필터
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전자적 IC 칩
| 이미지 | 부분 # | 기술 | 제조 업체 | 주식 | 가격 요구 | |
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새로운 LMZ31710RVQR와 원종축 |
비고립형 PoL 모듈 DC dc 컨버터 1 출력 0.6 ~ 5.5V 10A 2.95V - 17V 입력
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텍사스 인스트루먼트
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새로운 H5007NLT와 원종축 |
절연 및 데이터 인터페이스(캡슐화) 펄스 변압기 1CT:1CT 표면 실장
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제조업자
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새로운 PTH04000WAH와 원종축 |
비고립형 PoL 모듈 DC dc 컨버터 1 출력 0.9 ~ 3.6V 3A 3V - 5.5V 입력
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텍사스 인스트루먼트
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새로운 ADUM4160BRWZ와 원종축 |
USB 디지털 절연체 5000Vrms 1 채널 12Mbps 25kV/us CMTI 16 SOIC (0.295 ", 7.50 밀리미터 폭)
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아날로그 디바이스주
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새로운 ADUM5401WCRWZ와 원종축 |
다용도의 디지털 절연체 2500Vrms 4 채널 25Mbps 25kV/us CMTI 16 SOIC (0.295 ", 7.50 밀리미터 폭)
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아날로그 디바이스주
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새로운 ADUM7442CRQZ와 원종축 |
다용도의 디지털 절연체 1000Vrms 4 채널 25Mbps 15kV/us CMTI 16 SSOP (0.154 ", 3.90 밀리미터 폭)
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아날로그 디바이스주
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새롭고 원래인 AS3933-BTST는 비축합니다 |
rfid 판독기 IC 15kHz ~ 150kHz 2.4V ~ 3.6V 16 TSSOP (0.173 ", 4.40 밀리미터 폭)
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제조업자
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새로운 CC1175RHBR와 원종축 |
RF 송신기 ISM, SRD 164MHz ~ 192MHz, 274MHz ~ 320MHz, 410MHz ~ 480MHz, 820MHz ~ 960MHz 16dBm 200 킬로보우 PC
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텍사스 인스트루먼트
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새로운 AD8314ARMZ-REEL 전자적 IC 칩과 원종축 |
RF 검출기 IC 셀 방식이, GSM, TDMA, CDMA 100MHz ~ 2.7GHz -45dBm ~ 0dBm 8 TSSOP, 8 MSOP (0.118 ", 3.00 밀리미터 폭
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아날로그 디바이스주
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새로운 AD8342ACPZ-REEL7 전자적 IC 칩과 원종축 |
RF 믹서 IC 셀룰러, ISM 업/다운 컨버터 0Hz ~ 2.4GHz 16-LFCSP-WQ(3x3)
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아날로그 디바이스주
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새로운 AD8314ARMZ 전자적 IC 칩과 원종축 |
RF 검출기 IC 셀 방식이, GSM, TDMA, CDMA 100MHz ~ 2.7GHz -45dBm ~ 0dBm 8 TSSOP, 8 MSOP (0.118 ", 3.00 밀리미터 폭
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아날로그 디바이스주
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새로운 AD8361ARTZ-RL7 전자적 IC 칩과 원종축 |
셀 방식인 RF 검출기 IC, CDMA, 비동기 방식 광대역 코드 100MHz ~ 2.5GHz 0 ~ 700mV ±0.25dB SOT-23-6
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아날로그 디바이스주
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새로운 AD8345AREZ 전자적 IC 칩과 원종축 |
주파수 변조기 IC 140MHz ~ 1GHz 16 TSSOP (0.173 ", 4.40 밀리미터 폭) 노출된 패드
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아날로그 디바이스주
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새로운 AD8347ARUZ 전자적 IC 칩과 원종축 |
RF 복조기 집적 회로 800MHz ~ 2.7GHz 28 TSSOP (0.173 ", 4.40 밀리미터 폭)
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아날로그 디바이스주
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ESP-WROOM-S2를 기반으로 하는 노뎀쿠 공격하의 발사 와이파이 인터넷 모듈 개발 보드 피크바 게시판 |
와이파이 802.11b/g/n 송수신기 모듈 2.4GHz ~ 2.5GHz 통합된, 추적 표면 부착
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제조업자
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ESP32-D2WD 와이파이 블루투스 개발 보드 ESP-WROOM-32 ESP-32S |
IC RF 트스르크스 + MCU 블루투스, 와이파이 802.11b/g/n, 블루투스 4.2 2.4GHz 48-VFQFN 노출된 패드
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제조업자
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NodeMCU-32S 공격하의 발사 와이파이 이엇 개발 보드 듀얼 코어 기반을 둔 OnESP32-D0WDR2-V3 |
IC RF 트스르크스 + MCU 블루투스, 와이파이 802.11b/g/n, 블루투스 v4.2 + EDR, 등급 1, 2와 3 2.4GHz 48-VFQFN 노출된 패드
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제조업자
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정확성 ESP32-S3R2 와이파이 모듈 4MB 플래시 UNO D1 R32 CH340G 이사회 |
Ｃ RF 트스르크스 + MCU 블루투스, 와이파이 802.11b/g/n, 블루투스 v5.0 2.412GHz ~ 2.484GHz 56-VFQFN 노출된 패드
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제조업자
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ESP32-S3R8 기본 코아 이엇 개발 키트 NodeMCU-32S 공격하의 발사 와이파이 모듈 |
IC RF 트스르크스 + MCU 블루투스, 와이파이 802.11b/g/n, 블루투스 v5.0 2.412GHz ~ 2.484GHz 56-VFQFN 노출된 패드
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제조업자
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이엇 개발 보드 장비 노뎀쿠 공격하의 발사 와이파이 ESP8266EX |
