ILQ2 직접 회로 칩 광결합기, 광트랜지스터 산출
electronics ic chip
,integrated circuit ic
ILD1/ 2/ 5 / ILQ1/ 2/ 5
옵토커플러, 포토트랜지스터 출력(듀얼, 쿼드 채널)
특징
• I에서의 현재 전송 비율에프= 10mA
• 절연 테스트 전압, 5300VRMS
• 무연 부품
• RoHS 2002/95/EC 및 WEEE 2002/96/EC에 따른 구성 요소
기관 승인
• UL1577, 파일 번호 E52744 시스템 코드 H 또는 J, 이중 보호
• CSA 93751
• BSI IEC60950 IEC60065
• DIN EN 60747-5-2(VDE0884) DIN EN 60747-5-5 보류 중 옵션 1과 함께 사용 가능
• 핌코
설명
ILD1/ 2/ 5/ ILQ1/ 2/ 5는 GaAs 적외선 LED와 실리콘 NPN 광트랜지스터를 사용하는 광학적으로 결합된 절연 쌍입니다.DC 레벨을 포함한 신호 정보는 입력과 출력 사이에 높은 수준의 전기적 절연을 유지하면서 드라이브에 의해 전송될 수 있습니다.
ILD1/ 2/ 5/ ILQ1/ 2/ 5는 중간 속도 로직을 구동하도록 특별히 설계되었으며 번거로운 접지 루프 및 노이즈 문제를 제거하는 데 사용할 수 있습니다.또한 이러한 커플러는 CTR 변조와 같은 많은 디지털 인터페이스 애플리케이션에서 릴레이 및 변압기를 대체하는 데 사용할 수 있습니다.
ILD1/ 2/ 5에는 단일 DIP 패키지에 2개의 절연 채널이 있고 ILQ1/ 2/ 5에는 패키지당 4개의 절연 채널이 있습니다.
절대 최대 등급
Tamb = 25 °C, 달리 명시되지 않는 한 절대 최대 정격을 초과하는 응력은 장치에 영구적인 손상을 일으킬 수 있습니다.장치의 기능적 작동은 이 문서의 작동 섹션에 제공된 조건을 초과하는 이러한 조건이나 기타 조건에서 암시되지 않습니다.오랜 시간 동안 절대 최대 정격에 노출되면 안정성에 부정적인 영향을 미칠 수 있습니다.
모수 | 테스트 조건 | 상징 | 값 | 단위 | |
---|---|---|---|---|---|
입력 | |||||
역 전압 | V아르 자형 | 6.0 | V | ||
순방향 전류 | 나에프 | 60 | 엄마 | ||
서지 전류 | 나FSM | 2.5 | ㅏ | ||
전력 소모 | 피디스 | 100 | 밀리와트 | ||
25°C에서 선형으로 감소 | 1.3 | mW/°C | |||
산출 | |||||
컬렉터-이미터 역전압 | ILD1 | VCER | 50 | V | |
ILQ1 | VCER | 50 | V | ||
ILD2 | VCER | 70 | V | ||
ILQ2 | VCER | 70 | V | ||
ILD5 | VCER | 70 | V | ||
ILQ5 | VCER | 70 | V | ||
콜렉터 전류 | 나씨 | 50 | 엄마 | ||
t < 1.0ms | 나씨 | 400 | 엄마 | ||
전력 소모 | 피디스 | 200 | 밀리와트 | ||
25°C에서 선형으로 감소 | 2.6 | mW/°C | |||
연결기 | |||||
절연 테스트 전압(표준 기후 25°C/ 50% RH, DIN 50014를 참조하는 방출기와 감지기 사이) | VISO | 5300 | VRMS | ||
크리피지 | ≥ 7.0 | mm | |||
정리 | ≥ 7.0 | mm | |||
절연 저항 | V이오= 500V, Tamb = 25°C | 아르 자형이오 | 1012 | Ω | |
V이오= 500V, Tamb = 100°C | 아르 자형이오 | 1011 | Ω | ||
패키지 전력 손실 | 피더하다 | 250 | 밀리와트 | ||
25°C에서 선형으로 감소 | 3.3 | mW/°C | |||
보관 온도 | Tstg | - 40 ~ + 150 | °C | ||
작동 온도 | 탐 | - 40 ~ + 100 | °C | ||
접합 온도 | Tj | 100 | °C | ||
납땜 온도 | 케이스 바닥에서 2.0mm | Tsld | 260 | °C |
재고 제안(뜨거운 판매)
부품 번호 | 수량 | 상표 | DC | 패키지 |
BC847CLT1G | 10000 | 에 | 14세 이상 | SOT-23 |
BC848CLT1G | 10000 | 에 | 16세 이상 | SOT-23 |
LM7812CT | 10000 | NSC | 15+ | TO-220 |
MAX660MX | 5052 | NSC | 12+ | 예규 |
LT3759EMSE | 3778 | LT | 15+ | MSOP |
LTC3374EUHF | 6831 | 선의 | 16세 이상 | QFN |
MCP1703T-3302E/MB | 5104 | 마이크로칩 | 15+ | SOT-89 |
MCF52236AF50 | 4822 | 프리스케일 | 14세 이상 | QFP |
MTP8N50E | 7541 | 에 | 10+ | TO-220 |
PCA9535D | 12200 | 16세 이상 | 예규 | |
LPC2388FBD144 | 952 | 15+ | QFP-144 | |
LMR10515XMF | 1922년 | TI | 15+ | SOT-23-5 |
MT46V32M16BN-6IT:F | 7149 | 미크론 | 14세 이상 | FBGA |
LPC1778FBD144 | 1752년 | 15+ | LQFP-144 | |
MAX6366LKA31-T | 4564 | 격언 | 15+ | 술고래 |
LMV393MX | 5311 | NSC | 14세 이상 | SOP-8 |
LM2678SX-5.0 | 2000년 | NSC | 11+ | TO-263 |
NTB60N06T4G | 4380 | 에 | 16세 이상 | TO-263 |
30377* | 668 | 보쉬 | 10+ | PLCC44 |
LM317MKVURG3 | 4026 | TI | 13+ | TO-252 |
OPA2365AIDR | 7080 | TI | 15+ | 예규 |
AVL6211LA | 1100 | AVAILINK | 14세 이상 | QFP64 |
MLX14308IBF | 3400 | 멜렉시스 | 14세 이상 | 예규 |
LM2901DG | 6580 | 에 | 14세 이상 | SOP-14 |
LT1963EST-3.3 | 5050 | LT | 16세 이상 | SOT-223 |
MJH6287 | 89000 | 에 | 16세 이상 | TO-218 |
PIC12F629-E/P | 5418 | 마이크로칩 | 15+ | 담그다 |
PIC16F616-I/P | 5173 | 마이크로칩 | 14세 이상 | 담그다 |
30615* | 925 | 보쉬 | 11+ | QFP-32 |
30277* | 482 | 보쉬 | 11+ | SOP-16 |

