필터
필터
전자적 IC 칩
| 이미지 | 부분 # | 기술 | 제조 업체 | 주식 | 가격 요구 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
새로운 BC846ALT1G와 원종축 |
양극성 (BJT) 트랜지스터 NPN 65 Ｖ 100 마 100MHz 300 mW 표면 부착 SOT-23-3 (TO-236)
|
ON Semi / 촉매 Semi
|
|
|
|
|
|
새로운 BC846A,235와 원종축 |
양극성 (BJT) 트랜지스터 NPN 65 Ｖ 100 마 100MHz 250 mW 표면 부착 TO-236AB
|
제조업자
|
|
|
|
|
|
새로운 BC846A,215와 원종축 |
양극성 (BJT) 트랜지스터 NPN 65 Ｖ 100 마 100MHz 250 mW 표면 부착 TO-236AB
|
제조업자
|
|
|
|
|
|
새로운 BC846B,215와 원종축 |
양극성 (BJT) 트랜지스터 NPN 65 Ｖ 100 마 100MHz 250 mW 표면 부착 TO-236AB
|
제조업자
|
|
|
|
|
|
새로운 BC846B,235와 원종축 |
양극성 (BJT) 트랜지스터 NPN 65 Ｖ 100 마 100MHz 250 mW 표면 부착 TO-236AB
|
제조업자
|
|
|
|
|
|
새로운 BC846BW-7-F와 원종축 |
양극성 (BJT) 트랜지스터 NPN 65 Ｖ 100 마 300MHz 200 mW 표면 부착 SOT-323
|
제조업자
|
|
|
|
|
|
새로운 BAV23-7 전자적 IC 칩과 원종축 |
다이오드 어레이 2 독립적 200 Ｖ 400mA (DC) 표면 부착 TO-253-4, TO-253AA
|
제조업자
|
|
|
|
|
|
새로운 BC846BLT3G와 원종축 |
양극성 (BJT) 트랜지스터 NPN 65 Ｖ 100 마 100MHz 300 mW 표면 부착 SOT-23-3 (TO-236)
|
ON Semi / 촉매 Semi
|
|
|
|
|
|
새로운 BC847BW 전자적 IC 칩과 원종축 |
양극성 (BJT) 트랜지스터 NPN 45 Ｖ 100 마 100MHz 200 mW 표면 부착 SOT-323
|
제조업자
|
|
|
|
|
|
새로운 USBG-8X-RS232와 원종축 |
USB 8은 일련 DB-9 RS-232 AD를 포팅시킵니다
|
제조업자
|
|
|
|
|
|
새로운 ASX340CS2C00SPED0-DRBR1과 원종축 |
CMOS 이미지 센서 720H Ｘ 560V 5.6 um Ｘ 5.6 um
|
ON Semi / 촉매 Semi
|
|
|
|
|
|
새로운 ASX340CS2C00SPED0-DPBR1과 원종축 |
CMOS 이미지 센서 720H Ｘ 560V 5.6 um Ｘ 5.6 um 63 IBGA (7.5x7.5)
|
ON Semi / 촉매 Semi
|
|
|
|
|
|
새로운 MJE13001 AP과 원종축 |
양극성 (BJT) 트랜지스터 NPN 400 Ｖ 200 마 8MHz 1 Ｗ 관통 홀 TO-92
|
제조업자
|
|
|
|
|
|
새로운 CC2420-RTB1과 원종축 |
IC RF 트스르크스 단지 802.15.4 Zigbee® 2.4GHz 48-VFQFN 노출된 패드
|
텍사스 인스트루먼트
|
|
|
|
|
|
새로운 CC2420Z-RTR1과 원종축 |
IC RF 트스르크스 단지 802.15.4 Zigbee® 2.4GHz 48-VFQFN 노출된 패드
|
텍사스 인스트루먼트
|
|
|
|
|
|
새로운 CC2420-RTR1과 원종축 |
IC RF 트스르크스 단지 802.15.4 Zigbee® 2.4GHz 48-VFQFN 노출된 패드
|
텍사스 인스트루먼트
|
|
|
|
|
|
새로운 CC2420ZRTCR와 원종축 |
IC RF 트스르크스 단지 802.15.4 Zigbee® 2.4GHz 48-VFQFN 노출된 패드
|
텍사스 인스트루먼트
|
|
|
|
|
|
새로운 CC2420ZRTC와 원종축 |
IC RF 트스르크스 단지 802.15.4 Zigbee® 2.4GHz 48-VFQFN 노출된 패드
|
텍사스 인스트루먼트
|
|
|
|
|
|
새로운 CC2420RTC와 원종축 |
IC RF 트스르크스 단지 802.15.4 Zigbee® 2.4GHz 48-VFQFN 노출된 패드
|
텍사스 인스트루먼트
|
|
|
|
|
|
새로운 CC2420RTCT와 원종축 |
IC RF 트스르크스 단지 802.15.4 Zigbee® 2.4GHz 48-VFQFN 노출된 패드
|
텍사스 인스트루먼트
|
|
|
|
|
|
새로운 CC2420RTCR와 원종축 |
IC RF 트스르크스 단지 802.15.4 Zigbee® 2.4GHz 48-VFQFN 노출된 패드
|
텍사스 인스트루먼트
|
|
|
|
|
|
새로운 CC2420Z-RTB1과 원종축 |
IC RF 트스르크스 단지 802.15.4 Zigbee® 2.4GHz 48-VFQFN 노출된 패드
|
제조업자
|
|
|
|
|
|
새로운 CC2420RGZR 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
IC RF 트스르크스 단지 802.15.4 Zigbee® 2.4GHz 48-VFQFN 노출된 패드
|
텍사스 인스트루먼트
|
|
|
|
|
|
새로운 CC2420RGZT 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
IC RF 트스르크스 단지 802.15.4 Zigbee® 2.4GHz 48-VFQFN 노출된 패드
|
텍사스 인스트루먼트
|
|
|
|
|
|
새로운 CC2541F256RHAR 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
IC RF 트스르크스 + MCU 블루투스 블루투스 v5.0 2.4GHz 40-VFQFN 노출된 패드
|
텍사스 인스트루먼트
|
|
|
|
|
|
새로운 SMAJ24CA-13-F와 원종축 |
38.9V 클램프 10.3A Ipp Tvs 다이오드 표면 실장 SMA