IC RF 트스르크스 + MCU 와이파이 802.11b/g/n 2.4GHz 32-VFQFN 노출된 패드
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제조업자
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새로운 TAJC106M020RNJ와 원종축 |
10 우프는 탄탈룸 축전기 20 Ｖ 2312 (6032 측정) 1.2Ohm을 성형했습니다
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쿄세라 AVX
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새로운 TAJA106M006RNJ와 원종축 |
10 µF 성형 탄탈륨 커패시터 6.3 V 1206(3216 미터법) 4옴
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쿄세라 AVX
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새로운 TAJD687M004RNJ와 원종축 |
680 µF 성형 탄탈륨 커패시터 4 V 2917(7343 미터법) 500m옴
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쿄세라 AVX
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새로운 TAJV108M004RNJ와 원종축 |
1000 µF 성형 탄탈륨 커패시터 4 V 2924(7361 미터법) 200m옴
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쿄세라 AVX
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새로운 TAJA335M016RNJ 탄탈룸 축전기와 원종축 |
3.3 µF 성형 탄탈륨 커패시터 16 V 1206(3216 미터법) 5옴
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쿄세라 AVX
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새로운 TAJE477M004RNJ와 원종축 |
470 µF 성형 탄탈륨 커패시터 4 V 2917(7343 미터법) 500m옴
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쿄세라 AVX
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새로운 TAJD477M004RNJ와 원종축 |
470 µF 성형 탄탈륨 커패시터 4 V 2917(7343 미터법) 900m옴
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새로운 TAJE477M010RNJ 탄탈룸 축전기와 원종축 |
470 µF 성형 탄탈륨 커패시터 10 V 2917(7343 미터법) 500m옴
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쿄세라 AVX
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새로운 TAJD337M004RNJ와 원종축 |
탄탈룸 축전기
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새로운 TAJC157M004RNJ와 원종축 |
150 µF 성형 탄탈륨 커패시터 4 V 2312(6032 미터법) 300m옴
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새로운 TAJC227M004RNJ와 원종축 |
220 µF 성형 탄탈륨 커패시터 4 V 2312(6032 미터법) 1.2옴
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새로운 TAJB157M004RNJ와 원종축 |
150 µF 성형 탄탈륨 커패시터 4 V 1411(3528 미터법), 1210 1.5옴
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새로운 TAJD157K006RNJ 탄탈룸 축전기와 원종축 |
150 우프는 100kHz에 탄탈룸 축전기 6.3 Ｖ 2917 (7343 측정) 900mOhm을 성형했습니다
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새로운 TAJV477M010RNJ 탄탈룸 축전기와 원종축 |
470 우프는 탄탈룸 축전기 10 Ｖ 2924 (7361 측정) 500mOhm을 성형했습니다
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새로운 TAJE687M004RNJ와 원종축 |
680 µF 성형 탄탈륨 커패시터 4 V 2917(7343 미터법) 900m옴
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새로운 TAJB107M004RNJ와 원종축 |
100 µF 성형 탄탈륨 커패시터 4 V 1411(3528 미터법), 1210 900m옴
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새로운 TAJE108M004RNJ와 원종축 |
1000 µF 성형 탄탈륨 커패시터 4 V 2917(7343 미터법) 400m옴
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새로운 TAJC337M004RNJ와 원종축 |
330 µF 성형 탄탈륨 커패시터 4 V 2312(6032 미터법) 300m옴
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새로운 TAJB686M004RNJ와 원종축 |
68 µF 성형 탄탈륨 커패시터 4 V 1411(3528 미터법), 1210 1.8옴
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새로운 TAJC227K006RNJ 탄탈룸 축전기와 원종축 |
220 우프는 탄탈룸 축전기 6.3 Ｖ 2312 (6032 측정) 1.2Ohm을 성형했습니다
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새로운 TAJA476M004RNJ와 원종축 |
47 µF 성형 탄탈륨 커패시터 4 V 1206(3216 미터법) 2.6옴
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새로운 TAJD227M010RNJ 탄탈룸 축전기와 원종축 |
220 µF 성형 탄탈륨 커패시터 10 V 2917(7343 미터법) 500m옴
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새로운 TAJD227M004RNJ와 원종축 |
220 µF 성형 탄탈륨 커패시터 4 V 2917(7343 미터법) 900m옴
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새로운 TAJA336M004RNJ와 원종축 |
33 µF 성형 탄탈륨 커패시터 4 V 1206(3216 미터법) 3옴
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새로운 TAJC107K006RNJ 탄탈룸 축전기와 원종축 |
100 µF 성형 탄탈륨 커패시터 6.3 V 2312(6032 미터법) 900m옴
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새로운 TAJV158M002RNJ와 원종축 |
1500 µF 성형 탄탈륨 커패시터 2.5 V 2924(7361 미터법) 200m옴
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새로운 TAJE108M002RNJ와 원종축 |
1000 µF 성형 탄탈륨 커패시터 2.5 V 2917(7343 미터법) 400m옴
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새로운 TAJD687M002RNJ와 원종축 |
680 µF 성형 탄탈륨 커패시터 2.5 V 2917(7343 미터법) 200m옴
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쿄세라 AVX
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새로운 TAJB157M002RNJ와 원종축 |
150 µF 성형 탄탈륨 커패시터 2.5 V 1411(3528 미터법), 1210 1.6옴
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새로운 DSEI2X61-12B와 원종축 |
다이오드 어레이 2 독립적 1200 Ｖ 52A 샤시 SOT-227-4 탑재, 미니브로크
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제조업자
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