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L6385D 전자 집적 회로 집적 회로 칩 고전압 높고 낮 측면 드라이버

제조 업체:
제조업자
범주:
플래쉬 메모리 IC 칩
가격:
Negotiate
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
출력 전압:
프부트 - 18 V에 대한 -3
공급 전압:
- +18 V에 대한 0.3
플로우팅 공급 전압:
- 1 내지 618 V
상부 게이트 출력 전압:
- 프부트 V에 대한 1
허락된 출력 슬루율:
50 V/ns
접합 온도:
150℃
하이라이트:

chip in electronics

,

integrated components

도입

L6385

HIGH-VOLTAGE 높고 낮측면 드라이버

  • 높은 전압 레일 최고 600까지 V
  • 가득 찬 온도 범위에서 dV/dt 면책 +- 50 V/nsec
  • 드라이버 전기 성능 :
    • 400이지 마 원천,
    • 650개 마 싱크
  • 스위칭 타임즈 50/30 nsec 상승 / 하락 WITH 1nF 로드
  • CMOS / TTL 슈미트는 이력현상과 입력을 일으키고, 끌어 넘어뜨립니다
  • 하부와 상부 구동부에 전압 공장 폐쇄 하에
  • 내부 부트스트랩 다이오드
  • 입력과 동조하여 출력

기술

L6385는 BCD 오프라인이 기술에 의해 제조되는 고전압 장치입니다. 그것은 독립적 언급된 엔 채널 전력 MOS 또는 IGBT를 운전하기 위해 가능하게 하는 드라이버 구조를 가집니다. 상위 (플로팅) 부문은 전압 레일 최고 600V와 함께 일할 수 있게 합니다. 논리 입력은 제어 장치와 연결되는 것이 용이하도록 CMOS / TTL 호환 가능입니다.

절대 최대 정격

기호 매개 변수 가치 유닛
출력전압 출력 전압 프부트 - 18에 대한 -3
프크크 공급 전압 - +18에 대한 0.3
프부트 플로우팅 공급 전압 - 1 내지 618
프하브그 상부 게이트 출력 전압 - 프부트에 대한 1
프라이브그 하층 게이트 출력 전압 프크크 +0.3에 대한 -0.3
Vi 논리 입력 전압 프크크 +0.3에 대한 -0.3
dVout/dt 허락된 출력 슬루율 50 V/ns
피티오트 전력 총손실 (Tj = 85 'C) 750 mW
트제이 접합 온도 150 'C
Ts 저장 온도 -50 내지 150 'C

기록 : 핀 6, 7과 8를 위한 ESD 면역은 900V (휴먼 바디 모델)까지 보증됩니다

회로 구성도

핀 연결

주식 호가 (뜨거운 매도)

부품 번호. Q'ty 제조 D/C 패키지
AZC002-02N.R7F 2000 놀랍습니다 08+ SOT-143
LM7372MR 852 NSC 14+ SOP-8
LM4040D25IDBZR 5467 TI 15+ SOT-23
LM7372MRX 719 TI 14+ SOP-8
LM4040C25IDBZR 4765 TI 15+ SOT-23
LM2675MX-ADJ 3000 NSC 14+ SOP-8
MPXV5010DP 6169 프리스케일 14+ SMD
LM7815CT 8548 NSC 14+ TO-220
MIC2026-1YM 6358 마이클렐 16+ SOP
MCP2515 I / 거리 5224 마이크로칩 15+ TSSOP
AAT3236IGV-3.3-T1 15000 아날로직 15+ SOT23-5
NE5532P 10000 TI 16+ 하락
LM833N 5074 NSC 15+ DIP-16
LTC4242CG 6415 선형 14+ SSOP
LT3580EMS8E#TRPBF 3426 선형 10+ MSOP
MCP2120 I / SL 5140 마이크로칩 14+ SOP
MCP1416RT-E / OT 4966 마이크로칩 14+ SOT-23
MAX1921EUT33+T 7400 격언 10+ 술고래
OPA2677U 7220 TI 16+ SOP-8
LM393DR 40000 TI 15+ SOP-8
BQ24702PWG4 5600 TI 12+ TSSOP24

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