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전자적 IC 칩

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BAT120C,115 신규 및 기존 재고

BAT120C,115 신규 및 기존 재고

다이오드 배열 1 쌍 공통 캐소드 25 V 1A (DC) 표면 부착 TO-261-4, TO-261AA
제조업자
BAT54A 신규 및 기존 재고

BAT54A 신규 및 기존 재고

다이오드는 1 쌍 공통 양극 30 V 200mA (DC) 표면 부착 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3을 배치합니다
제조업자
BAT54A 신규 및 기존 재고

BAT54A 신규 및 기존 재고

다이오드는 1 쌍 공통 양극 30 V 200mA 표면 부착 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3을 배치합니다
제조업자
BC857C,235 신규 및 기존 재고

BC857C,235 신규 및 기존 재고

양극성 (BJT) 트랜지스터 PNP 45 V 100 마 100MHz 250 mW 표면 부착 TO-236AB
제조업자
BC856W,115 신규 및 기존 재고

BC856W,115 신규 및 기존 재고

양극성 (BJT) 트랜지스터 PNP 65 V 100 마 100MHz 200 mW 표면 부착 SOT-323
제조업자
BC856W 신규 및 기존 재고

BC856W 신규 및 기존 재고

양극성 (BJT) 트랜지스터 PNP 65 V 100 마 100MHz 200 mW 표면 부착 SOT-323
제조업자
BC847W 표면 실장 인덕터 신규 및 기존 재고

BC847W 표면 실장 인덕터 신규 및 기존 재고

양극성 (BJT) 트랜지스터 NPN 45 V 100 마 100MHz 200 mW 표면 부착 SOT-323
제조업자
BC848B 고전압 트랜지스터 신규 및 기존 재고

BC848B 고전압 트랜지스터 신규 및 기존 재고

양극성 (BJT) 트랜지스터 NPN 30 V 100 마 300MHz 250 mW 표면 부착 SOT-23-3 (TO-236)
제조업자
BC847C 전계 효과 트랜지스터 신규 및 기존 재고

BC847C 전계 효과 트랜지스터 신규 및 기존 재고

양극성 (BJT) 트랜지스터 NPN 45 V 100 마 100MHz 200 mW 표면 부착 SOT-23
제조업자
BC847W 전계 효과 트랜지스터 새 상품 및 원본 스톡

BC847W 전계 효과 트랜지스터 새 상품 및 원본 스톡

양극성 (BJT) 트랜지스터 NPN 45 V 100 마 100MHz 200 mW 표면 부착 SOT-323
제조업자
BC856B 전력 트랜지스터 신규 및 기존 재고

BC856B 전력 트랜지스터 신규 및 기존 재고

양극성 (BJT) 트랜지스터 PNP 65 V 100 마 100MHz 250 mW 표면 부착 SOT-23-3 (TO-236)
제조업자
BC856B 고전압 트랜지스터 신규 및 기존 재고

BC856B 고전압 트랜지스터 신규 및 기존 재고

양극성 (BJT) 트랜지스터 PNP 65 V 100 마 100MHz 200 mW 표면 부착 SOT-23
제조업자
BC848B 고주파 트랜지스터 신규 및 기존 재고

BC848B 고주파 트랜지스터 신규 및 기존 재고

양극성 (BJT) 트랜지스터 NPN 30 V 100 마 100MHz 200 mW 표면 부착 SOT-23
제조업자
BC847BW 전계 효과 트랜지스터 새 상품 및 원본 스톡

BC847BW 전계 효과 트랜지스터 새 상품 및 원본 스톡

양극성 (BJT) 트랜지스터 NPN 45 V 100 마 100MHz 200 mW 표면 부착 SOT-323
제조업자
BC856B 전력 트랜지스터 신규 및 기존 재고

BC856B 전력 트랜지스터 신규 및 기존 재고

양극성 (BJT) 트랜지스터 PNP 65 V 100 마 100MHz 200 mW 표면 부착 SOT-23
제조업자
BC847BPN,125 전계 효과 트랜지스터 신제품 및 오리지널 재고