|
제조업자
|
|
|
|
|
|
새로운 SLVU2.8-4와 원종축 |
20V 클램프 30A(8/20µs) Ipp Tvs 다이오드 표면 실장 8-SO
|
제조업자
|
|
|
|
|
|
새로운 SS510B와 원종축 |
다이오드 100V 5A 표면 실장 SMB
|
제조업자
|
|
|
|
|
|
새로운 BC57E687C-GITB-E4 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
C RF TxRx + MCU Bluetooth Bluetooth v2.1 +EDR, 클래스 2 및 3 2.4GHz 169-TFBGA
|
제조업자
|
|
|
|
|
|
새로운 BCM846S 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
양극(BJT) 트랜지스터 어레이 2 NPN(이중) 65V 100mA 250MHz 250mW 표면 실장 PG-SOT363-PO
|
인피네온
|
|
|
|
|
|
새로운 MFRC53101T/0FE,112 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
RFID 판독기 IC 13.56MHz ISO 14443, MIFARE SPI 3.3V ~ 5V 32-SOIC(0.295", 7.50mm 폭)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
새로운 MJE2955T 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
양극(BJT) 트랜지스터 PNP 60V 10A 2MHz 75W 스루홀 TO-220
|
스트미크로일렉트로닉스
|
|
|
|
|
|
새로운 MMBT5771 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
양극(BJT) 트랜지스터 PNP 15V 200mA 225mW 표면 실장 SOT-23-3
|
ON Semi / 촉매 Semi
|
|
|
|
|
|
새로운 ACPL-227-500E 순간 메모리용 IC과 원종축 |
광절연기 트랜지스터 출력 3000Vrms 2 채널 8-SO
|
제조업자
|
|
|
|
|
|
새로운 ADUM1401ARWZ 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
범용 디지털 절연기 2500Vrms 4 채널 1Mbps 25kV/µs CMTI 16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭)
|
아날로그 디바이스주
|
|
|
|
|
|
새로운 RD6.2MW-T1B-A와 원종축 |
클램프 Ipp Tvs 다이오드 표면 실장 SC-59
|
르네사스
|
|
|
|
|
|
새로운 KTA1281-O-AP 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
양극(BJT) 트랜지스터 PNP 50 V 2 A 100MHz 1 W 스루홀 TO-92
|
제조업자
|
|
|
|
|
|
새로운 MAX3208EAUB+T 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
클램프 Ipp Tvs 다이오드 표면 실장 10-uMAX/uSOP
|
아날로그 디바이스주
|
|
|
|
|
|
새로운 NDT3055L과 원종축 |
N채널 60V 4A(Ta) 3W(Ta) 표면 실장 SOT-223-4
|
ON Semi / 촉매 Semi
|
|
|
|
|
|
새로운 NTD4302G와 원종축 |
N채널 30V 8.4A(Ta), 68A(Tc) 1.04W(Ta), 75W(Tc) 표면 실장 DPAK
|
ON Semi / 촉매 Semi
|
|
|
|
|
|
새로운 OV10633-C96A와 원종축 |
프로세서 이미지 센서가 있는 CMOS 1280H x 720V 4.2µm x 4.2µm 96-CLGA
|
제조업자
|
|
|
|
|
|
새로운 P110 1.1A 8V와 원종축 |
단결정 태양전지 9.54W 6.94V
|
제조업자
|
|
|
|
|
|
새로운 AO3402 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
N채널 30V 4A(Ta) 1.4W(Ta) 표면 실장 SOT-23-3
|
제조업자
|
|
|
|
|
|
새로운 AR0330CS1C12SPKA0-CR 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
CMOS 이미지 센서 2304H x 1536V 2.2µm x 2.2µm 61-ODCSP(6.28x6.65)
|
ON Semi / 촉매 Semi
|
|
|
|
|
|
새로운 ASX340CS2C00SPED0-DRBR 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
CMOS 이미지 센서 728H x 560V 5.6µm x 5.6µm 63-IBGA(7.5x7.5)
|
ON Semi / 촉매 Semi
|
|
|
|
|
|
C1608X5R1E106M080AC 신규 및 기존 재고 |
10µF ±20% 25V 세라믹 커패시터 X5R 0603(1608 미터법)
|
제조업자
|
|
|
|
|
|
C2012X5R1A476M125AC 신규 및 기존 재고 |
47µF ±20% 10V 세라믹 커패시터 X5R 0805(2012 미터법)
|
제조업자
|
|
|
|
|
|
C1005X5R1E225K050BC 신규 및 기존 재고 |
2.2µF ±10% 25V 세라믹 커패시터 X5R 0402(1005 미터법)
|
제조업자
|
|
|
|
|
|
C2012X5R1E105K125AA 신규 및 기존 재고 |
1µF ±10% 25V 세라믹 커패시터 X5R 0805(2012 미터법)
|
제조업자
|
|
|
|
|
|
C3216X5R1E476M160AC 신규 및 기존 재고 |
47µF ±20% 25V 세라믹 커패시터 X5R 1206(3216 미터법)
|
제조업자
|
|
|