로에스 SOD123 경우 고속 스위칭 다이오드 SOT23 1N4148W-E3-08

LL42-GS08 30V 200mA SOD - 80 신호 쇼트키 다이오드

SMBJ170A-E3/52 피크 펄스 전력 600W 17V 이격된 전압 비샤이

TO-247 비샤이 파워 모스펫 12A 200V p 채널 IRFP9240PBF

VO0630T 현장 효과 트랜지스터 새롭고 원본 스톡

1W 18Kohms 300V 50ppm MELF 저항기 MMB02070C1802FB200

원거리 통신 얇은 필름 실무 상태를 위한 MMB02070C1004FB200 반대 유황 SMD 칩 저항기

MMB02070C1503FB200 박막 저항기 150 킬로오옴 ±1% MELF 0207 금속막 저항

SMM02040C3903FB300 MELF 0204 390k 오옴부하 저항기, 반대 유황 자동차 안정 저항기

MMA02040C2201FB300 SMD 칩 저항기 0.4W 2 / 5W 0204 반대 유황 2.2 크옴스
이미지 | 부분 # | 기술 | |
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로에스 SOD123 경우 고속 스위칭 다이오드 SOT23 1N4148W-E3-08 |
Diode 75 V 150mA Surface Mount SOD-123
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LL42-GS08 30V 200mA SOD - 80 신호 쇼트키 다이오드 |
Diode 30 V 200mA Surface Mount SOD-80 MiniMELF
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![]() |
SMBJ170A-E3/52 피크 펄스 전력 600W 17V 이격된 전압 비샤이 |
275V Clamp 2.2A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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TO-247 비샤이 파워 모스펫 12A 200V p 채널 IRFP9240PBF |
P-Channel 200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247AC
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VO0630T 현장 효과 트랜지스터 새롭고 원본 스톡 |
Logic Output Optoisolator 10MBd Open Drain 4000Vrms 2 Channel 1kV/µs CMTI 8-SOIC
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1W 18Kohms 300V 50ppm MELF 저항기 MMB02070C1802FB200 |
18 kOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
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원거리 통신 얇은 필름 실무 상태를 위한 MMB02070C1004FB200 반대 유황 SMD 칩 저항기 |
1 MOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
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MMB02070C1503FB200 박막 저항기 150 킬로오옴 ±1% MELF 0207 금속막 저항 |
150 kOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
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SMM02040C3903FB300 MELF 0204 390k 오옴부하 저항기, 반대 유황 자동차 안정 저항기 |
390 kOhms ±1% 0.25W, 1/4W Chip Resistor MELF, 0204 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding Thin Film
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MMA02040C2201FB300 SMD 칩 저항기 0.4W 2 / 5W 0204 반대 유황 2.2 크옴스 |
2.2 kOhms ±1% 0.4W, 2/5W Chip Resistor MELF, 0204 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
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