BC847BPN,125 전계 효과 트랜지스터 신제품 및 오리지널 재고

양극성 (BJT) 트랜지스터 어레이 NPN, PNP 45V 100mA 100MHz 300mW 표면 부착 6-tssop
제조업자
BC847BW 전계 효과 트랜지스터 새 상품 및 원본 스톡

BC847BW 전계 효과 트랜지스터 새 상품 및 원본 스톡

양극성 (BJT) 트랜지스터 NPN 45 V 100 마 100MHz 200 mW 표면 부착 SOT-323
제조업자
BC856W-QF 표면 실장 인덕터 신규 및 기존 재고

BC856W-QF 표면 실장 인덕터 신규 및 기존 재고

양극성 (BJT) 트랜지스터 PNP 65 V 100 마 100MHz 200 mW 표면 부착 SOT-323
제조업자
BC856W-QX 가변 인덕터 신규 및 기존 재고

BC856W-QX 가변 인덕터 신규 및 기존 재고

양극성 (BJT) 트랜지스터 PNP 65 V 100 마 100MHz 200 mW 표면 부착 SOT-323
제조업자
BC856S 가변 인덕터 신규 및 기존 재고

BC856S 가변 인덕터 신규 및 기존 재고

양극성 (BJT) 트랜지스터 어레이 2 PNP 65V 100mA 100MHz 200mW 표면 부착 SOT-363
제조업자
BC857A 신규 및 기존 재고

BC857A 신규 및 기존 재고

양극성 (BJT) 트랜지스터 PNP 45 V 100 마 100MHz 250 mW 표면 부착 SOT-23-3 (TO-236)
제조업자
BC857BW 신규 및 기존 재고

BC857BW 신규 및 기존 재고

양극성 (BJT) 트랜지스터 PNP 45 V 100 마 100MHz 200 mW 표면 부착 SOT-323
제조업자
BC857BW 신규 및 기존 재고

BC857BW 신규 및 기존 재고

양극성 (BJT) 트랜지스터 PNP 45 V 100 마 100MHz 200 mW 표면 부착 SOT-323
제조업자
BC857BW 신규 및 기존 재고

BC857BW 신규 및 기존 재고

양극성 (BJT) 트랜지스터 PNP 45 V 100 마 100MHz 200 mW 표면 부착 SOT-323
제조업자
BC857C 신규 및 기존 재고

BC857C 신규 및 기존 재고

양극성 (BJT) 트랜지스터 PNP 45 V 100 마 150MHz 350 mW 표면 부착 SOT-23
제조업자
BC857C 신규 및 기존 재고

BC857C 신규 및 기존 재고

양극성 (BJT) 트랜지스터 PNP 45 V 100 마 100MHz 200 mW 표면 부착 SOT-23
제조업자
BC857W,135 신규 및 기존 재고

BC857W,135 신규 및 기존 재고

양극성 (BJT) 트랜지스터 PNP 45 V 100 마 100MHz 200 mW 표면 부착 SOT-323
제조업자
BC857W 신규 및 기존 재고

BC857W 신규 및 기존 재고

양극성 (BJT) 트랜지스터 PNP 45 V 100 마 100MHz 200 mW 표면 부착 SOT-323
제조업자
BCM857BS,115 신규 및 기존 재고

BCM857BS,115 신규 및 기존 재고

양극성 (BJT) 트랜지스터 어레이 2 PNP (듀얼) 대응짝 45V 100mA 175MHz 300mW 표면 부착 6-tssop
제조업자
BC858B 신규 및 기존 재고

BC858B 신규 및 기존 재고

양극성 (BJT) 트랜지스터 PNP 30 V 100 마 100MHz 200 mW 표면 부착 SOT-23
제조업자
BCM857BS-7-F 신규 및 기존 재고

BCM857BS-7-F 신규 및 기존 재고

양극성 (BJT) 트랜지스터 어레이 2 PNP (듀얼) 45V 100mA 100MHz 200mW 표면 부착 SOT-363
제조업자
BCP51 신규 및 원본 주식

BCP51 신규 및 원본 주식

양극성 (BJT) 트랜지스터 PNP 45 V 1.5 1 W가 SOT-223-4 탑재를 포장합니다
제조업자
BCP51 신규 및 원본 주식

BCP51 신규 및 원본 주식

양극성 (BJT) 트랜지스터 PNP 45 V 1.5 1 W가 SOT-223-4 탑재를 포장합니다
ON Semi / 촉매 Semi
SM8S33AHE3/2D 신규 및 기존 재고

