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새롭 & 원래 듀얼 1.5A-성수기 로우-측 MOSFET 드라이버 MIC4426BN

제조 업체:
제조업자
기술:
로우-측 게이트 드라이버 IC 반전하는 8-pdip
범주:
집적 회로 칩
가격:
Negotiate
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
공급 전압:
+22V
입력 전압:
국민 총수요 - 5V에 대한 VS + 0.3V
접합 온도:
150' C
저장 온도:
+150' C에 대한 -65' C
리드온도 (10 초.):
300' C
피크 출력전류:
1.5A
하이라이트:

small scale integrated circuits

,

integrated components

도입

MIC4426/4427/4428

듀얼 1.5A-성수기 로우-측 MOSFET 드라이버

일반 설명

MIC4426/4427/4428 가정은 저 전력 소모와 고효율을 위한 BiCMOS/DMOS 과정 상에서 제조된 고신뢰성 듀얼 로우 측 MOSFET 운전자입니다. 이러한 운전자는 양공급 또는 지상 중 25mV 이내에 흔들리는 전압 레벨을 출력하기 위해 TTL 또는 CMOS 입력 논리 레벨을 번역합니다. 비슷한 바이폴라 소자는 공급 중 1V 이내에 단지 휙 닫힐 수 있습니다. MIC4426/7/8은 3가지 구성에 이용할 수 있습니다 : 듀얼 반전하는, 듀얼 비전환과 한개 비전환 출력 외에 반전한 1. MIC4426/4427/4428은 향상된 전기적 성능과 울퉁불퉁한 디자인으로 MIC426/427/428과 MIC1426/1427/1428을 핀 호환 대체입니다 (기기 교체에 대한 레퍼가 다음 페이지에 목록화됩니다). 그들은 접지 핀에 래칭하고 최고 5V까지 잡음 스파이크 (또한 극성) 없이 역류 (또한 극성)의 최고 500mA에 견딜 수 있습니다.

주로 파워 모스펫을 운전해서 계획되어 MIC4426/7/8 운전자는 로 임피던스와 최고 지점 전류와 고속스위칭 시간을 요구하는 다른 부하 (전기 용량, 저항력이 있는 또는 귀납적인) 운전하는데 적합합니다. 다른 애플리케이션은 심하게 로딩된 클록 라인 또는 동축 케이블 또는 압전 변환기를 운전할 것을 포함합니다. 유일한 부하 한계는 전체 운전자 전력 소모가 패키지의 한계를 넘지 않아야 한다는 것입니다.

특징

오우 양극성 / CMOS / 이중 확산 금속 산화물 반도체 구조

>500mA 역류에 대한 오우 래치 업 방지

오우 1.5A 피크 출력전류

오우 4.5V 내지 18V 동작 범위

오우 낮은 정지 공급 경향

논리 1 입력에 있는 4mA

논리 0 입력에 있는 400uA

25 나노 초에서 오우 스위치 1000pF

오우 조화된 상승과 폐결핵 환자 시간

오우 7Ω 출력 임피던스

오우 < 40ns="" typical="" delay="">

공급 전압으로부터 독립한 오우 논리 입력 한계

-5V에 대한 오우 논리 입력 보호

오우 6pF 전형적 동등한 입력 전기 용량

오우 25mV 최대. 출력은 공급 또는 땅으로부터 오프셋되었습니다

오우는 MIC426/427/428과 MIC1426/1427/1428을 대체합니다

뒤집은 이원적인 오우와 듀얼 비전환과 구성을 논인버팅 inverting/

오우 ESD 보호

애플리케이션

오우 MOSFET 드라이버

오우 클록 라인 드라이버

오우 동축 케이블 드라이버

오우 압전 트랜스듀서 드라이버

기능도

핀 형상

핀 설명

핀 번호 핀 네임 핀의기능
1,8 NC 내부로 연결되지 않습니다
2 INA 제어 입력 A : TTL / CMOS 양립 로직 입력.
3 국민 총수요
4 INB 제어 입력 비 : TTL / CMOS 양립 로직 입력.
5 OUTB 출력 비 : CMOS 토템 폴 출력.
6 VS 공급기 입력 : +4.5V 내지 +18V
7 OUTA 출력 A : CMOS 토템 폴 출력.

절대 최대 정격 (1을 주목합니다)

공급 전압 (VS).................................................... +22V

입력 전압 (VIN)......................... 국민 총수요 - 5V에 대한 VS + 0.3V

접합 온도 (TJ)........................................ 150' C

저장 온도............................... +150' C에 대한 -65' C

온도 (10 sec.)를 이끄세요...................................... 300' C

ESD 평가, 3이 주목합니다

작동 평가 (기록 2)

공급 전압 (VS)..................................... +4.5V 내지 +18V

온도 범위 (TA)

(A) ........................................................ +125' C에 대한 -55' C

(B) .......................................................... +85' C에 대한 -40' C

패키지 열 저항

PDIP θJA............................................................130' C/W

PDIP θJC.............................................................42' C/W

SOIC θJA...........................................................120' C/W

SOIC θJC.............................................................75' C/W

MSOP θJC......................................................... 250' C/W

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