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M74HCT14B1 전자공학적 성분 전자 장치와 집적 회로 마법 슈미트 인버터

제조 업체:
제조업자
범주:
플래쉬 메모리 IC 칩
가격:
Negotiate
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
공급 전압:
+7 V에 대한 -0.5
직류 입력 전압:
VCC + 0.5 V에 대한 -0.5
DC 입력 다이오드 경향:
± 20 마
전력 소모:
500 mW
저장 온도:
+150 C에 대한 -65
리드온도 (10 초):
300 C
하이라이트:

chip in electronics

,

integrated components

도입

M74HCT14B1 전자공학적 성분 전자 장치와 집적 회로 마법 슈미트 인버터

M54HCT14

M74HCT14

마법 슈미트 인버터

오우 고속도

tPD = 16 나노 초 (TYP.) VCC =5V에

오우 저출력 소실

TA = 25 'C에 있는 ICC = 1 uA (최대)

오우 높은 것 잡음 면역성

VH = 0.7 V (TYP.) VCC =5V에

오우 출력 드라이브 용량 10 저전력 쇼트키 트랜지스터 트랜지스터 논리 LOADS

오우 대칭적인 출력 임피던스

= IOL = 4 마 (민.)

오우 BALANCED 증식 DELAYS

트플에 = 티피하들

오우 핀 앤드 함수 호환기 WITH 54/74LS14

기술

M54/74HCT14는 실리콘 C2 게이트 모스 기술에서 제조된 고속도 CMOS 마법 슈미트 인버터입니다. 그것은 소비를 저전력 쇼트키 트랜지스터 트랜지스터 논리의 똑같은 고속 성능을 사실인 CMOS 저 소비 전력에 결합되게 합니다. 핀 형상과 기능은 HCT04의 그것들과 같지만 모든 입력이 0.7 V 이력 수준을 가집니다.그것의 슈미트 트리거 기능과 함께 이것은 그것이 완만한 상승 / 하락 입력 신호와 라인 리시버들에 사용될 수 있게 허락합니다. 이 집적 회로는 54/74 저전력 쇼트키 트랜지스터 트랜지스터 논리 논리 집단들과 완전히 호환 가능한 입력과 출력 특성을 가지고 있습니다. M54/74HCT 장치는 직접적으로 HSC2 MOS 체제를 TTL과 NMOS 부품과 공유하도록 설계됩니다. 그들은 또한 소비 전력의 감소를 주는 저전력 쇼트키 트랜지스터 트랜지스터 논리 장치을 플러그인 대체입니다.모든 입력은 프로를 갖추고 있습니다

절대 최대 정격

기호 매개 변수 가치 유닛
VCC 공급 전압 +7에 대한 -0.5
VI 직류 입력 전압 VCC + 0.5에 대한 -0.5
DC 출력 전압 VCC + 0.5에 대한 -0.5
IIK DC 입력 다이오드 경향 ± 20
IOK dc 출력 다이오드 전류 ± 20
IO 출력 핀 당 dc 출력 원천 싱크 전류 ± 25
ICC 또는 IGND DC VCC 또는 접지전류 ± 50
PD 전력 소모 500 (*) mW
트스트그 저장 온도 +150에 대한 -65
TL 리드온도 (10 초) 300

절대적 맥시멈라팅스는 위치다마게 토디 장치을 넘어 그 가치가 발생할지도 모른다는 것 입니다. 이러한 조건 하에 기능의 운용은 이스노티 햄프리트.

(*) 500 mW : 65 C는 10mW/C에 의해 300 mW에 낮춥니다 : 85 C에 대한 65 C

입력과 출력 등가 회로

핀 CONNECTIONS (톱 뷰)

논리도 / 파형

스위칭 특성 시험 회로

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