 작동하는 무선 하부 조직 애플리케이션에 이상적입니다. 높은 IP3과 저잡음 형태로, MGA-31589는 송신 체인에서 드라이버 앰프로서 그리고 수신 연계 회로에서 두번째 또는 세번째 무대 LNA로서 이용될 수 있습니다. 1.5 기가헤르츠부터 3.0 기가헤르츠까지 더 높은 주파수로 최적의 성능을 위해, MGA-31689는 권고됩니다. MGA-31589의 고이득과 고선형성 특징은 에바고 기술의 독점적 0.25 밀리미터 GAA 증진 방식 페엠티 과정을 이용하여 달성됩니다.
MGA-31589 절대 최대 정격
기호 | 매개 변수 | 유닛 | 절대적 맥스. |
프드드, 최대 | 드레인 전압, RF 출력이 의거합니다 | V | 5.5 |
Pd | 전력 소모 (2) | mW | 1050 |
핀 | CW RF 입력 전원 | 데이터 베이스 관리 프로그램 | 17 |
트제이 | 접합 온도 | 'C | 150 |
TSTG | 저장 온도 | 'C | -65 내지 150 |
700 마하즈에 대한 MGA-31589 응용 서킷 데이터
TA = 25' C, Vdd = 5 V, Idd = 146 마
주식 호가 (뜨거운 매도)
부품 번호. | 양 | 브랜드 | D/C | 패키지 |
PCA9532PW | 12140 | 15+ | TSSOP | |
AZ75232GTR-E1 | 1052 | BCD | 11+ | TSSOP20 |
CS6422-CSZR | 1453 | 사이러스 | 14+ | SOP |
Z85C3008PSC | 450 | 자일로그 | 06+ | DIP-40 |
LT6700CS6-3#TRPBF | 14614 | 선형 | 15+ | 술고래 |
MC34164D-3R2G | 3472 | ON | 10+ | SOP |
34992* | 2102 | 보쉬 | 15+ | ZIP-15 |
30651 | 907 | 보쉬 | 11+ | QFP-64 |
PIC16F873A I / 그렇게 | 4903 | 마이크로칩 | 16+ | SOP |
LT3980EMSE | 5605 | LT | 13+ | MSOP |
MC74HC4538AN | 4782 | ON | 10+ | 하락 |
MMSZ4680T1 | 20000 | ON | 10+ | SOD-123 |
MAX232DR | 30000 | TI | 16+ | SOP |
MAX232CSE | 30000 | 격언 | 16+ | SOP |
MAX232ECPWR | 8150 | TI | 15+ | TSSOP |
CLRC66301HN | 1178 | 13+ | QFN32 | |
N82S23AN | 3650 | 필립 | 14+ | 하락 |
MMA8453QT | 4412 | 프리스케일 | 13+ | QFN |
MC56F8013VFAE | 3580 | 프리스케일 | 16+ | QFP |
MBR1100 | 25000 | ON | 16+ | DO-41 |
QG82945GSE SLB2R | 300 | 인텔 | 09+ | BGA |
MC44603AP | 3532 | ON | 10+ | 하락 |
LTC2262CUJ-14 | 638 | 선형 | 15+ | QFN |
MBRF2545CTG | 17618 | ON | 11+ | TO-220 |
MCP9803T-M / SN | 5716 | 마이크로칩 | 14+ | SOIC |
L5973ADTR | 3873 | 거리 | 15+ | SOP8 |
MJD50T4G | 38000 | ON | 16+ | SOT-252 |
PIC18F2620 I / SP | 4513 | 마이크로칩 | 10+ | 하락 |
PC716V | 11580 | 전문가 | 16+ | 하락 |
LTC4355IMS | 6363 | 선형 | 15+ | MSOP |

0402 0.063W 10kOhm SMT 후막 칩 저항기 RC0402JR-0710KL

200MHz 전원 라인 TDK SMD0603을 위한 MPZ1608S300ATAH0 칩 비즈 5A

22R 5% SMD0402 필름 칩 저항기 ERJ-2GEJ220X 파나소닉

MOV-20D751K 750V 6.5kA 바리스터 푸른 SMD 칩 저항기 1 회로 관통 홀은 20 밀리미터를 디스크로 만듭니다

2SB1261-tp 10W 다용도의 정류 다이오드 실리콘 에피타키샤르프레나 PNP 트랜지스터

IXFK140N30P 극 파워 모스펫 하이퍼페트 TO264 300V 140A

DF2B29FU,H3F 텔레비전 24VWM 47V ESD 보호 다이오드

PMEG6010ER 1A 낮은 VF 엄청나게 큰 쇼트키 접합 정류기 SOD123

SK34SMA 3A SMD 쇼트키 접합 정류 다이오드는 - 214AC을 합니다

SMBJ5.0A 실리콘 애벌런치 다이오드 600W 표면 부착 전압 억제 다이오드
이미지 | 부분 # | 기술 | |
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0402 0.063W 10kOhm SMT 후막 칩 저항기 RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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200MHz 전원 라인 TDK SMD0603을 위한 MPZ1608S300ATAH0 칩 비즈 5A |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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22R 5% SMD0402 필름 칩 저항기 ERJ-2GEJ220X 파나소닉 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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MOV-20D751K 750V 6.5kA 바리스터 푸른 SMD 칩 저항기 1 회로 관통 홀은 20 밀리미터를 디스크로 만듭니다 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
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2SB1261-tp 10W 다용도의 정류 다이오드 실리콘 에피타키샤르프레나 PNP 트랜지스터 |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P 극 파워 모스펫 하이퍼페트 TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FU,H3F 텔레비전 24VWM 47V ESD 보호 다이오드 |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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PMEG6010ER 1A 낮은 VF 엄청나게 큰 쇼트키 접합 정류기 SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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SK34SMA 3A SMD 쇼트키 접합 정류 다이오드는 - 214AC을 합니다 |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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SMBJ5.0A 실리콘 애벌런치 다이오드 600W 표면 부착 전압 억제 다이오드 |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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