SM8S33AHE3/2D 신규 및 기존 재고

53.3V 클램프 124A 립 전압 억제 다이오드 표면 부착 DO-218AB
비샤이
IRFH7085TRPBF 신규 및 기존 재고

IRFH7085TRPBF 신규 및 기존 재고

엔-채널 60 V 100A (Tc) 156W (Tc) 표면 부착 PQFN (5x6)
인피네온
새로운 SIR468DP-T1-GE3과 원종축

새로운 SIR468DP-T1-GE3과 원종축

엔-채널 30 V 40A (Tc) 5W (Ta), 50W (Tc) 표면 부착 PowerPAK® SO-8
비샤이
새로운 IRFU024NPBF와 원종축

새로운 IRFU024NPBF와 원종축

홀 IPAK (TO-251AA)를 통한 엔-채널 55 V 17A (Tc) 45W (Tc)
인피네온
새로운 IRFR3910TRPBF와 원종축

새로운 IRFR3910TRPBF와 원종축

엔-채널 100 V 16A (Tc) 79W (Tc) 표면 부착 D-팍
인피네온
새로운 IRFR24N15DTRPBF와 원종축

새로운 IRFR24N15DTRPBF와 원종축

엔-채널 150 V 24A (Tc) 140W (Tc) 표면 부착 D-팍
인피네온
새로운 IRFR9024NTRPBF와 원종축

새로운 IRFR9024NTRPBF와 원종축

P-채널 55 V 11A (Tc) 38W (Tc) 표면 부착 D-팍
인피네온
새로운 IRFR120NTRPBF와 원종축

새로운 IRFR120NTRPBF와 원종축

엔-채널 100 V 9.4A (Tc) 48W (Tc) 표면 부착 D-팍
마이크로칩
새로운 IRFR220NTRPBF와 원종축

새로운 IRFR220NTRPBF와 원종축

엔-채널 200 V 5A (Tc) 43W (Tc) 표면 부착 D-팍
인피네온
새로운 SIHG20N50C-E3과 원종축

새로운 SIHG20N50C-E3과 원종축

홀 TO-247AC을 통한 엔-채널 500 V 20A (Tc) 250W (Tc)
비샤이
새로운 IRLU024NPBF와 원종축

새로운 IRLU024NPBF와 원종축

홀 IPAK (TO-251AA)를 통한 엔-채널 55 V 17A (Tc) 45W (Tc)
인피네온
새로운 40L15CTPBF와 원종축

새로운 40L15CTPBF와 원종축

다이오드는 홀 TO-220-3을 통하여 1 쌍 공통 캐소드 15 V 20A를 배치합니다
비샤이
새로운 APT15DQ100KG와 원종축

새로운 APT15DQ100KG와 원종축

홀 TO-220 [K]를 통한 다이오드 1000 V 15A
마이크로칩
새로운 SIRA04DP-T1-GE3과 원종축

새로운 SIRA04DP-T1-GE3과 원종축

엔-채널 30 V 40A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) 표면 부착 PowerPAK® SO-8
비샤이
새로운 16CTQ100과 원종축

새로운 16CTQ100과 원종축

다이오드는 홀 TO-220-3을 통하여 1 쌍 공통 캐소드 100 V 8A를 배치합니다
비샤이
새로운 VS-16CTU04STRLPBF 전계 효과 트랜지스터와 원종축

새로운 VS-16CTU04STRLPBF 전계 효과 트랜지스터와 원종축

다이오드 배열 1 쌍 공통 캐소드 400 V 8A 표면 부착 TO-263-3, D2Pak (2개 리드 + 탭), TO-263AB
비샤이
새로운 IRFR3410TRPBF 전계 효과 트랜지스터와 원종축

새로운 IRFR3410TRPBF 전계 효과 트랜지스터와 원종축

엔-채널 100 V 31A (Tc) 3W (Ta), 110W (Tc) 표면 부착 D-팍
인피네온
28 29 30 31 32