4N33 직접 회로 칩, 전력 전자공학 성분 PhotodarliCM GROUPon Optocoupler
electronics ic chip
,integrated circuit components
4N33 집적 회로 칩
포토달링턴 옵토커플러
RoHS 피크 리플로 온도 등급 245C IEEE 802.3af/ANSI X3.263 준수 성능 IP 전화 또는 스위치 애플리케이션용으로 설계
재고 목록
CI SN74LS244N | TI | 64AH70K/5ACCLLK | 딥-20 |
CI 74HC238D | 1640년 | SOP-16 | |
CI P8255A5(L8320146 아님) | 인텔 | L5171029 | 딥-40 |
CI HEF4051BT | 1622+ | SOP-16 | |
CI 일련번호 아이버튼 DS1990A-F5+ |
달라스 | 1631년 | 단추 |
CI M27C2001-10F1 | 성 | 1211K | CDIP 32 |
트랜스 IRF540NPBF | IR | P632D | TO-220 |
트라이액 BT151-500R | PJA603 | TO-220 | |
CI MC908MR16CFUE | 프리스케일 | 1341 | LQFP-64 |
CI 74HC245DB,118 | 1619년 | SSOP-20 | |
CI MCP130T-315I/TT | 마이크로칩 | PLEP | SOT23-3 |
DIODO RGF1M-E3/67A | 비쉐이 | RM/50억 | SMA |
CI 74HC244DB,118 | 1418년 | SSOP-20 | |
CI 74LVC139D | 1213년 | SOP-16 | |
CI LD1086V33 | 성 | 829/833 | TO-220 |
디오도 TPD4E001DBVR | TI | NFY5 | SOT23-6 |
트라이액 BT151-500R | PJA603 | TO-220 | |
S5M-E3/57T | 비쉐이 | 1632/5M | 에스엠씨 |
다이오드 LED VSLB3940 | 비쉐이 | 10+ | 딥-2 |
MMBT3906LT1G | 에 | 1642/2A | SOT-23 |
디오도 BAS16LT1G | 온세미 | 1640/A6 | SOT-23 |
MBR3045CTP | 다이오드 | 1024 | TO-220 |
GBU6M | 비쉐이 | 1510L | 딥-4 |
GBU608 | 9월 | 16세 이상 | 딥-4 |
센서 KTY11-6 Q62705-K246 |
T6/S76 | TO-92 | |
CI AD590KH | 기원 후 | 1406년 | CAN3 |
CI ICL7660CBAZ | 인터실 | V1608BA | SOP-8 |
CI PC817C | 날카로운 | H41 | 딥-4 |
트랜스 TIP127(ROHS) | 성 | 608 | TO-220 |
옵토 4N25M | FSC | 645Q |
딥-6 |
특징
• 매우 높은 전류 전달 비율, 500% Min.
• 높은 절연 저항, 통상 1011Ω
• 표준 플라스틱 DIP 패키지
• Underwriters Lab 파일 #E52744
• VDE 승인 #0884
설명
4N32 및 4N33은 갈륨 비소 적외선 LED 및 실리콘 광달링턴 센서와 광학적으로 결합된 절연체입니다.구동 회로와 부하 회로 사이에 높은 수준의 절연을 유지하면서 스위칭이 가능합니다.
이 옵토커플러는 긴 수명, 고속 스위칭 및 자기장 제거의 이점으로 리드 및 수은 계전기를 대체하는 데 사용할 수 있습니다.
최대 등급
이미 터 피크 역 전압 ..................................................3 V
연속 순방향 전류 .........................60mA
25°C에서 전력 손실...........................100mW
55°C에서 선형으로 감소....................1.33 mW/°C
검출기 컬렉터-이미터 항복 전압, BVCEO .................................................. ................ 30V
이미터-베이스 항복 전압, BVEBO .................................................................. .................8V
컬렉터-베이스 항복 전압, BVCBO .................................................. ............... 50V
이미터-콜렉터 항복 전압, BVECO .................................................. ................ 5V
콜렉터(부하) 전류...................................125mA
주변 온도 25°C에서 소비 전력 ..................150mW
25°C에서 선형으로 감소..........................2.0 mW/°C
주변 온도 25°C에서 패키지 총 손실 .............250mW
25°C에서 선형으로 감소...........3.3 mW/°C
절연 테스트 전압...........................5300
이미터와 감지기 사이의 VACRMS, 표준 기후: 23°C/50%RH,
DIN 50014 누출 경로 .................................................. 최소 7mm
공기 경로........................................................... ... 최소 7mm
로에스 SOD123 경우 고속 스위칭 다이오드 SOT23 1N4148W-E3-08
LL42-GS08 30V 200mA SOD - 80 신호 쇼트키 다이오드
SMBJ170A-E3/52 피크 펄스 전력 600W 17V 이격된 전압 비샤이
TO-247 비샤이 파워 모스펫 12A 200V p 채널 IRFP9240PBF
VO0630T 현장 효과 트랜지스터 새롭고 원본 스톡
1W 18Kohms 300V 50ppm MELF 저항기 MMB02070C1802FB200
원거리 통신 얇은 필름 실무 상태를 위한 MMB02070C1004FB200 반대 유황 SMD 칩 저항기
MMB02070C1503FB200 박막 저항기 150 킬로오옴 ±1% MELF 0207 금속막 저항
SMM02040C3903FB300 MELF 0204 390k 오옴부하 저항기, 반대 유황 자동차 안정 저항기
MMA02040C2201FB300 SMD 칩 저항기 0.4W 2 / 5W 0204 반대 유황 2.2 크옴스
이미지 | 부분 # | 기술 | |
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로에스 SOD123 경우 고속 스위칭 다이오드 SOT23 1N4148W-E3-08 |
Diode 75 V 150mA Surface Mount SOD-123
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LL42-GS08 30V 200mA SOD - 80 신호 쇼트키 다이오드 |
Diode 30 V 200mA Surface Mount SOD-80 MiniMELF
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SMBJ170A-E3/52 피크 펄스 전력 600W 17V 이격된 전압 비샤이 |
275V Clamp 2.2A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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TO-247 비샤이 파워 모스펫 12A 200V p 채널 IRFP9240PBF |
P-Channel 200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247AC
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VO0630T 현장 효과 트랜지스터 새롭고 원본 스톡 |
Logic Output Optoisolator 10MBd Open Drain 4000Vrms 2 Channel 1kV/µs CMTI 8-SOIC
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1W 18Kohms 300V 50ppm MELF 저항기 MMB02070C1802FB200 |
18 kOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
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원거리 통신 얇은 필름 실무 상태를 위한 MMB02070C1004FB200 반대 유황 SMD 칩 저항기 |
1 MOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
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MMB02070C1503FB200 박막 저항기 150 킬로오옴 ±1% MELF 0207 금속막 저항 |
150 kOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
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SMM02040C3903FB300 MELF 0204 390k 오옴부하 저항기, 반대 유황 자동차 안정 저항기 |
390 kOhms ±1% 0.25W, 1/4W Chip Resistor MELF, 0204 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding Thin Film
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MMA02040C2201FB300 SMD 칩 저항기 0.4W 2 / 5W 0204 반대 유황 2.2 크옴스 |
2.2 kOhms ±1% 0.4W, 2/5W Chip Resistor MELF, 0204 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
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